紫蓝磁光材料的量子法拉第效应

从量子角度分析了Bi3+离子替代对紫蓝磁光材料法拉第效应的影响,研究了DyIG (镝铁石榴石)材料的磁光频谱特性,结果表明DyIG材料在350mm和550nm有两个磁光极大峰值,这极有利于短波高密度磁光记录。     

磁记录与磁光记录

信息的可擦重写磁光记录方式克服了磁记录方式信息密度较小的缺点,本文从磁记录原理出发介绍了磁光记录的原理及其近期发展,概述了这两种技术对记录介质的技术要求,并对记录材料的最新进展进行了述评。     

锰铋稀土（MnBiRE）磁光薄膜的结构与性能研究

对作为磁光材料的锰铋稀土薄膜的制备、测量进行了阐述，从各项测量结果出发，说明了该材料的磁学性能和磁光性能，在此基础上对其晶体结构进行了分析，提出了对该材料具有相当大的磁光克尔转角的解释。     

Co／Pb多层膜的磁电阻与磁光克尔效应

用射频磁控溅射方法制备了一系列Ｃｏ／Ｐｂ多层膜样品,进而研究了它的磁电阻与磁光性质。发现该系统除Ｃｏ子层的各向异性磁电阻外还存在由反铁磁耦合导致的约为０．３％的巨磁电阻效应,以及磁光极克尔效应的增强现象,并对磁光增强的可能机制进行了研究。     

磁光记录畴形成的理论研究

磁光记录畴是磁光盘信息的基本载体,本文从记录过程中温度分布的模拟计算、磁光效应机理、影响记录磁畴尺寸和形状的有关因素等几个方面对磁光记录畴的理论进行了研究     

Co/Pb多层膜的磁电阻与磁光克尔效应

用射频磁控溅射方法制备了一系列Co／Pb多层膜样品,进而研究了它的磁电阻与磁光性质．发现该系统除Co子层的各向异性磁电阻外还存在由反铁磁耦合导致的约为0．3％的巨磁电阻效应,以及磁光极克尔效应的增强现象,并对磁光增强的可能机制进行了研究．     

温度变化对锰铋稀土薄膜的矫顽力和磁光克尔转角的影响

锰铋稀土（ＭnBiRE)薄膜具有较大的磁光克尔转角θk，因而作为良好的磁光住处存储材料，用真空蒸镀方法制备了ＭnBiRE（ＲＥ＝Ｃe、Pr、Nd、Sm）薄膜，考察了温度变化对其矫顽力、磁光克尔转角等性能的影响。通过信息的写入，分析了这些样品的读写特性并与四层结构ＴbFeCo样品做了比较。     

纳米硅薄膜用于非晶硅液晶光阀阻光层研究

本文报告了我们首先提出的采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结作为大屏幕投景液晶光阀光敏层，向列型液晶作为液晶光阀调制层的一种新型液晶光阀。Ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质。Ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结，本文还讨论了它的光电性质。采用ａ－Ｓ     

AMR薄膜弱磁场传感头的优化设计

镍铁基合金薄膜是各向异性磁电阻传感器常用的传感材料，基于光刻工艺的弱磁场传感器的灵敏度与传感头的图形设计有关，传感头磁电阻图形的优化设计可以使薄膜具有更好的各向异性磁电阻效应。在研究了基于光刻工艺的弱磁场传感器基础上，为了提高弱磁场的测试灵敏度，结合具体的光刻工艺对传感头的磁电阻图形作了优化设计。结合对具体的材料分析阐述了设计原理，给出了设计对灵敏度和输出产生的影响。     

ZnSe多量子阱光开关的优化设计

本文提出了一个ZnSe/ZnS多量子阱光开关的综合优化方案。根据Kronig-Penney模型,对多量子阱结构进行优化。又根据实验结果对多量子阱构成的非线性F-P进行了优化设计。     

多层吸波材料的优化设计

不同介质层的组合,有别于单层介质,具有特殊的电磁特征,本文从经典的麦克斯韦电磁场理论出发,推导出相对复介电系εｒ和相对复导磁率μＴ的表达式,引入法向阻抗的概念。     

NiCo／Cu多层膜的巨磁电阻与磁光克尔效应

本文对用射频磁控溅射方法制备的ＮｉＣｏ／Ｃｕ多层膜的层间耦合与磁光克尔效应的内在关联性进行了研究。发现巨磁电阻比与磁光克尔角的幅值（θｋ＾２＋ηｋ＾２）＾１／２随Ｃｕ层厚度作同步振荡。其磁光振荡可主要归结于层间耦合引起的铁磁层中电子的光和磁光跃迁的变化。     

磁光晶体球型光纤光隔离器

探讨了一种磁光晶体球型光纤隔离器,用ＹＩＧ来研制器件的实验结构,其插入损耗,隔离度和反向损耗的测量结果分别优于８．９ｄＢ,２８ｄＢ和４５ｄＢ理论分析表明,这类器件的有效长度可达０．５ｍｍ以下,插入损耗低于１ｄＢ。     

轻稀土掺杂对TbFeCo材料磁光性能的影响

采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜 ,并在TbFeCo中分别引入轻稀土元素Nd、Pr和Ce ,测试了薄膜的磁光性能 ,得到磁光薄膜的克尔回线 ;并研究了薄膜成份对其磁光性能的影响 ,比较不同稀土元素的掺杂效果。结果表明 ,在TbFeCo薄膜中掺入一定量的轻稀土元素 ,可改善薄膜的磁光性能 ,提高薄膜的本征克尔角、矫顽力和矩形度。其中 ,Nd掺杂的效果最好 ,掺杂后 ,薄膜的磁光克尔角可达 0 .4 7° ,矫顽力可达 3.4× 10 5A/m。     

磁光调制法测GdBiIG单晶法拉第旋转谱

本文以Ｂｉ２Ｏ３为主要助熔剂，用离子替代技术，成功地生长出了ＧｄＢｉＩＧ单晶，并用磁光调制倍频法测得其近红外波段（０．７－１．７μｍ）磁光法拉第旋转谱。同其它的几种测量方法相比，该方法基本上排除了光源幅度变化和被测样的透射率大小等因素对测量结果的影响，明显地提高了测量信噪比。     

太阳能贮光薄膜的光物理过程

首先艇电磁场理论分析光学导纳和光的偏振问题,然后讨论光波入射到贮光薄膜上时,光的反射和透射问题,从而得到贮光薄膜所能吸收的太阳辐射能量;最后探讨ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ贮光薄膜的贮光原理,并给出该贮光薄膜的发射光谱曲线,证明利用光致发光方法的贮能效率高于利用光电、光热转换方法的贮能效率。     

XPS谱在磁光介质可靠性分析中的应用

通过对单层结构和多层结构的磁光记录介质TbFeCo在常温环境气氛条件和高温加速应力条件下的可靠性对比实验,以及对组成元素的XPS光电子能谱分析,证明了只有经过多层结构保护处理的磁光记录介质才具有高的稳定性。     

硅基双层薄膜谐振器的数学模型及优化设计

研究了用工业ＩＣ技术和微细加工技术制造的硅基双层薄膜谐振器的工作机理，并建立了数学模型。对薄膜谐振效率、振幅及声产生效率与薄膜厚度、初始应力的关系进行了理论分析和计算，理论曲线与实验结果符合得很好。最后，给出了电热激励薄膜谐振器的优化设计方法。