一种X波段固态功率放大器

介绍一种X波段固态功率放大器的设计方案,并给出研制结果。     

一款X波段高效率GaN负载调制平衡放大器MMIC

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺的X波段高效率负载调制平衡放大器芯片。该芯片由两个射频端口的90°Lange耦合器,一对平衡功率放大器和一个控制信号功率放大器组成。通过改变同频率处控制信号的幅度与相位去调制平衡功率放大器的阻抗。在连续波测试条件下,该负载调制平衡放大器芯片在8~11 GHz范围内,最大输出功率为42.5 dBm,饱和效率为45%~55%,当输出功率回退6 dB时,效率为40%~45%。     

X波段低噪声放大器设计

针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz～9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。     

X波段低噪声放大器设计分析

针对通信系统中信噪比的改善问题,分析了低噪声放大器的电路形式,确定了器件的选取方法,阐述了低噪声放大器的设计思路,介绍了使用ADS软件进行X波段低噪声放大器的设计。利用Fujits公司的FHX13X和Transcom公司的TC1201,两级级联,并对电路进行仿真和优化,判定放大器的稳定性。通过软件修正得到最终电路设计,经过最终数据分析,总结设计过程中的关键技术。     

X波段GaN单片电路低噪声放大器

采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器.GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm.在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件...     

X波段150W固态合成功率放大器

介绍了一种利用波导实现X波段芯片级功率合成的方法,波导合成器特别适用于大功率、高频段的功率合成,损耗小、合成效率高。借助HFSS软件进行仿真优化,然后依托精密的机加工技术制作出来的波导功率合成器,具有良好的输出端驻波和很小的插损。合成单元20W模块由两个功率单片通过Wilkinson桥合成,在合成之前单独调试,确保功率和相位基本一致。最后得到的合成功率放大器输出功率大于150W,合成效率接近95%。     

X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究

微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计8．95GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈介质谐振器振荡器,为了放大输出功率和提高负载牵引,在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器,最终的输出功率是＋13．33dBm。测试证明输出信号的相位噪声偏离中心频率100kHz可达-116．49dBc／Hz,偏离中心频率10kHz可达-91．74dBc／Hz。     

X波段宽带单片低噪声放大器

从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。     

X波段50W GaN功放管的应用研究

氮化镓(GaN)作为新一代半导体材料,具有高功率容量和高热容性等特点,所以GaN微波功率器件成为近几年研究的热点。随着GaN功放管的功率不断提高,以氮化镓(GaN)为基础的微波功率器件的应用取得了很大的进步。本文对氮化镓(GaN)功率器件的特点和现状进行了介绍,并对X波段50W GaN功放管的电路设计、影响电路的因素进行了分析和研究。最后完成了一个X波段50W固态功放的设计,并给出了测试结果。     

X波段20W高效率负载调制平衡放大器MMIC

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺的8～12 GHz高效率负载调制平衡放大器（Load-modulated balanced amplifier,LMBA）。高峰均比信号传输场景中,功率放大器的效率性能会在输出功率回退区间内急剧恶化。基于LMBA技术,结合有源负载调制与预匹配输出结构,有效提高了功放在输出功率回退区间的效率。在连续波测试条件下,该芯片在8～12 GHz频段内,饱和输出功率为43.2～43.8 dBm,饱和效率为50.5%～55.7%。饱和输出功率回退6 dB时,效率为40.2%～44.5%,相较于归一化理想B类功率放大器具有15%～17%的效率提升。     

P波段、X波段固态脉冲功率放大器

南京电子器件研究所硅功率研究中心研制的固态功率放大器具有体积小、增益高、可靠性优越的特点 ,同时形成了各种频段批量生产规模。已成功应用于各种电子设备上 ,受到用户的好评。P波段及 X波段固态脉冲功率放大器具有如下主要技术性能 :P波段 :推动级功率 Po前/ W　　　 >5功率增益 Gp前 / d B >30末级发射机功率 P后 / k W >1 .2脉宽 τ/ μs 6 0 0占空比 D 1 0 %X波段 :输出功率 Po/ W >3功率增益 Gp/ d B >30P波段、X波段固态脉冲功率放大器…     

一种新型集成化X波段低噪声放大器

低温共烧陶瓷 (LTCC)和倒装芯片 (FC)是实现小型化、高可靠微波组件的一种理想的组装和互连技术。文中对带有埋置式电阻的 LTCC微波多层互连基板和倒装芯片组装技术进行了研究 ,以研制出体积小、重量轻、微波性能好的高密度集成化 X波段低噪声放大器。利用商用三维电磁场分析软件 HFSS对集成化低噪声放大器组装和互连中的关键参数进行了仿真和优化。研制出的集成化 X波段低噪声放大器带宽为 1 .6GHz,增益≥ 2 8d B,噪声系数≤ 2 d B,输入 /输出驻波≤ 1 .8,体积仅为 1 2 mm× 6mm× 1 .5 mm。     

X波段固态功率放大器稳定性分析设计

X波段固态功率放大器相对于较低频段的固态功率放大器，其稳定性问题更加突出。腔体效应是导致稳定性问题的重要因素，通过对腔体效应的理论分析，文中提出了工程应用中解决因腔体效应导致的稳定性问题的可行方法，成功地解决了X波段固态功率放大器设计过程中遇到的腔体效应问题。     

X-band fully depleted SOI Amplifier with adaptive bias control

A 10-GHz amplifier with an adaptive bias control circuit is realized using fully depleted SOI CMOS technology. The effective gate bias of the amplifier MOSFET adjusts itself based on the power level of the input signal. Measured results showed reduction of overall power consumption and wider range of output power near its peak efficiency. At absence of the signal, the amplifier can be automatically switched to a standby mode with approximately 85% reduction of power consumption. Power saving is also demonstrated for pulsed signal modulated at 10 MHz.     

X波段10W功率合成放大器的设计与实现

单个功放芯片输出功率的能力非常有限,通过研究平面功率合成网络的基本原理和设计方法,提出了一种基于平面功率合成技术的4路功率合成网络。测试结果表明,输出端口幅度一致性较好,输出端口的相位差小于4°,驻波小于1.5,两端口隔离度大于15 d B。设计并实现了工作在X波段、输出功率为10 W的功率合成放大器,并通过实际测试得到放大器的输出功率大于10 W,合成效率大于82%,与设计预期相符。     

X 波段雷达接收机中低噪声放大器的研究

现代雷达系统结构对接收机的性能提出了更高的要求.低噪声放大器能降低系统的噪声和提高接收机灵敏度,是接收系统的重要组成部分.本文设计的低噪声放大器应用于接收机的前端,利用集成芯片 ATF36163完成了电路的设计并且通过研究 RF 电路中的参数灵敏度对该低噪声放大器进行了灵敏度分析.结果表明:经过参数灵敏度分析的低噪声放大器不仅符合接收机对 LNA 的指标要求,还能使性能更加稳定     

X波段60W高效率GaN HEMT功率MMIC

研制了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的X波段高效率功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构设计。末级匹配电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率,同时优化驱动级和末级管芯栅宽比以及级间匹配电路,降低驱动级管芯电流。通过这两种技术途径有效提高芯片的功率附加效率。输入级和级间匹配电路采用有耗匹配方式,扩展工作带宽以及提高稳定性。芯片在8~12GHz频带范围内漏压28V,脉宽100μS,占空比10%工作条件下输出功率达到47.5~48.7dBm,功率增益大于20dB,功率附加效率40%~45%。芯片面积3.5mm×3.8mm,单位面积功率密度为5.57 W/mm2,连续波条件下热阻为1.7K/W。     

An X-band vehicle-location system

A vehicle-location system operating at X band is described. For certain applications, a precise absolute measure of position is not needed. It suffices to determine a vehicle's location only to within a zone. For those systems which require zonal location information only, an "electronic fence" approach is well suited. In this approach, zone boundaries are defined by an array of transmitters. These transmitters, of low power and limited range, continuously emit digitally coded messages (identifying the zone) which are received and stored in the vehicle's receiver. When the vehicle's location is desired, a separate radio data channel is used for interrogation, whereupon the vehicle responds with the last stored message corresponding to the zone presently occupied. The transmitter and receiver portions of the locator were implemented using microwave components and both analog and digital integrated circuits. Although the unit has been designed and tested for a zonal fence configuration, it can easily be used as a basic sensor element in any other vehicle-locator system of the proximity type.     

An analytic approach to the LSA mode

The conditions necessary for operation in the limited space-charge accumulation (LSA) mode, and the efficiencies that can be obtained, have been calculated for a range of low-field mobilities in GaAs. The analysis follows the theory published by Copeland, but the expression chosen to describe the velocity field characteristics allows direct solution of the integrals that occur in the theory, and the extension of the results to include GaAs with differing values of low-field mobility. It has therefore been possible to present equations for the various parameters of interest, which are a function of low-field mobility. The results of the calculations indicate that efficiency increases with low-field mobility, but the range of values of electron concentration/frequency becomes more restricted as the mobility is increased.