非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究

基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在波长分别为660、450和405nm三种激光照射下的阈值电压V_th分别为4.2、2.5和0V,均低于无激光时的4.3V,且器件的阈值电压随激光波长减小单调降低,此外,随着激光波长的下降,“明/暗”电流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V条件下),光敏响应度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW,可见激光波长越短,可获得更强的光电效应,光灵敏度也更高,该效应表明该器件在光电探测等领域具有广阔的应用前景。     

有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管

利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。     

金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展

最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法。     

浸渍提拉法制备有机介质层铝铟锌氧薄膜晶体管

利用溶液法的浸渍提拉工艺制备了以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层、非晶铝铟锌氧化物(a-AIZO)为沟道层的顶栅共面结构薄膜晶体管(TFT),研究了沟道层退火温度对TFT性能的影响机理。结果表明:较低退火温度(如300和350℃)下处理的沟道层中存在未彻底分解的金属氢氧化物,其以缺陷态形式存在于TFT沟道层内或沟道层/介质层界面处,对导电沟道中电子进行捕获或散射,劣化TFT的迁移率、电流开关比以及亚阈值摆幅。综合来看,退火温度高于400℃下制备的a-AIZO适用于TFT器件的沟道层,相应的器件呈现出较高的迁移率(大于20cm2/(V·s))、较低的亚阈值摆幅(小于0.5V/decade)以及高于104的电流开关比。     

ITO透明导电薄膜的反应离子刻蚀

研究了用 Ｃ Ｆ４ 或乙醇作为反应气体, Ａｒ 作为气体添加剂对 Ｉ Ｔ Ｏ 膜进行反应离子刻蚀,讨论了射频放电功率,反应室气压, Ａｒ 的流量对刻蚀速率的影响,得出了最佳工艺条件,并从理论上分析了刻蚀的机理。研究表明,用乙醇等有机气体对 Ｉ Ｔ Ｏ 膜进行反应离子刻蚀的效果更为理想。     

OLED Mg/Ag阴极的真空蒸镀及成膜特性

探讨了Mg阴极和Ag阴极的真空蒸镀工艺,Mg蒸镀电流在85A左右时压强开始迅速上升,但Mg原子并未被蒸镀到基底上.随着压强值迅速下降至约上升前的压强值2.6×10-3Pa时,Mg原子开始被蒸镀到玻璃基底上,这与Ag等其他金属阴极材料的蒸镀过程有很大不同.研究还发现热处理可以使Mg薄膜更加致密,表面粗糙度降低,附着力增加.     

Features of Indium Tin Oxide Film Deposition by Magnetron Sputtering

Journal of Communications Technology and Electronics - Abstract—Polycrystalline transparent conductive indium tin oxide layers are grown by direct current magnetron reactive sputtering of the...     

ITO透明导电薄膜的制备工艺研究

采用溶胶-凝胶法以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜.详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件.结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4 离子取代In2O3晶格中的In3 离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600 Ω/□,可见光透过率达到83%.     

氧化锌薄膜的研究与开发进展

阐述了ＺｎＯ薄膜材料的结构特点，电学性质和光学特性。分析了薄膜研制、应用与开发现状，展望了产业化发展前景。     

In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有ｃ轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜．在室温下测量样品的光致发光（PL）光谱,观察到波长位于415nm（3.02eV）和430nm（2.88eV）附近的蓝紫发光双峰．研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响．当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的ｃ轴择优取向和较小的晶格失配（0.16%）;同时在PL谱中观察到波长位于415nm（3.02eV）和433nm（2.86eV）处的强蓝紫光双峰．     

In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的蓝紫发光双峰.研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响.当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的c轴择优取向和较小的晶格失配(0.16%);同时在PL谱中观察到波长位于415nm(3.02eV)和433nm(2.86eV)处的强蓝紫光双峰.     

聚对苯乙炔衍生物的制备和光致发光性能

采用含氯前聚物法制备了聚(2,5-二丁氧基)对苯乙炔(PDBOPV)和聚(2,5-二己氧基)对苯乙炔(PDHOPV)两种发光材料.利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和热失重分析(TGA)等对其进行结构表征和性能研究.研究表明,PDBOPV和PDHOPV在400～600 nm范围内均有较强的吸收,且具有一定的结晶性,起始分解温度分别为202和150 ℃.荧光光谱研究表明,PDBOPV和PDHOPV的峰值发射波长均在635 nm,荧光寿命分别为0.5和0.89 ns,但PDHOPV的荧光强度大大强于PDBOPV.     

ITO纳米粉的低温制备

介绍了一种 ITO 纳米粉的低温、易于量产的制备方法。将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜,在 300℃、2 MPa 的条件下就可制得 5~20 nm 的 ITO 纳米粉。用 XRD、TEM 分析 ITO 纳米粉的形貌为纺锤状,结晶状况良好,更有利于制备高致密度靶材。与其它方法相比,本方法反应条件柔和,反应温度降低了约 200℃。     

Cu掺杂氧化锌氧化物的热学性能

基于线性响应的密度泛函微扰理论研究了Cu掺杂纤锌矿结构氧化物ZnO的热学参数和热学性能。结果表明,Cu掺杂导致ZnO氧化物晶胞减小;在计算温度区间,纯的ZnO和Cu掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,Cu掺杂的ZnO具有较高的晶格热容;纯的ZnO和Cu掺杂ZnO的晶格热容在最高温度900K时分别达到69.1J·(mol-1·K-1)和152.8J·(mol-1·K-1)。纯的ZnO和Cu掺杂ZnO的德拜温度均随温度升高而不断增大;在175K以下,Cu掺杂ZnO体系的德拜温度高于未掺杂体系,在175K以上,Cu掺杂ZnO体系的德拜温度低于未掺杂体系。Cu掺杂在ZnO中引入了新的振动模式。Cu掺杂ZnO氧化物应具有较高的晶格热导率。     

氧等离子体处理对ITO薄膜表面性能的影响

利用原子力显微镜研究氧等离子体处理对ITO薄膜的微观表面形貌及表面润湿性能的影响。实验结果表明:经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度和峰-谷粗糙度减小,薄膜的平整度提高;而且表面吸附力增大近一倍,表面能增大,接触角减小,使ITO薄膜表面的润湿性能和吸附性能得到改善。     

Transparent Oxide Thin-Film Transistors Composed of Al and Sn-doped Zinc Indium Oxide

We have fabricated the transparent bottom gate thin-film transistors (TFTs) using Al and Sn-doped zinc indium oxide (AT-ZIO) as an active layer. The AT-ZIO active layer was deposited by RF magnetron sputtering at room temperature, and the AT-ZIO TFT showed a field effect mobility of 15.6 $ hbox{cm}^{2}/hbox{Vs}$ even before annealing. The mobility increased with increasing the $hbox{In}_{2}hbox{O}_{3}$ content and postannealing temperature up to 250 $^{circ}hbox{C}$. The AT-ZIO TFT exhibited a field effect mobility of 30.2 $hbox{cm}^{2}/hbox{Vs}$, a subthreshold swing of 0.17 V/dec, and an on/off current ratio of more than $10^{9}$ .      

基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响

本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率。利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响,并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征。实验发现,随着基底温度的升高,薄膜的表面颗粒增大,透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低。本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系。     

玻璃基底上氧化铟锡薄膜的光致发光性能

用直流磁控溅射法在190℃玻璃基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下,分别在467 nm和751 nm处观察到了发光强度较强的蓝光宽带和强度较弱的红光带。上述发光峰的出现分别和ITO薄膜中的氧空位、铟空位等缺陷在禁带中形成的能级有关,其中氧空位形成的施主能级位于导带下1.2 eV处,而铟空位形成的受主能级位于价带下1.65 eV处。