Halo LDD P-Si TFT工艺参数优化

该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用工艺模拟软件Tsuprem4和器件模拟软件Medici研究模拟了Halo结构的工艺参数对器件性能的影响,并进行优化。分析表明,Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比,降低泄漏电流和阈值漂移,有效的抑制热载流子效应;但也会部分地降低驱动能力,因此,要综合考虑,根据具体的条件,得到Halo结构最佳的工艺参数。     

Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究

基于Tsuprem4和Medici模拟软件.研究了Halo LDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热栽流子效应的影响.结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,在80KeV退化最为严重.     

一种900 V大功率MOSFET的工艺仿真设计

高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件.以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvaco和Synopsys设计一套仿真实验,对外延层材料选取、氧化和注入等重要...     

功率MOSFET并联应用

从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。     

二十一世纪CMOS工艺发展趋势

本文描述了０．１μｍ沟道ＣＭＯＳ器件的设计、制造及其特点,该器件在３５Ａ经物上有双ｎ＾＋／ｐ＾＋多晶硅栅。在１．５Ｖ的电源电压下,其性能比２．５Ｖ的０．２５μｍＣＭＯＳ技术提高了２倍。此外,小于１Ｖ的供电电压可使每个电路中的有源功耗降低２０倍,而其延迟仍与０．２５μｍＣＭＯ析相同。这些结果证明,这项高性能、低功耗的室温０．１μｍＣＭＯＳ技术是可行的。当沟道长度小于０．１μｍ时,我们还必须重新探讨一     

功率MOSFET的基本知识

自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V;低导通电阻MOSFET其阻值仅10mΩ;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开发出各种贴片式功率MOSFET(如 Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外,价格也不断降低,使应用越来越广泛,不少地方取代双极型晶体管。     

开关电源功率器件MOSFET参数辨识的研究

功率器件MOSFET作为开关电源主电路的一个重要组成部分,其可靠性备受关注。研究表明,在开关电源电路元器件失效率统计中,MOSFET失效率达31%。而MOSFET失效主要表现为导通电阻参数漂移,为了对MOSFET导通电阻参数进行在线辨识,以Buck电路为例,基于混杂系统理论构建Buck电路混杂系统模型,采用递推最小二乘法对模型中MOSFET导通电阻参数进行辨识,并在Simulink环境下进行仿真实验。实验结果表明,该方法对MOSFET导通电阻进行了有效的在线辨识,辨识相对误差小于5%,为MOSFET参数性故障的分析提供了理论依据和方法。     

全面认识MOSFET

在上期杂志中．我们介绍了板卡开关电源电路中常见的PWM芯片特点．在本期文章中我们就和大家一起来继续探讨一下与PWM芯片相辅相成的MOSFET元件的特点。现代板卡为什么会首选MOSFET做为供电元器件呢？目前主流的MOSFET有何特点呢？在本期文章中我们就和大家一起来全面了解一下这个熟悉而又陌生的元件。     

MOSFET半桥驱动电路设计要领

本文针对如何设计MOSFET半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。     

高压浮动MOSFET栅极驱动器原理及应用

IR2110高压浮动MOSFET柳极驱动器性能优异、与计算机接口方便。介绍了高压浮动栅极驱动器的原理和应用特点，给出了IR2110栅极驱动器在步进电机控制及发电机激磁电流调节中的应用实例，说明了电路调试中须注意的几个问题。     

功率MOSFET的过电流保护

本文分析了H桥电机枢动方式中，常出现的几种瞬态过电流情况，并提出从功率MOSFET本身的过电流能力出发，快速，有效地实行“就地”保护的几种方法。     

MOSFET的驱动及吸收电路

本文分析了MOSFET的开关特性及吸收保护电路,有效降低开关噪声,保护开关管。     

采用MOSFET的高速截流开关

用P -MOSFET构成快速截流电子开关 ,将其串联在负载与直流电源之间 ,在负载电流超过允许值时 ,迅速中断供电 ,从而组成具有“本质安全”输出特性的直流电源。该电源可在有爆炸性气体存在的环境中工作。     

BSIM--making the first international standard MOSFET model

BSIM （Berkeley Short-Channel IGFET） became the first international industry standard model for simulation of MOS integrated circuits in 1997. The cumulative sales of ICs that have been designed with the aid of BSIM and produced for computing, communication, consumer, and industrial applications is estimated to be around 400 billion US dollars. From 0.35μm CMOS to multi-gate FinFET, BSIM serves a wide range of technologies. Many China educated researchers have contributed to its success.     

电介质击穿对MOSFET器件漏电流的影响

栅电介质击穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一。由击穿而引起的栅泄漏不仅是电损耗增加的问题,而且对漏电流造成很大的影响。采用最新工艺制成的超薄栅电介质,把由击穿产生的漏电流作为因击穿点的扩展而损伤的沟道电流的一部分。制作栅氧厚度为2.2nm和3.5nm、不同沟道宽度的器件,使用专门的装置给器件施加应力,用统计方法研究晶体管性能的退化。分析表明,使漏电流退化的损伤半径大约在1.4μm-1.8μm之间。     

基于功率MOSFET管的RCC电路

介绍了一种以功率MOSFET管为主开关管的RCC电路,分析了电路工作原理。试验结果表明,该电路对于提高电源的电网适应性,实现电源的小型化具有实用价值。     

Halo LDDP-Si TFT工艺参数优化

该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用工艺模拟软件Tsuprem4和器件模拟软件Medici研究模拟了Halo结构的工艺参数对器件性能的影响,并进行优化。分析表明,Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阂值电压和开关比,降低泄漏电流和阀值漂移,有效的抑制热栽流子效应;但也会部分地降低驱动能力,因此,要综合考虑,根据具体的条件,得到Halo结构最佳的工艺参数。