二层型挠性覆铜板用聚酰亚胺的研究进展

电子行业的快速发展对二层型挠性覆铜板的性能提出了更高的要求,针对以聚酰亚胺薄膜为基底材料的二层型挠性覆铜板,分别从改善粘结性能、介电性能和耐热性能3个方面综述了二层型挠性覆铜板的研究进展,并展望了二层型挠性覆铜板的研究方向。     

二层型聚酰亚胺薄膜挠性覆铜板的制备与分析

采用磁控溅射和电镀相结合的方法制备了PI/Cu挠性覆铜板并研究了不同电流密度对产品性能的影响.结果表明:电流密度越大则镀层的沉积速度越快,从而导致镀层的晶粒粗大,镀层电阻变小,附着力下降;采用该方法制备的PI/Cu挠性覆铜板镀层厚度及电阻都比较均匀.     

聚酰亚胺薄膜/超薄铜箔挠性覆铜板的研制

研究了聚酰亚胺薄膜覆以5m铜箔的挠性覆铜板的工艺和性能。研究了环氧改性丙烯酸酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)-环氧树脂、丁腈-酚醛-环氧树脂体系的胶粘剂对性能尤其是弯曲疲劳性能的影响,聚酚氧树脂改性环氧树脂胶粘剂显著提高了覆铜板的弯曲疲劳性能;研究了涂胶工艺、胶层厚度、烘焙温度和时间对半固化涂薄膜可溶性树脂含量和挥发份的影响以及它们对剥离强度、耐浮焊性和其他性能的影响。测试表明,该覆铜板具有良好的电性能、剥离强度、尺寸稳定性、耐弯曲疲劳性、环境适应性,耐浮焊性。     

二层柔性覆铜板用聚酰亚胺研究进展

简要介绍了二层柔性覆铜板的生产工艺、基体树脂配方及其性能特点,重点介绍了五类二层柔性覆铜板用的聚酰亚胺树脂即全芳香型、醚酮型、双酚(砜)A型、芳香酯型、混合型的聚酰亚胺树脂的研究进展,及其生产的二层柔性覆铜板的性能。     

环境友好型聚酰亚胺薄膜挠性覆铜板

采用端羧基丁腈橡胶(CTBN)增韧改性含磷环氧树脂,以含磷酚醛树脂和二氨基二苯砜为复合固化体系,制备不含锑和铅、汞、镉、六价铬等有害重金属的无卤阻燃型挠性覆铜板,实验结果表明,满足欧盟RoHS指令要求,具有较好的耐离子迁移性、尺寸稳定性、耐变色性和柔软性,阻燃性达到UL94 V-0级.     

环保无卤型挠性覆铜板的研究进展

介绍挠性覆铜板(FCCL)的现况及无卤化进展,重点阐述了常用的无卤环氧树脂和磷系阻燃剂的阻燃机理及其种类,并在此基础上浅述了未来的发展趋势。     

改善无胶型挠性覆铜板粘接性能的研究进展

从铜箔表面处理、聚酰亚胺薄膜表面处理与改性及其本体分子结构设计三方面综述了改善二层无胶型挠性覆铜板的研究进展,并对其进行了展望。     

一种新型挠性覆铜板用环氧胶粘剂的研究

研究了一种用于单面挠性覆铜箔板的环氧树脂胶粘剂,用该种胶粘剂粘接铜箔和聚酰亚胺薄膜制备出单面挠性覆铜箔板(FCCL)。通过测试表明,该FCCL阻燃性能、耐锡焊性能、剥离强度高、吸水率低。     

挠性覆铜板用环氧胶粘剂的咪唑固化促进剂的优选研究

分别采用2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ-CN)、2-十一烷基咪唑(C11Z)、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑(C11Z-CN)和2-十七烷基咪唑(C17Z)为促进剂,以环氧树脂(EP)/二氨基二苯砜(DDS)/丁腈橡胶(CTBN)为基本体系,制备了挠性覆铜板(FCCL)用胶粘剂。研究了各树脂体系的固化反应性和动态力学性能,并对比研究了FCCL的基本性能,确定该体系最佳促进剂为2E4MZ-CN。     

挠性覆铜板用磷-氮系膨胀型阻燃剂的合成研究

综述了近年来膨胀型阻燃剂的合成研究进展,并对膨胀型阻燃剂在挠性覆铜板中的应用前景进行了展望。膨胀型阻燃剂集酸源、碳源、气源于一体,具有独特的阻燃机理,即使低的添加量也可达到良好的阻燃效果,具有热稳定性和耐候性好、低烟、低毒等特点,是无卤阻燃技术领域的一个重要发展方向。     

一种含砜基聚酰亚胺在两层挠性覆铜板中的应用

将一种含砜基芳香杂环二胺(DAMI)分别与均苯四酸二酐(PMDA)、3,3’,4,4’-联苯四酸二酐(BPDA)、3,3’,4,4’-二苯酮四酸二酐(BTDA)合成聚酰胺酸,经过热亚胺化制得聚酰亚胺,并将其应用于两层挠性覆铜板。对聚酰亚胺进行热学和力学性能测试,对两层挠性覆铜板进行剥离强度测试。结果表明:合成的聚酰亚胺的拉伸强度均大于90 MPa,玻璃化转变温度均在230℃以上;制备的两层挠性覆铜板剥离强度良好,聚酰亚胺与铜箔之间接触良好。     

橡胶体系铜箔胶的研制

对羧基丁腈橡胶体系铜箔胶粘剂的配方进行了实验研究,测试了其剥离强度、耐浸焊性等,分析了影响橡胶体系铜箔胶粘剂性能的因素,结果表明:体系中羧基丁腈橡胶用量为40%,改性酚醛树脂为10%～15%,环氧树脂加入量为30%,改性BMI加入量为10%～20%,其胶粘剂综合性能最好。     

IC封装用覆铜板的研究

研制了一种改性双马来酰亚胺树脂体系覆铜板(CCL),结果表明:制成的覆铜板具有玻璃化温度高、热膨胀系数小、模量高、介电常数低等优异的综合性能,可满足封装领域的技术需要,应用前景广阔。