基于客户/服务器的用电营业系统开发

文章介绍了一种基于客户／服务器的用电营业系统。该系统以ＷＩＮＤＯＷＳＮＴ４．０为平台,采用Ｃｌｉｅｎ／Ｓｅｒｖｅｒ网络结构,在服务器端由数据库服务器——Ｓｙｂａｓｅ统一管理数据库,并利用Ｐｏｗｅｒ－Ｂｕｉｌｄｅｒ５．０开发客户端应用程序。     

SQL Server7.0数据库系统体系结构(上)

ＳＱＬＳｅｒｖｅｒ是Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ开发的基于ＳＱＬ（ＳｔｒｕｃｔｕｒｅｄＱｕｅｒｙＬａｎｇｕａｇｅ）语言、并具有客户机／服务器结构的关系型数据库管理系统。ＳＱＬＳｅｒｖｅｒ７．０数据库的物理存储结构较以前版本有很大变化,这些变化使系统性能和存储效...     

NOMA1.0系统Sybase数据库故障处理两例

ＮＯＭＡ系统的数据库部分是整个系统的核心,数据库出了问题系统无法正常运作,甚至会危及到各交换局的通信终端。作为系统维护人员,我在工作中碰到过几次数据库方面的问题,在此总结一下,与大家共同探讨。本系统服务器是用的是ＨＰ＿ＵＮＩＸ１０．０,Ｓｙｂａｓｅ的版本是１１．０．３．３。故障一现象:整个系统反应极慢,告警板偶尔能弹出告警,话务基本不能入库。在前台机观察进程,发现话务入库、告警入库进程运行极慢。清理日志空间也无效。由于几天前刚备份过数据,故可以排除记录库满的可能性。查看数据库服务器的／ｕ／ｓｙｂａｓｅ／ｉ…     

基于蜂窝式信息包无线数据（CDPD）网的交通管理系统

介绍一种在ＣＤＰＤ网络上应用的客户／服务器模式交通管理系统,该系统以Ｗｉｎｄｏｗｓ ＮＴ Ｓｅｒｖｅｒ／Ｗｉｎｄｏｗｓ９５为平台。服务器端使用Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ ＳＱＬ Ｓｅｒｖｅｒ数据库进行统一数据管理;利用开放数据库连接（ＯＤＢＣ）及Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ５．０开发客户端应用程序。     

用Delphi3.0编制企业设备管理软件

叙述了在局域网环境中采用客户机／服务器方式,以ＳＱＬＳＥＲＶＥＲ６．０为网络数据库,用Ｄｅｌｐｈｉ３．０编制新三星集团设备管理前端软件的方法及设备管理中应注意的问题。     

用Delphi3.0编制企业设备管理软件

叙述了局域网环境中采用客户机／服务器方式，以ＳＱＬＳＥＲＶＥＲ６．０为网络数据库，用Ｄｅｌｐｈｉ３．０编制新三星集团设备管理有前端软件的方法及设备管理中应注意的问题。     

基于C／S结构的实时数据库管理系统CS—RTDMS

介绍了一种基于客户／服务器结构的实时数据库管理系统－ＣＳ－ＲＴＤＢＳＭ的设计思想,总体结构和语言处理功能,着重论术字系统实现的中的一些关键技术。     

管理信息系统网络的新结构—Client／Server

总结目前在管理信息系统中计算机局域网络和数据库的作用，介绍了新的网络体系结构－客户／服务器（Ｃｌｉｅｎｔ／Ｓｅｒｖｅｒ）的基本概念和特点，并以实例形式说明了建立一个Ｃｌｉｅｎｔ／Ｓｅｒｖｅｒ结构系统时应注意的三个问题。     

Si基Ge0.85Si0.15异质光电二极管

采用低温生长缓冲层,高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层,以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ,峰值波长位于１．０６μｍ,暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ）,在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。     

层叠结构的Si0.65Ge0.35/Si红外探测器的微结构研究

采用定位的横断面透射电子显微术观察Ｐ＾＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构。该器件光敏区由６层Ｐ＋－Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３６和５层ＵＤ－Ｓｉ层组成,每层都比较平整,各层厚度分别为６ｎｍ和３２ｎｍ,在Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ界面处存在应力场,但未到晶体缺陷,非晶ＳｉＯ２台阶上的Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和ＵＤ－Ｓｉ层是波浪状的多晶层,光敏区的边界处存在小于     

Sybase阈值管理的应用

贵州省铜仁地区本地电话网网管系统ＮＯＭＡ２．０采用Ｃｌｉｅｎｔ／Ｓｅｒｖｅｒ结构 ,服务器的操作系统为Ｓｏｌａｒｉｓ２．６,数据库系统为ＳｙｂａｓｅＳＱＬＳｅｒｖｅｒｓｙｓｔｅｍ１１,以ＳＱＬ实现开放性分布式管理。日常工作中需要对多个用户数据库进行管理和维护 ,尤其是动态库中的话务库 (Ｔｒａｆｆｉｃｄｂ)、各交换机告警库 (Ｓ１２４０ａｌｍｄｂ、ＺＸＪ１０ａｌｍｄｂ、ＨＪＤ０４ａｌｍｄｂ)和告警库 (ａｌａｒｍｄｂ)增长迅速 ,若任其增长 ,最终必将导致整个数据库空间爆满 ,使后续事务被挂起 ,影响本地网管后台的…     

新型AI金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验，得到其中值寿命相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

Ge0.4Si0.6／Si多量子阱与Ｇe／Si周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为Ｅｃ－０．２２ｅＶ,并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ,在Ｇｅ／     

高温对GexSi1—x／Si

用ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ亚稳材料在高温下制作了光波导，它的传输损耗为０．８ｄＢ／ｃｍ，比低温工艺的０．５ｄＢ／ｃｍ稍大。并发现ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ材料的大量失配位错的一些有趣的现象。     

Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验

设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。     

P埋层技术研究

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品中深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为ＥＣ－０．２２ｅＶ．并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失观测到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ．在Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格中,深中心Ｈ１的能级位置为ＥＶ＋０．４４ｅＶ,深中心Ｈ２的能级位置为ＥＶ＋０．２４ｅＶ     

高温对Ge_xSi_(1-x)/Si光波导及材料的影响

用ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ亚稳材料在高温下制作了光波导，它的传输损耗为０．８ｄＢ／ｃｍ，比低温工艺的０．５ｄＢ／ｃｍ稍大。并发现ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ材料的大量失配位错和一些有趣的现象。     

1.55μmSi_(1-x)Ge_x/Si光开关与光探测器集成的分析及设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导开关和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光开关，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为３，８．５和２．６μｍ，分支角为５～６°。要实现对１．５５μｍ波长光的开关作用，ｐｎ＋结上所需加的正向偏压值应为０．９７Ｖ；（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５和１７ｎｍＳｉ交替组成厚度为５５０ｎｍ，长度约为１．５～２ｍｍ的超晶格，内量子效率达８０％以上。