ML13型硅力敏应变片的研制

半导体应变片是一种新型的力敏元件。本文阐述了扩散硅力敏应变片的设计依据。据此,设计与制造出灵敏系数大于80、受力截面小于0.009mm~2的ML13型硅力敏应变片。通过性能测试,实际指标与设计指标吻合,满足了技术指标的要求。本产品达到了批量生产与实际应用的阶段。     

新型硅基MOS力敏传感器的设计与制作

随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求,力敏传感器再次成为研究的热点.压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选.研究表明,在应力作用下,MC6晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化,具有类似压敏电阻的力敏效应.基于MC6晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器.该器件在与传统的压阻式力敏传感器相比,一方面继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,另一方面大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高.     

基于X型力敏器件的俯冲高度传感器

研制了一种基于X型力敏器件的飞机俯冲高度传感器 ,利用差分运算放大器解决了力敏器件定高度差小信号连续量输出存在的问题     

基于SOI的硅微谐振式压力传感器芯片制作

采用SOI硅片,基于MEMS技术,设计并加工了一种新型三明治结构的硅微谐振式压力传感器,根据传感器敏感单元的结构设计,制定了相应的制备工艺步骤,并且针对湿法深刻蚀过程中谐振子的刻蚀保护等问题,提出了一种基于氮化硅、氧化硅和氮化硅三层薄膜的保护工艺,实验表明,在采用三层薄膜保护工艺下进行湿法刻蚀10 h后,谐振子被完全释放,三层薄膜保护工艺对要求采用湿法刻蚀镂空释放可动结构具有较高的实用价值。最后对加工完成的谐振式压力传感器进行了初步的性能测试,结果表明,在标准大气压力下谐振子的固有频率为9.932 kHz,品质因数为34。     

HTS1型集成温度传感器的高测量精度应用

HTS1型集成温度传感器是输出与温度呈线性关系的电流源集成电路,具有很高的动态阻抗,其输出信号与导线电阻等无关,可用于对温度的远距离测量与控制.该传器线性度好,无需校正,且在电路中可浮置,使用十分方便,可直接与A/D转换器配接构成数字温度计,亦可方便的同微处理器接口.此外,因其起始电压低,可在低电源电压下工作,适于袖珍和便携式仪器.     

一种基于双E型膜片的微小六维力传感器的设计

基于双E型膜片结构的六维力传感器用于常规环境下的机器人操作已有成熟应用,探讨将该结构应用于微纳环境下的机器人操作的可能性。首先介绍了该弹性体结构的测力原理,并用有限元分析软件对弹性体的静态和动态特性进行了仿真。结果表明此种结构的六维力传感器可在微纳环境下测力,并具有各向灵敏度高、线形好、维间耦合小等优点。