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裴恩琴 《电子材料与电子技术》2010,(3):29-33
非晶纳米晶软磁材料是近期发展起来的一种新型软磁材料,特殊的制造工艺使其具有优异的软磁性能和力学性能。本文综述了软磁材料的分类及其性能对比,介绍了非晶纳米晶软磁材料的结构特征、发展过程及其应用。 相似文献
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采用离子束溅射沉积法,通过溅射Sm-Fe-B合金靶、Ni-Fe靶及纯Fe靶,在锡青铜和盖玻片衬底上溅射沉积由B掺杂的Sm-Fe-B负磁致伸缩薄膜与Ni-Fe、纯Fe组合的纳米级耦合薄膜材料。通过采用LK-500激光微位移传感器测量薄膜自由端偏转量,用交变梯度磁强计测试薄膜的磁滞回线,研究不同比例的膜态组合及不同软磁材料耦合的膜态组合对薄膜的磁致伸缩性能及软磁特性的影响。实验结果表明:磁致伸缩层与软磁层的比例为3∶1时的磁致伸缩性能、软磁特性最佳;且在磁致伸缩层与软磁层耦合的比例为3∶1基础上,通过改变耦合软磁层材料种类,薄膜的磁致伸缩性能与软磁特性可以得到进一步改善。 相似文献
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为改善有机-无机铅卤钙钛矿的空气稳定性,采用高温热注入法合成了两种不同尺寸的全无机钙钛矿CsPbBr3纳米晶。由于晶粒尺寸对纳米晶薄膜电学性能具有决定性的作用,研究了CsPbBr3纳米晶尺寸对薄膜光电导探测器光电响应性能的影响。结果表明:纳米片薄膜的光电流是纳米立方块薄膜的100倍,归结于二维CsPbBr3纳米片薄膜更少的晶界导致了更长的载流子扩散长度。对性能更加优异的纳米片薄膜光电探测器进行了全面的性能评价,低的噪声等效功率和高的归一化探测率表明其具有优异的弱光探测能力。 相似文献
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为实现基于硅基材料的高效光源,提出激光晶化形成纳米硅基电致发光材料性能研究,来明确了激光晶化形成纳米硅基电致发光材料的基本性能。主要以选择的纳米硅基电致发光材料作为研究对象,首先采用激光晶化技术完成制备工作,其次设计对电致发光材料性能计算方法,最后设计吸收光谱、固态与薄膜态量子产量、发光寿命、发光率四方面的测定环节,依此对晶化处理和未晶化的两个样本进行电致发光材料测定。结果表明:晶化后的电致发光材料中存在尺寸可控的纳米硅量子,且当氧气量充足时,晶化后的致电发光材料的硅粒子产出量会逐渐增加;光学带隙要比原始沉积样本要小,且当精光密度增加时光学带隙发生进一步缩减;晶化后的样本发光寿命有、无氧两种状态均为1 200 ns,发光率可达到99%。以上结果说明激光晶化形成纳米硅基电致发光材料性能优越,具有较强的发展潜力。以期可为日后的纳米硅基电致发光材料研究与制作过程中提供理论支撑,在此基础上制备出性能更加优异的电致发光材料。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2005,(6)
TG113.22,TG132.22005060019非晶Co-Nb-Zr薄膜的纳米晶化及磁性/蒋向东,张怀武,文歧业,石玉(电子科技大学微电子与固体电子学院)//真空科学与技术学报.―2005,25(1).―37~40.采用扫描式差热(DSC)分析、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、梯度样品磁强计(AGM)和磁力显微镜(MFM),研究磁控溅射制备的Co80.8Nb14Zr5.2磁性薄膜,在485℃~550℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化30s后的薄膜结构和磁性。结果表明,非晶薄膜的晶化温度在420℃~450℃,Avrami指数在1.17~1.39,晶化行为以一维形核长大为主。纳米晶Co-Nb-Zr薄膜的磁性能受晶… 相似文献
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快速退火纳米晶化法是目前常用的金属纳米晶制备方法,但其后续600~900℃高温退火会降低器件的电学特性和可靠性。本文提出了热预算低的金属纳米晶制备的新方法—沉积过程中的同步金属薄膜原位纳米晶化法,可以省掉后续单独的退火处理工艺,使金属薄膜同步产生纳米晶化,降低工艺热功耗及简化工艺,从而有效地改善上述薄膜沉积后退火纳米晶化法的不足。在不同衬底温度(250~325 ?C)下,利用同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器。随着生长温度的增加,其存储窗口先增加到最大值再降低。衬底温度为300 ?C时,其存储窗口(2.78 V)最大。与快速热退火法镍纳米晶存储器相比较,同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器具有更强的电荷存储能力。另外,研究了不同操作电压和脉冲时间下器件的平带电压偏移量,当操作电压增加到±10 V时出现了较大的平带电压偏移量,这表明器件发生了大量的载流子(电子和空穴)注入现象。最后,模拟了金属纳米晶存储器的载流子(电子和空穴)注入和释放过程。 相似文献
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Since Yoshizawa et al found iron-basednanocrystalline soft magnetic materials in 1988[1],nanocrystalline soft magnetic thin films have attractedmuch attention due to their wide applications.According to the random anisotropy model proposedby Herzer[2,3], as grain size is smaller than theexchange correlation length, coercivity andpermeability will be proportional and inverselyproportional to the grain size to sixth power,respectively. Therefore, in order to reach excellent softmagnetic properti… 相似文献
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Soft magnetic thin films with suitable uniaxial anisotropy and high saturation magnetization are required for high frequency
applications, since the ferromagnetic resonance frequency (fFMR) is proportional to the multiplication of the saturation magnetization and anisotropy magnetic field. In this study, multicomponents
of Fe-Co-Ni-based soft magnetic thin films were deposited on the Si substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering
with various Ar/N2 ratios at room temperature. The composition, crystal structure, surface morphology, and magnetic domain were analyzed. Without
nitrogen doping, the domain of the magnetic thin film was arranged randomly. The effect of N2 content in the thin film on the magnetic properties was evaluated and further discussed. Magnetic properties, including saturation
magnetization (Ms) and coercivity (Hc), were determined. The saturation magnetization of the undoped magnetic thin film was around 1.3 T. However, when the nitrogen
was added, the magnitude of the anisotropy field could reach 30 Oe, while the saturation magnetization was around 1 T. It
is expected that the derived magnetic thin film is a promising candidate for potential usage in high frequency inductors. 相似文献
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磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具已广泛应用于磁性薄膜的研究TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以获得较低的面内饱和场Hs。传统的成膜技术难以实现这一目标,采用倾斜溅射方法制备ThFe薄膜可有效降低面内饱和场Hs。通过测量样品的磁滞回线可以发现,易磁化轴随着溅射角度的增加逐渐偏离样品的法线方向,而取向于平行膜面。本研究工作利用MFM研究了不同溅射角度得到的TbFe薄膜的磁畴结构。发现薄膜的磁畴结构随着溅射角度的增加逐渐由垂直畴转化为水平畴,与磁滞回线测量得到的易磁化轴方向发生偏转的结果相吻合。 相似文献
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