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在生长Fe∶LiNbO3熔体中掺进摩尔分数x(Ru2O3) =0.1%和x(MgO)=1%、3%、7%,用提拉法生长镁钌铁铌酸锂(Mg ∶ Ru∶Fe∶LiNbO3)晶体.通过二波耦合光路,分别以红光(632.8 nm)、绿光(532 nm)和蓝光(476 nm)为光源测量晶体的全息存储性能.实验结果表明,在476 nm下,Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能随着Mg离子掺杂浓度的增加而呈现逐渐增强的趋势,与其在红光和绿光下不同.研究了Mg离子掺杂浓度的增加使Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体的蓝光全息存储性能增强的机理. 相似文献
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Zr:Fe:LiNbO3晶体全息存储性能的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
生长并测试了Zr∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变损伤阈值及全息存储性能。研究发现,6%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体抗光折变损伤阈值比Fe∶LiNbO3晶体高1个数量级,红外光谱中OH-吸收峰也从Fe∶LiNbO3晶体的3 483 cm-1移到3 488 cm-1。其全息存储性能除衍射效率比Fe∶LiNbO3晶体轻微下降外,写入时间、擦除时间和光折变灵敏度皆优于Fe∶LiNbO3晶体,尤其是其中2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体的动态范围比Fe∶LiNbO3晶体高2.5倍,用2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体作为全息存储介质,实现了晶体中一个公共体积中1 000幅数字图像体全息图的存储与恢复。 相似文献
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在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe^2 /Fe^3 和抗光致散射杂质离子Mg^2 ,以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg^2 浓度达到阈值浓度,Mg(6%):Fe∶LiNbO3晶体OH^-吸收峰由3482cm^-1移到3529cm^-1,测试晶体的位相共轭反射率和响应时间,计算光电导。Mg(6%):Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。 相似文献
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为了测试Zr:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变阈值、位相共轭和全息关联存储性能,采用Czochralski方法生长Zr:Fe:LiNbO3晶体。通过实验得出Zr:Fe:LiNbO3晶体红外光谱对应的OH-吸收峰移到3488cm-1;随着Zr4+摩尔分数的增加,Zr(摩尔分数xZr=0.06):Fe:LiNbO3晶体抗光折变阈值比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级以上,且晶体的位相共轭响应速度增加,而位相共轭反射率有所下降,Zr(xZr=0.02):Fe:LiNbO3晶体响应速度比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级;另外,以Zr(xZr=0.04):Fe(质量分数wFe=0.0003):LiNbO3作为存储介质,Zr(xZr=0.06):Fe(wFe=0.0003):LiNbO3晶体作为位相共轭镜,进行全息关联存储实验,在输出平面上接收到较完整的存储图像。结果表明,Zr:Fe:LiNbO3晶体具有强的抗光折变能力与优良的关联存储性能。 相似文献
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在Ce:Fe:LN中掺进不同摩尔分数(0,2%,4%,6%)的MgO首次以提拉法生长Mg:Ce:Fe:LN晶体,并对晶体进行极化、氧化和还原处理。测试晶体的吸收光谱和光损伤阈值。Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收光谱吸收边相对Ce:Fe:LN晶体发生紫移。Mg:Ce:Fe:LN晶体光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体增大,研究了Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收边移动机理和光损伤阈值增加机理。采用4波混频光路测试Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率和响应时间,Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率相对Ce:Fe:LN晶体降低,但响应速度增加。以x(Mg)2%(摩尔分数):Ce:Fe:LN晶体位相共轭镜消除信号光波的位相畸变。 相似文献
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LiNbO_3∶Fe∶Ni晶体非挥发全息存储研究 总被引:1,自引:2,他引:1
采用三种不同的双光记录方案进行了LiNbO3∶Fe∶Ni晶体全息存储实验,详细研究了饱和衍射效率、固定衍射效率、动态范围和记录灵敏度,以及退火条件对记录的影响。结果表明,氧化LiNbO3∶Fe∶Ni晶体的饱和衍射效率、固定衍射效率和记录灵敏度比其他报道的双掺杂LiNbO3晶体高。结合掺杂能级图,理论分析了LiNbO3双掺杂晶体深陷阱中心能级的相对位置及其微观光学参量对全息记录性能的影响。LiNbO3∶Fe∶Ni晶体有望成为一种新的高效率非挥发全息存储材料。 相似文献
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研究了双掺LiNbO3晶体(LiNbO3:0.02wt%Fe,2 mol% Zn)常温和低温下的扇形光散射噪音。结果显示,LiNbO3:Fe,Zn晶体中的扇形噪音随时间的演化过程依赖于样品温度。在300-240K,扇形噪音强度经过一定时间达到极大值后将出现不同程度的减弱,减弱程度随温度的降低而减小;而在240~100K。扇形噪音强度在达到极大后不再出现明显的减弱现象。通过全息记录实验发现,不同温度下LiNbO3:Fe,Zn晶体中的扇形噪音对全息记录效果的影响基本相同。 相似文献
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以双中心模型为基础,研究了同成份和近化学比掺铁铌酸锂晶体在稳态情况下的非挥发双色二步全息存储性能.通过比较在相同记录条件下同成份(锂的摩尔浓度为48.5%)与近化学比(锂的摩尔浓度为49.5%)掺铁铌酸锂的总空间电荷场的大小可以看到,在连续光所能达到的光强范围内,近化学比LiNbO3:Fe的总空间电荷场明显大于同成份LiNbO3:Fe的总空间电荷场.但是在高光强下,同成份与近化学比LiNbO3:Fe都可以达到106V/m量级的光致空间电荷场. 相似文献
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Mg:Fe:LinbO_3晶体光折变增强效应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在铌酸锂晶体中掺MgO和Fe2O3,生长出Mg:Fe:LiNbO3晶体.由于薄晶片的光爬行效应,晶体的二波耦合指数增益系数高达80cm-1,且角度响应范围加宽,响应速度和抗光散射能力都比Fe:LiNbO3有较大改善.以Mg:Fe:LiNbO3晶体作光放大器,实现了一次迭代全息关联存储. 相似文献
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报道了光折变LiNbO_3:Fe晶体中双光束耦合和四波混频的脉动现象。认为这种脉动现象起因于LiNbO_3:Fe晶体中的陷阱重复荷电波在光折变材料中感应出的运动折射率光栅。 相似文献
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LiNbO3:Fe:Cu中角度复用的双色全息存储研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用365nm的门光束和633nm的记录光,在LiNbO3:Fe:Cu(Fe:0.15%;Cu:0.01%)晶体中实现了20幅全息光栅的双色复用记录和固定,平均固定效率达到79%,在5.0mm厚的晶体中固定后的动态范围M/#为1.50。实验研究了门光束光强、记录光与门光束的光强比对双色复用存储性能的影响,结果表明,增大门光束光强、减小记录光与门光束的光强比,有利于提高双色记录的复用全息图的平均固定效率以及动态范围;而增大记录光与门光束的光强比,可以提高双色记录灵敏度。 相似文献