电子化学品

迅天宇提纯高纯度多晶硅技术成功实现产业化由迅天宇科技有限公司研发的物理法提纯高纯度多晶硅技术成功实现产业化,这一技术不仅打破了国内太阳能产业的高能耗瓶颈,还首次实现出口,确立了中国在世界光伏产业链上的地位。其生产的99.9999%以上纯度的太阳能电池硅产品的生产成本     

集成电路用电子级多晶硅大规模产业化技术实践

国内高端电子级多晶硅长期被国外垄断,理论研究和产业化实现都与国外存在差距,严重威胁了集成电路行业的安全发展.江苏鑫华半导体通过在超痕量杂质提纯技术、非接触硅料精制技术等瓶颈问题的突破,成功构建了5000 t/a电子级多晶硅生产体系,在高等级硅料产品实现、新工艺体系构建、高效产品评价等方面填补国内空白,达到了国际领军企业...     

碱刻蚀制备金字塔条件对多晶黑硅性能的影响

讨论了不同条件下多晶硅片的表面碱刻蚀工艺,并通过失重率、扫描电镜、紫外可见近红外光谱仪,对刻蚀后的多晶硅片以及后续制备的多晶黑硅进行系统的表征。研究结果表明,多晶硅表面碱刻蚀的最佳工艺为:刻蚀时间240s,刻蚀温度80℃,氢氧化钾溶液浓度67.2g·L～(-1),碱刻蚀添加剂A为5m L·L～(-1)。采用该工艺处理后,硅片的平均失重率为2.737%,表面金字塔颗粒分布密集且大小均匀,制备成多晶黑硅后,对波长为600～1000nm光的反射率低至20%。     

中硅高科年产2000吨多晶硅项目通过国家验收

截至10月30日,建成并连续稳定试运行365天的洛阳中硅高科技有限公司年产2000吨多晶硅高技术产业化项目,已经生产出1016.7吨多晶硅,其中50%为电子级多晶硅。昨日,该项目顺利通过国家发改委委托的专家组验收。     

电子级多晶硅酸洗过程分析及经济成本论证

电子级多晶硅材料是集成电路产业链中一个极为重要的基础材料,是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料,是信息产业最基础的原材料。电子级多晶硅表面金属杂质含量的高低对单晶硅的制备以及晶圆片良品率的高低有着密切的关系,因而通过硅块酸洗来控制多晶硅的表面金属杂质含量对多晶硅的品质提升有着至关重要的影响。目前,我国在电子级多晶硅酸洗方面的研究成果几乎还是空白。因此,如何使电子级多晶硅酸洗质量既满足电子级多晶硅酸洗标准又能达到酸洗最佳经济成本的目标,就是一个必须解决的课题。     

多晶硅片湿法切边背抛光对转换效率的影响研究

太阳能作为一种绿色、清洁的可再生能源被广泛利用。多晶硅太阳能电池就是利用太阳能发电的产品,价格相对低廉。对湿法切边工艺参数进行研究,得出适合太阳能电池片生产线的参考工艺配方。实验采用HF、HNO_3的混合酸溶液进行多晶硅片太阳能电池湿法边缘去除即去除侧面的p-n结,背面p-n结去除同时进行背面抛光处理。结果表明,当背面反射率为28%~30%时,电池片的转换效率最佳,平均转换效率高于生产线0.05%。     

二氯二氢硅综合应用研究进展

详述了二氯二氢硅与四氯化硅进行反歧化反应制备三氯氢硅技术的研究进展,简述了二氯二氢硅在制备多晶硅、硅烷气、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜中的应用。     

多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置

一种多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置，属多晶硅铸锭炉用硅液溢流保护装置的设计和制造技术领域，丰要由带岩棉（6）的炉体（5），置于炉体（5）底部岩棉（6）上的硅液溢流承接容器（1），置于硅液溢流承接容器（1）内的衬层（2）和带控制器（4）的金属熔断丝（3）等构成。能有效防止承装硅液的坩埚在发生破裂或其它原因导致硅液溢出时，流向炉体底部的硅液在炉体底部堆积，高温硅液热能烧穿炉体钢板，使冷却水暴露在高温低压的炉内，从而引发灾难性事故的现象发生。     

太阳能硅片切割用金刚线发展评述

全面评述了太阳能硅片切割用金刚线的发展现状,规模化制造进展,主流产品及其制备工艺和性能评测方法,并对未来可能的发展趋势进行了预测。毋庸置疑,太阳能硅片切割将全面迎来金刚线切时代,而且因为光伏行业的爆炸式增长会造就极大的市场需求。国内众多企业已经顺势而上,逐步打破国外企业在金刚线制造行业的垄断地位,技术水平和产品质量也不断提升。未来呼应太阳能光伏行业的产业需求,金刚线会朝着四化方向发展。     

中硅高科多晶硅循环利用项目通过国家立项

日前,中硅高科投标的电子信息产业发展基金项目＂多晶硅生产副产物循环利用技术研发及产业化＂通过了工业和信息化部组织的专家评审由国家工信部批准立项,并获得国家专项资金支持600万元,国家专项资金已于6月29日一次拨付到位。