银纳米线柔性透明导电薄膜的可控制备和光、电性能

柔性电子学的高速发展,亟需开发新型高透光率、低电阻的的柔性透明导电薄膜。首先在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)存在下,用乙二醇还原硝酸银法合成了银纳米线,并采用氯化铁(FeCl3)调节纳米线的直径和长径比,获得了直径为100nm、长度为47μm、分散均匀的银纳米线。然后将银纳米线沉积在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上形成银纳米线导电薄膜,研究了银纳米线沉积密度和直径对导电薄膜透光率和方阻的影响规律。研究发现,随着纳米线沉积密度的增加,导电薄膜的透过率和方阻都降低,但其品质系数(F.O.M.)增加,最高可达410。当导电薄膜的透光率为80%时,银纳米线直径为35和70nm的体系具有较低方阻,约132Ω/□。而且,该导电薄膜还表现出良好的耐弯曲性能。     

合成温度对C/C复合材料表面SiC纳米线制备的影响

为了提升C/C复合材料表面SiC涂层的韧性及其与基体的结合强度,以三氯甲基硅烷为前驱体,采用常压化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC纳米线,研究了不同合成温度对纳米线的物相、形貌和结构的影响。借助XRD、SEM、TEM和EDS对所制备的纳米线进行物相、形貌和结构的表征,结果表明1300℃下可制备得到较为纯净的Si C纳米线,形状平直,表面光滑,取向随机呈网状分布,直径大约为100~160 nm,长度可达几百微米;随着合成温度的不断升高,纳米线的物相逐渐由β-SiC和Si双相转变为单一的β-SiC相,其中Si相是以单晶Si纳米线的形式夹杂在SiC纳米线中;另外,纳米线的沉积速率也随着温度的升高大幅度增加,产量增多,致密性增高。     

非晶Co及CoP纳米阵列的制备及研究

采用交流电化学沉积法,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板孔洞中成功制备出直径50nm的Co纳米线阵列.采用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观察了样品的微观形貌结构.结果显示,阵列中纳米线均匀有序,形状各向异性较大,其晶体结构为非晶.在沉积Co纳米线阵列的电解液中添加一定的还原剂(NaH2PO2·H2O),制备出非晶CoP纳米阵列,由TEM观察可知,阵列形貌发生变化,沉积产物为离散的纳米粒子而非纳米线.探讨了交流电沉积纳米阵列的生长机理.     

脉冲电压沉积制备金属Ni纳米线阵列及磁性能

以硫酸溶液为电解质,采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜,孔径为20nm,孔间距为50nm左右,孔洞密度为4.5×1010个/cm2.以此多孔膜为模板,以脉冲信号为沉积电压制备了金属Ni纳米线阵列,单根纳米线直径为15～20nm,择优取向为Ni(220)晶面.磁滞回线结果表明垂直于膜面的方向为易磁化方向,当磁场垂直于膜面时,矩形比高达90.5%,矫顽力为63.84kA/m.     

钴、镍纳米线及其异质结的制备与磁性研究

采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备了单晶钴、镍纳米线阵列和镍/钴纳米线异质结阵列.分别用场发射扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪、物理性能测试系统对纳米线阵列的微观形貌、结构和性能进行了表征与研究.结果表明,所制备的磁性纳米线有很大的长径比,易磁化方向均为纳米线长轴方向.纳米线异质结阵列在易磁化方向具有较大的矫顽力和矩形比,可用作高密度垂直磁记录材料.     

铜纳米线阵列显微结构的表征和控制

采用多孔氧化铝(AAO)模板脉冲电沉积法制备了强辐射源用铜纳米线阵列材料,并用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对其进行了结构袁征.结果表明电沉积的峰值电流强度和辅助阴极可以影响铜纳米线的表面质量、长度分布均匀性和微区长度起伏.减小峰值电流强度,可以明显改善单根铜纳米线的表面质量,但是对铜纳...     

制备条件对金属纳米线阵列磁性的影响

用电化学沉积方法在多孔Al2O3模板的孔道中制备了平均直径约为200 nm,长为60μm的磁性金属纳米线有序阵列. 电沉积电流密度较小时,制得的样品有较大的剩磁比和较强的矫顽力,并分别在 θ=90°和 30°达到极大值. 随着电流密度的增加,剩磁比和矫顽力降低. 在电沉积过程中外加磁场对磁晶的取向产生重大影响,导致磁性金属纳米线有序阵列的矫顽力和剩磁比发生相应的变化.     

脉冲电沉积法制备纳米材料的研究进展

纳米材料具有特殊的磁性、光学、力学、电学、电化学催化等性能,而脉冲电沉积技术在制备纳米材料方面应用广泛且优点多.着重列举了脉冲电沉积技术在制备纳米晶材料、纳米复合材料、纳米析氢材料、纳米金属薄膜及纳米金属多层膜、纳米线材料等方面的应用,总结了纳米材料的一些特点,展望了脉冲电沉积技术制备纳米材料的前景.     

不同结构镍纳米线阵列的制备及其磁性

采用直流电沉积在多孔有序氧化铝模板中制备了不同结构的有序镍纳米线阵列。采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对所制备的镍纳米线的形貌和结构进行了表征。研究了镍纳米线不同结构对镍纳米线阵列磁性性能的影响规律。当电沉积电压为2.5V时制备的镍纳米线为多晶结构;电沉积电压4V时,镍纳米线为沿[220]择优取向的单晶结构;电沉积电压大于5V时,择优取向由[220]转为[111]方向。磁滞回线结果表明,单晶镍纳米线阵列与多晶纳米线阵列相比具有更高的矩形度,沿[111]择优取向的单晶纳米线相比沿[220]取向的单晶镍纳米线具有更大的矩形度,表现出显著的磁各向异性。     

基于碳纳米管模板的氮化镓纳米线束合成

通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束.对所生长的纳米结构进行了扫描电镜和X射线能谱分析,结果显示氮化镓纳米晶体可以与碳纳米管形成纳米线束状复合物.纳米线束状复合物直径为100～200 nm,长度为1.5～2.5μm,纳米线的两端呈现尖角状.由于氨气很容易吸附在碳纳米管表面,可知所获得的纳米结构的初始生长机制为碳纳米管的表面氮化.该研究也证明金属有机物化学气相沉积将是用于制造化合物纳米结构材料的一项有效的技术.