Si-SiN界面应力

本文以用 PECVD 法在硅衬底上淀积的氮化硅薄膜为研究对象,研究了薄膜应力与淀积条件之间的相互关系,给出薄膜应力的一种测量方法,并且对薄膜应力的形成机理进行了一些探讨。研究表明:本系统淀积的氮化硅薄膜应力是 Si-SiN 界面应力,它由热应力和本征应力合成。当膜厚达0.2～0.4μm 范围时,应力最小,随膜厚增加,应力形式由压应力转化为张应力,数量级在10~8Pa 左右。     

氮化硅—硅界面陷阱的研究

本文对SiH_4-N_2系PECVD氮化硅-硅界面陷阱进行了研究.结果表明:MNS结构的C-V特性有滞后效应,滞后宽度随测试条件而变化;界面陷阱密度随淀积条件变化。     

激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究

用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响，为最佳淀积条件的选取提供了理论依据论。     

激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究

用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式.分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响,为最佳淀积条件的选取提供了理论依据.     

光CVD-SiO_2薄膜的研究

本文论述了光化学气相淀积(光CVD)SiO_2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO_2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果表明:光CVD技术在半导体低温化工艺中将很有前途。     

PECVD淀积工艺及室温NO_x气体传感器

本文介绍了用PECVD技术淀积NO_x敏感的工艺,并对典型工艺参数条件进行了讨论。我们淀积的这种NO_x敏感膜,不仅在旁热情况下对NO_x敏感,而且在室温条件下也能对NO_x气体敏感。最后,我们对室温NO_x气体传感器的一些重要性能指标进行了研究。     

PECVD淀积工艺及室温NOx气体传感器

本文介绍了用PECVD技术淀积NOx敏感的工艺，并对典型工艺参数条件进行了讨论，我们淀积的这种NOx敏感膜，不仅在旁热情况下对NOx敏感，而且在室温条件下也能对NOx气体敏感，最后，我们对室温NOx气体传感器的一些重要性能指标进行了研究。     

弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真

基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。     

PECVD MNS结构电特性的研究

对等离子化学气相淀积的氮化硅薄膜电特性进行了研究。在高电场范围,电传导主要是由Pool-Frenkel发射机构引起的。SiN薄膜的介电强度为5.2×10~6 V/cm。利用MNS电容器的平带电压,计算得界面态密度为3.1×10~(12)/cm~2·eV。     

多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响

本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响，通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜，经硼离子注入掺杂，杂质浓度均为10∧25/m∧3用X射线衍射法在分析了薄膜晶体结构，悬梁实验测出薄膜应变系数GF随淀积温度和膜厚的变化，理论分析表明，GF不仅随晶粒度单调增加，而且与织构情况密切相关，不同织构压阻效应大小不同，<100>结构对薄膜压阻效应影响很大，理论结果较好地解释了薄膜GF与淀积温度和膜厚的实验曲线。     

LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究

SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .     

准分子激光淀积氧化物薄膜

自1987年贝尔实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以来,脉冲激光淀积技术已得到了蓬勃发展,现在已成为最好的薄膜制备技术之一。本文简要介绍了准分子激光的原理、PLD的原理以及用准分子激光脉冲淀积氧化物薄膜的工艺及其所表现的诸多优势。     

高密度等离子体淀积工艺对颗粒度的影响

高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的最大问题.针对集成电路量产工艺中频繁出现的HDP颗粒问题,通过分析HDP淀积颗粒成分,发现其中含有非反应气体成分氟(F)和铝(Al).利用等离子体中的氧离子修复工艺设备的腔室穹顶,降低由于预淀积薄膜黏附不足而造成剥离性颗粒;研发出氧气(O_2)钝化工艺,应用于硅片淀积间隙的腔室原位清洗工艺;通过实验设计,分析和优化O_2钝化的具体工艺条件.研究表明,将优化后的带有O_2钝化的原位清洗工艺方案应用于集成电路实际量产制造,HDP工艺的颗粒水平整体降低50%.     

从粒子输运研究靶的溅射与中毒

从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度。模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构参数表达的,对薄膜材料的溅射淀积技术具有重要的应用价值。     

硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术

用常压化学气相淀积法在（１００）Ｓｉ衬底上异质外延生长了３Ｃ－ＳｉＣ薄膜。为减小３Ｃ－ＳｉＣ与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓支的最佳条件。测量结果表明,１３００℃下在Ｓｉ℃衬底缓冲层上可以获得３Ｃ－ＳｉＣ单晶。     

氮化硅钝化膜中氢的作用

利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的氢浓度对MOS结构界面态影响较小,这主要是在淀积过程中,进入SiO_2层中的氢元素较少的缘故。钝化改善了CMOS器件的性能。     

磁控溅射法制备TiO_2薄膜的亲水性研究

利用磁控溅射法在不同条件下制备了玻璃基TiO_2薄膜样品,分别研究了衬底温度、工作气压、氧氩比等对TiO_2薄膜亲水性的影响,得到最佳工艺参数,并对此参数下薄膜的亲水性、均匀性、晶相等进行了表征。     

PECVD法Tisi2薄膜的制备工艺研究

本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试分析,证明采用PECVD方法制备TiSi_2薄膜的工艺是完全可行的。     

LPCVD多晶硅薄膜的晶体结构

本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温度有关,而且与膜厚有着密切的关系,1000℃以上的高温热处理具有增大晶粒度和减小薄膜在淀积过程中形成的晶粒优先取向的作用。     

LCVD制备多晶硅膜实验研究

用CWCO_2激光诱发SiH_4反应,在石英基片上淀积多晶硅膜,它的Raman谱表明,激光诱发反应时间越长,结晶度越高.SEM 结果表明,不同淀积时间,表面结构差异较大.薄厚台阶仪测出不同实验条件淀积速率变化的规律.同时,结合不同条件下控制过程的反应机制,对结果进行了定性的讨论.