对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究

利用对称薄膜双栅MOSFET在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,以硅膜达到体反型时的泊松方程为基础,得到一个有效的双栅nMOS器件模型.考虑到薄膜双栅SOI器件的体反型特性,阈值电压处的表面势不再受限于传统的强反型界限(指2倍费米势),并运用跨导最大变化(TC)法对此模型进行分析,得到阈值电压和阈值电压处表面势的详细表达式;另外,还演示了薄膜双栅MOSFET的近乎完美的亚阈值斜率特性,其数值模拟结果与文献实验结果吻合较好.     

一种新型全耗尽双栅MOSFET

提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.     

一种新型全耗尽双栅MOSFET

提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.     

短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析

基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。     

薄膜双栅MOSFET体反型现象的研究

通过对QM模型的介绍，说明了薄膜双栅MOSFET体反型现象是量子效应的结果，并对QM模型中提出的反型层质心概念进行了剖析，阐述了其重要的物理意义和应用价值。利用反型层质心概念，提出了一组形式非常简单，且与体硅单沟道MOSFET表达式十分相似的薄膜双栅MOSFET亚阈值区反型层载流子浓度和亚阈值电流的表达式。与MEDICI模拟结果的比较证明了其精确性。应用反型层质心及所提出的亚阈值区模型，对薄膜双栅MOSFET体反型现象进行了深入的分析，提出了一个能够较好体现体反型作用的硅膜厚度范围。     

对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型

基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET：metal oxide semiconductor field effect transistor）的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流与亚阈值斜率二维解析模型.分析了沟道长度、功函数差、弛豫SiGe层的Ge组份、栅介质层的介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高k层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚阈值性能的影响,并对亚阈值性能改进进行了分析研究.研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好.     

栅对准误差对双栅MO SFET 性能影响的分析

对栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件，它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点，但是目前自对准的双栅MOSFET的工艺制作相当困难。本文中分析了双栅MOSFET的正、背面栅存在对准误差时，对器件的表态及动态特性的影响，并提出了一种改善这种影响的方法。     

浮栅器件栅耦合系数修正的探讨

提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正.对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系数偏大产生了很大的误差.提出了一种对亚阈值斜率法提取浮栅器件栅耦合系数的修正方法,结合了DIBL/SIBL效应因子,基于亚阈值斜率之比来较简单地实现更精确的近似,得到的栅耦合系数与设计值吻合较好,误差在2%以内,表明此修正法是合理且精确的.     

自对准双栅MOSFET 的结构与工艺实现

双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件，它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点。自对准的双栅MOSFET结构中，栅与源漏之间无覆盖，对于实现最终的高性能十分重要。本文具体介绍了几种自对准的双栅MOSFET的结构及其工艺流程。     

超薄栅氧MOS器件传统关态栅泄漏电流研究

理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明：边缘直接隧穿电流服从指数变化规律;传统关态下边缘直接隧穿对长沟道器件的影响大于短沟道器件;衬底反偏在一定程度上减小边缘直接隧穿泄漏电流.     

两次散斑干涉法

文章分析了散班干涉法中法向位移对面内位移的干扰,提出了新的实验方法——两次散斑干涉法,分离面内位移和法向位移.     

Double Helix Jeopardy

DNA database help solve crimes but aid and abet racial discrimination. An arrest-only database would have the look and feel of a universal DNA database for black males. Although the DNA-database debate will probably occupy judges, legal scholars, and legislators for some time, the most likely outcome is the least equitable-including only arrestees. Indeed, if policy-makers were purposefully trying to find the most discriminatory system possible, an arrestee database would be the ideal choice.     

AMD双喜临门

对于AMD来说,今年5月的心情应该格外不错。随着最后一个“堡垒”Dell正式宣布将采用其产品之外,著名女博客、电影导演徐静蕾也签约出任其形象代言人,徐静蕾将亲自导演并出演AMD刚刚发布的双核炫龙64位移动计算技术的电视广告。在用户攻坚战中取得突破性进展以及在品牌宣传方面占得先机的AMD显得格外有底气,AMD负责商业应用和高性能计算业务副总裁马丁·塞耶在东京参加AMD全新的CPU架构AM2的发布仪式期间宣称:今年,AMD的目标是获得服务器处理器市场份额的20%,以及客户端系统(包括台式机和笔记本等)处理器市场份额的15%。国际市场D …     

手机双响炮

罗嗦哥：嘿嘿，各位读者朋友好，转眼又到5.1劳动节了，感觉刚过完春节没多久，紧接着5.1的7天长假就到了，不知道大家打算怎么度过这一周的假期呢？罗嗦哥我本来想出去旅游，但后来想了想还是利用这7天时间好好在家休息休息，这一年来实在够累了！泡泡，你这7天假期怎么度过呢？     

新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT

设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为5 0 0 m A/ mm ,跨导为2 75 m S/ m m,阈值电压为- 1 .4 V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V .研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.     

新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT

设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为500mA/mm,跨导为275mS/mm,阈值电压为-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.     

双异质型蓝色OLED器件的研究

采用真空蒸镀法制备了ITO／NPB／BAlq3／Alq3／Mg：Ag(双异质型)和ITO／NPB／BAIq3／Mg：Ag(传统型)两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLED)，并研究了器件结构对OLED光电性能的具体影响。实验结果表明，器件结构对OLED的发光光谱没有影响。其谱峰均位于480nm。但是器件结构却显著影响OLED的发光性能，与传统型结构器件相比，双异质型结构OLED的最大发光效率和最大发光亮度分别提高了4．5倍和5．5倍，达到1．901m／W和10000cd／m^2。这是因为双异质型器件结构中引入了电子传输层Alq3和空穴阻挡层BAlq3，从而使得能级匹配更加合理。载流子注入更加平衡的缘故。     

Y型双入水流道双出水流道无阀压电泵研究

针对Y型流道无阀压电泵输送流体流量较小,该文设计了一种Y型双入水、双出水流道无阀压电泵结构,泵送的介质流动平稳,无湍流形成,故可用于血细胞及大分子生物基团的输送。对压电振子进行了理论分析。通过与Y型单入水流道单出水流道压电泵的实验对比,证明了用增加流道数目的方法可提高无阀压电泵输送流量的结论。     

手机双响炮

啰嗦哥：大家好又到了《手机双响炮》的时间了。对于一些朋友来说他们刚刚完成人生中的一件大事你猜是什么？     

双NP架构千兆防火墙

由清华紫光比威自主研发的,国内首台双NP架构的纯硬件千兆防火墙——UnisFirewall 1200。在该产品中,冗余贯彻于整个系统之中:从输入接口到输出接口(2个千兆GBIC接口和2个千兆电口,光电相互冗余)、从日志存储硬盘到电源、风扇,都有冗余