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R.P.Vasquez 《激光与红外》1985,(3)
实验为研制不同的界面层来构成MIS结构,制作了若干InSb(?)样品用以代表不同工艺阶段。经标准的清洗后得到了具有天然氧化层的样品。采用立式反应器进行低温化学汽相淀积,在上述样品上淀积了260(?)SiO_2层。淀积时,氧和硅烷(N_2作输运气体)在220℃下在靠近样品处混合,从而只在样品表面上形成SiO_2。对被有氧化层的样品用化学法进行纵向剥蚀,以检测其成份和结构的差异。 相似文献
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在无汞敏化的条件下,采用能发射高能光子的氘灯直接照射激活的方法,进行了在低温光—CVD生长SiO_2薄膜的尝试。业已证实,在衬底温度为84℃时薄膜已开始生长,但要获得高质量薄膜,衬底温度需高于170℃。在170℃左右薄膜的淀积速率约为100(?)/min。折射率为1.44~1.46。在衬底温度高于175℃时,用这种方法淀积的薄膜没有出现与红外吸收峰有关的Si—H键。在相同温度下用热—CVD法淀积的膜有红外吸收峰。 相似文献
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化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。 相似文献
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本文介绍了一种生长磷硅玻璃(PSG)的新方法,即等离子体化学汽相淀积(PCVD),给出了一些基本试验数据,并与一般采用的常规CVD工艺作了对比. 相似文献
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本文叙述了应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,对InSb光伏器件的表面进行钝化。实验中采用正交实验的方法,选择了射频功率、反应气体的流量比、衬底温度等三种工艺因素,及其三个位级的变化所引起的对锑化铟器件上淀积的二氧化硅钝化膜的物理、化 相似文献
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CVD 技术是半导体器件和电路制造中应用最广泛的重要技术之一,本文首先阐述了薄膜 CVD 技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了 CVD技术从常压 CVD 向低压 CVD 和等离子体激活 CVD 技术的新发展,最后对各种 CVD 技术进行了比较。 相似文献
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用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函数进行了研究。得到比用化学汽相淀积制作的纯Ti膜大两个数量级的淀积速率(190μm/h)。另外,用俄歇电子谱、扫描电 相似文献
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新工艺和设备以及原有工艺规程的高可靠性都愈来愈强调采用CVD加工方法;许多市场上可买到的系统的处理能力是非常灵活的。 相似文献
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