压阻型压力传感器灵敏度温漂及其补偿技术

就压阻型压力传感器的灵敏度温度漂问题进行述评，分析了灵敏度温漂产生的原因并提出解决灵敏度温漂的多种补偿方法。     

油气井动态压力测试的温度补偿研究

针对油气井压力测试存在的温漂问题,进行模拟油井高温试验,得出油井压力测试存在温度漂移的结论。射孔完井在产生高压气体脉冲的同时会释放大量的热量,使得传感器的灵敏度存在很大的不确定性。为了准确地测出井下压力信号,结合井下环境和压阻传感器温度漂移现象,需要对井下压力测试进行温度补偿。根据大量的实验数据,采用软件补偿技术实现对测试的温漂补偿。     

低温漂过载加速度传感器

过载加速度传感器,是采用了最新的MEMS技术与微电子技术研制的一种新型硅压阻加速度传感器,集加速度敏感元件、信号放大、饱和控制及温度补偿等于一体,对传统的电桥放大电路和温度补偿电路进行了改进,使得传感器温漂更小且具有可编程补偿温度和增益调整等功能.     

硅压阻式压力传感器温度补偿建模与算法研究

微电子技术的发展促进了硅传感器的加工工艺水平的提高,使硅传感器获得良好的一致性、稳定性和可靠性,而半导体的温度特性使硅压力传感器的零点和灵敏度随温度而发生漂移。针对硅压阻式压力传感器这一"弱点",介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型,利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法,对补偿电阻求解,实现对温度漂移的补偿。该方法更有助于基于硅压阻式压力芯片的OEM型产品的大规模量产。     

硅压阻式压力传感器温度补偿建模与算法研究

微电子技术的发展促进了硅传感器的加工工艺水平的提高,使硅传感器获得良好的一致性、稳定性和可靠性,而半导体的温度特性使硅压力传感器的零点和灵敏度随温度而发生漂移.针对硅压阻式压力传感器这一“弱点“,介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型,利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法,对补偿电阻求解,实现对温度漂移的补偿.该方法更有助于基于硅压阻式压力芯片的OEM型产品的大规模量产.     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标。结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析。同时分析了它们对零点温漂的影响。最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率。     

硅压阻式压力传感器温度补偿建模与算法研究

微电子技术的发展促进了硅传感器的加工工艺水平的提高，使硅传感器获得良好的一致性、稳定性和可靠性，而半导体的温度特性使硅压力传感器的零点和灵敏度随温度而发生漂移。针对硅压阻式压力传感器这一“弱点”，介绍一种基于压力芯片的惠斯顿电桥建立外接电阻补偿网络的数学模型，利用MatLab优化工具箱提供的优化方法构建算法，对补偿电阻求解，实现对温度漂移的补偿。该方法更有助于基于硅压阻式压力芯片的OEM型产品的大规模量产。     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标。结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理，并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析。同时分析了它们对零点温漂的影响。最后，给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率。     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标.结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析.同时分析了它们对零点温漂的影响.最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率.     

压力传感器温度补偿的一种新方法

针对温度对硅压阻式压力传感器输出影响的问题,提出将主成分分析(PCA)与改进的反向传播(BP)神经网络相结合,用于压力传感器的温度补偿的新方法.利用PCA提取温度补偿的主要信息使多维问题得以简化,同时剔除了数据的噪声误差,且对BP神经网络进行了改进,以充分发挥其强大的泛化功能和容错能力.研究结果表明,该方法有效抑制了温...     

2万g量程压阻式加速度传感器的非线性研究

在弹体侵彻混凝土的实验过程中,由于压阻式加速度传感器具有零漂、外围电路简单、抗过载能力强等优点,成为高量程微加速度计设计的首选,因此我们采用压阻式加速度传感器,通过采用弹载存储测试技术,记录弹体膛内及侵彻过程中的实时加速度,分析了实测的加速度曲线,膛内及侵彻速度曲线,侵彻深度.发现了加速度传感器非线性问题,在马歇特锤上...     

超微型硅压阻传感器的设计构想

从单晶硅压阻式压力传感器的机芯设计、结构设计、半导体平面工艺及温度补偿等几个方面，较为全面地论述了超微型硅压阻压力传感器的设计构想。主要指出设计思路、设计原则及较为特殊的设计方法。     

硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计 ,讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上 ,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性 ,特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器 ,设计、选择了加工工艺 ,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式 ,讨论了传感器补偿电路的实现方案     

基本电子电路

TN7 00060577压阻式传感器热灵敏度漂移的变压源补偿/吴亚林,赵扬(电子部49所)#传感器技术.一2000,19(3).一38一40介绍了一种压阻式传感器灵敏度温度补偿的基本原理,并以加速度传感器为例,详细阐述了一种实用的变压源补偿电路.文中分析了整个温控电压源电路的温度特性,并给出补偿压阻系数的温度系数随温度变化的方法。图4表2参4(许)TN710.9、00060581混合信号集成电路数字PLL衬底噪声的SPICE模拟及分析/师奕兵,陈光ju,王厚军(电子科技大学)11电子科技大学学报.一2000,29(3)一273一277应用P SPICE及采用C语言自编的外部程序,对单片数…     

零点漂移的补偿方法在压力传感器中的使用

目前各行业应用的多数压力变送器是利用压阻式扩散硅压力传感器作为信号的传送环节。但由于技术等多方面限制的原因,压阻式压力传感器易受现场温度变化的影响,从而产生零点漂移。文章针对此问题进行了探讨。     

硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计,讨论了减小其温度影响的措施.文中对在相同的硅基底上,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性,特别是温度特性进行了探讨和比较.针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器,设计、选择了加工工艺,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式,讨论了传感器补偿电路的实现方案.     

硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计，讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上，采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性，特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器，设计、选择了加工工艺，给出了压敏电阻的近似温度补偿公式，讨论了传感器补偿电路的实现方案。     

硅压力传感器芯片设计分析与优化设计

用弹性力学和板壳力学理论分析了半导体硅压阻式压力传感器方形膜片的受力分布,为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据;利用有限元分析方法和借助ANSYS仿真软件,对微型硅压阻式高温压力传感器应变膜进行了一系列的分析和计算机模拟,探讨了传感器方形应变膜简化应力模型的合理性以及温度对应力差分布的影响,得到了直观可靠的结果。     

SOI高温压阻式压力传感器的设计与制备北大核心

设计并制备了一种基于绝缘体上硅（SOI）材料、量程为5Pa～1．8MPa的压阻式压力传感器。在设计方面,通过有限元分析软件和经典理论相结合分析敏感膜片的力学性能和电学性能,得到敏感膜片的尺寸和表面电势的分布;在工艺方面,设计了基于标准微电子机械系统（MEMS）工艺的制作流程;在芯片的封装方面,为保证敏感芯片与外界的电气互连,采用了引线键合工艺,同时装配温度补偿电路和信号调理电路降低了传感器的温漂,保证传感器的输出。制备后的压力传感器在温度压力复合平台进行标定和温度测试,结果显示传感器在设计量程范围内具有较好的精度并且可在-50-205℃内稳定工作。     

基于压阻式压力变送器的非线性补偿研究

介绍了压阻式传感器的测量电路、非线性误差分析及模拟补偿方法。并根据压阻式传感器的两种不同的非线性误差。提出了相应的补偿电路及使用该补偿电路校正前应注意的事项,较好的解决了对固态压阻传感器非线性特性进行校正的问题。