光敏三极管光电特性

给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型，在一维条件下得到理想光敏三极管的电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性，可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工作状态下光电流的计算结果与实验值符合较好。同时，利用所得结果对近年报道的“注入光敏器件”进行了分析讨论，指出“注入光敏器件”是光敏三极管诸多工作状态中的一种，且这种工作方式的器件的灵敏     

静电感应晶体管的静态Ⅰ—Ⅴ特性

静电感应晶体管表现为势垒温度限制工作状态和类真空三极管的输出特性。决定器件特性的电势分布图中具有一个势垒,此势垒由于栅压和漏压的变化产生的负反馈而自动进行调整。势垒不存在时,导致了器件的空间电荷限制工作状态。在前一种情况,通过势垒电流和所加的端电压成指数关系,而在后一种情况,通过放大作用,电流同所加端电压成渐近线的比例关系。静态特性的温度效应表明,静电感应晶体管可以设计成输出特性与温度效应有关和与温度效应无关两种情况,或者通过适当选择工作状态,使温度效应被抵消。     

电子线路学习方法(十一) 第五讲 三极管电路分析方法(上)

<正> 一、三极管电路等效理解方法三极管有三个引脚,在进行电阻等效理解时主要等效集电极与发射极之间的内阻,其他引脚之间的等效分析比较少。1.集电极与发射极之间内阻等效电路方法分析一些三极管控制电路中,需要将三极管集电极与发射极之间的内阻进行等效,如图1所示是三极管三种工作状态下的集电极与发射极之间内阻等效电路。(1)截止状态下等效电路。当三极管截止时,它的集电极与发射极之间内阻很大,许多电路分析中可以认为三极管集电极与发射极之间为开路状态。     

三极管在振荡电路中的另类接法

通过实验以8050和8550三极管为研究对象,测试了NPN型和PNP型三极管的不同接法。通过数据分析,在振荡电路中,当三极管工作在开关状态时,不论NPN型还是PNP型三极管其集电极和发射极可以互换,并且PNP型三极管只有在有基极电流的情况才能处于饱和导通状态,纠正了许多教材中关于集电极和发射极绝对不可以互换的错误观点,提供了三极管在振荡电路及其他作为开关使用的电路新的接法。     

新功能光半导体件器——“激光晶体三极管”

最近,日本松下电器产业中央研究所试制了一种划时代的新结构半导体激光器,它具有工作速度高,可以开关两束激光等以往没有过的新功能。该研究所已成功地确认了它的基本工作状态。新结构半导体激光器,把以往的二极管结构改变成异质结双极性晶体三极管结构,而且晶体三极管的基极是由两个独立的电极构成的。因此,相对于以往的半导体激光器称为激光二极管,可以称该器件为激光晶体三极管。     

浅谈“三极管放大电路的研究”

本文通过＂模拟电子技术实验＂中一个典型的三极管放大电路,测量了电路参数。笔者从实验的角度探讨了将三极管发射极与集电极反接时电路的状态,并从三极管的内部结构入手,从理论角度分析了实验结果。通过这个实例的实践与分析讨论,我们可以更加深入理解三极管的工作原理,掌握三极管在实际电路中的使用方法。     

光控式语音防盗报警器

该防盗报警器利用环境光线突变来触发工作,具有电路简单、灵敏可靠、耗电省等特点。当其前方2m范围内有人或物体经过时,它便发出响亮的“不好啦!小偷偷东西了,快来抓小偷呀!”报警声。一、工作原理光控式语音防盗报警器的电路如图1所示。光敏三极管VT1、三极管VT2等构成光控式触发开关,语音集成电路A(HL-169B)和功率放大三极管VT3等构成语音发生器。接通电源开关SA,电路处于静态工作状态。此时,周围     

三极管非线性放大失真特性研究

本系统依据三极管的工作特性,借助了可调电阻和模拟开关的结合,设计了一种三极管非线性放大失真研究装置。利用了STM32单片机的编程与数据处理能力,完成了对电路的控制和数据分析。研究了三极管放大电路多种失真的现象,分析每种失真的原因和正常放大的条件,实现了控制、测量、分析的一体化,并将失真波形与其THD值直观地展示。该装置简便了三极管放大特性的研究,提供了一个高效的集成自动化平台。     

电子线路学习方法(十三) 第五讲 三极管电路分析方法(下)

<正> 六、单级放大器交流电路分析方法和思路培养三极管交流工作状态是指放大信号的过程,三极管单级放大器是电路中最小的放大单元电路,它能够独立地完成对信号的放大任务,通常单级放大器电路中只使用一只三极管。一个放大系统由许多单级放大器构成,所以掌握单级放大器电路的工作原理是分析多级放大器的基础。 1、了解三种类型三极管放大器放大特性无论三极管单级放大器的具体电路形式如何变化,三极管只能构成三种独立类型的单级放大器,表2是三极管三种类型放大器特性,了解它们的特性有利于对电路工作原理的分析。 2、放大器类型判别思路和方法     

用二维计算机模拟作类三极管特性的结栅场效应晶体管的最佳设计

利用二维数字分析法研究了类三极管特性的结栅场效应晶体管(JFET)的设计准则。电流是由越过势垒进入到耗尽沟道的载流子产生的。与一般类五极管特性的FFT相比,漏电场起重要作用,它减低势垒高度,从而形成了类三极管的I-V特性。类三极管特性强烈地依赖于器件几何结构。这种工作模式只能在短栅器件中得以实现。沟道厚度α在决定器件工作模式时是极重要的参数。作为类三极管或类五极管特性的器件工作分别对应于窄沟道或宽沟道。如果运用于低阻负载直接驱动电路,那么处于类三极管和类五极管特性之间的混合特性比单纯的类三极管特性更为理想。这是因为它具有低的内阻和高的交流功率效率。栅-漏距离l_(gd)在决定击穿电压中也是很重要的参数。讨论了设计准则,并详细说明了在N_D-a和N_D-l_(gd)平面上关于类三极管特性、电路运用和击穿现象的最佳设计。发现,无需采用任何校准参数,计算和实验结果即很好的符合。本文给出的设计准则对于类三极管的设计将是有用的。     

光电耦合器伏安特性数学模型

为在电路设计中更方便和有效地使用光电耦合器,提出了光电耦合器伏安特性数学模型,目前还没有光电耦合器该方面资料.通过从理论上分析发光二极管和光电三极管的电流特性,推导出光电耦合器比较常用的光电三极管共射极工作方式的输入电压和输出电流的关系表达式,从而得到这种工作方式的伏安特性的数学模型.利用MATLAB对实验数据进行拟合...     

模拟电路实用知识讲座(2)

<正> 第二讲 晶体三极管 的工作原理 晶体三极管(以下称晶体管)是构成双极型集成电路的基本器件,它的品种虽然多种多样,但其基本结构和原理却都是有共性的。本讲介绍晶体管的基本工作原理。 1.晶体管的基本结构及工作状态 晶体管是由     

具有对数特性的放大器

利用晶体三极管的非线性特点,我们可以做出具有对数特性的放大器.在输入信号很小时放大器的增益很高,但当输入信号继续增大时放大器的增益即下降.图1为此放大器的输入输出特性. 电路由四级运算放大器组成,如图2所示.运算放大器F_1、F_2组成同相输出放大器.W_1用来调节零点,当无输入信号时,G点输出电压U_1应为零. 运算放大器F_3与BG_1组成对数放大器,其工作原理如下:因为晶体三极管的集电极电流I_c为     

QT2型晶体管特性图示仪特点介绍

一、概述由于晶体管特性图示仪具有使用方便、直观以及具有直流测量无法观察到的性能等特点,目前已被器件厂、整机厂以及各类使用晶体管的部门广泛应用,成为必不可少的测量仪器之一。随着电子工业的发展,半导体器件在击穿电压、功率等方面已有了很大的发展。目前BV_(ceo)>1千伏的三极管已经成批生产,P_(CM)>500瓦的三极管也已问世,另一方面硅材料PNP三极管及高频、超高频三极管大量出现,对晶体管特性图示仪提出了新的要求。过     

第八讲 开关稳压电源中的元器件

一、功率开关元件脉宽调制(PWM)型开关稳压电源中的功率开关元件,主要是功率晶体三极管.但随着开关稳压电源趋向小型化、高频化发展,V-MOS功率场效应晶体管也得到应用.在某些调频型开关稳压电源中,还用到高频可控硅. (一)功率晶体三极管脉宽调制型开关稳压电源中的功率晶体三极管,因工作在高压开关状态,其性能的优劣会直接影响到开关稳压电源的性能和可靠性。在选用功率三极管时,必须从它的电气性能来考     

右特性管FU811单功放的魅力

FU811是直热式碳化钨阴极功率三极管，灯丝电压6.3V，电流4A，最大阳极电压1．25kV，最大阳极耗散功率40W，FU811系右特性三极管，工作时有栅流产生，笔者设计制作一款单端放大器，音色之靓，与805、813单端功放难分伯仲，约有10W以上功率，而工作最高压不超过600V。     

右特性管FU811单端功放的魅力

FU811是直热式碳化钨阴极功率三极管,灯丝电压6.3V,电流4A,最大阳极电压1.25kV,最大阳极耗散功率40W,FU811系右特性三极管,工作时有栅流产生,笔者设计制作一款单端放大器,音色之靓,与805、813单端功放难分伯仲,约有10W以上功率,而工作最高压不超过600V.     

晶体管电路讲座(一)

晶体管是一种固体电子器件,原指半导体三极管,但在国内由于同电子管相比照,亦兼指半导体二极管等器件.在1948年就有人发现原始的点接触型三极管有放大作用,可以代替电子管在电路中应用.到1951年就制成了面结型三极管.晶体管具有重量轻、体积小、耗电省、能在低电压下工作、机械性能好及寿命长等优点,能广泛应用于近代的电子计算机、自动控制、火箭、导航、无线电广播、通信等技术中,近年来发展极为迅速.目前晶体管的制作更进一步向微波、高速开关及微型组件等方向发展. 在本讲座中只简单介绍晶体管的基本工作原理及它的一些常用电路的特性. 一、晶体管的物理原理及特性     

超快速高压雪崩三极管器件研制

采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压400V,脉冲电流达80A的雪崩三极管器件并已投入批量生产。给出了雪崩三极管MARX使用电路及测试结果,重复频率可达400kHz。器件采用金属管壳片式封装,具有可靠性高、易于级联使用等优点。     

注入光敏三级管的基本特性和分析

本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光每三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在。最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释。