高精度微结构聚合物光栅的复制技术

光栅复制是降低光栅制造成本,提高产量的一条有效途径。研究了利用紫外压印技术复制微结构光栅的方法。使用玻璃基底矩形浮雕结构的微结构光栅作为母光栅,给出了利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作光栅模具和在光敏聚合物材料上复制微结构光栅的详细过程。经过优化工艺条件,成功地复制了一系列不同周期和开口比的微结构光栅,测试了复制光栅和母光栅的衍射图像和0级与±1级的衍射强度,结果表明,复制光栅和母光栅的衍射图像与光强分布基本一致。     

纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅

分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。     

基于复合光栅镜的角向偏振光产生研究

为了得到角向偏振光输出,采用严格耦合波分析方法,设计了一种复合光栅镜。先通过对Ge光栅的伪博世工艺刻蚀特性的研究,得到了高深宽比的无定型Ge光栅。然后在栅槽底部引入了随机分布的Ge纳米针,在该光栅上依次镀金膜和介质保护膜,得到介质-金属复合光栅镜。最后将该复合光栅镜用作轴快流CO2激光器谐振腔尾镜,得550W角向偏振光输出。结果表明,纳米柱及金栅脊的引入使得该复合光栅镜具有很高的偏振选择性。     

3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO₂栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm².栅介质厚度相同的情况下,P⁺栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N⁺栅样品.     

新型聚合物网络稳定液晶光栅的制备

将具有光敏特性的预聚物与向列相液晶按一定比例混合，注入液晶盒，以紫外灯为光源，通过光掩模法使混合物在紫外光的引发下产生相分离，形成聚合物网络稳定液晶光栅。采用光学显微镜和He-Ne激光器进行测试，结果表明该光栅获得了周期性的栅结构，且衍射效率具有电场调谐性。     

光变图像光栅条纹高效率转移组版系统的研制

制作具有光变图像(OVD)光栅条纹的大面积全息原版,是激光图像无油墨印刷的核心技术之一。提出一种通过在金属镍母版表面高频感应加热和快速加压的工艺方法,在压敏材料上实现了微米级精细光栅条纹的高效率快速转移,其列阵式的转移复制方式实现了大面积光变图像的制作。研制了用于光变图像光栅条纹大面积复制的新型智能化组版系统,并对此智能化组版系统的结构和工作原理作了阐述。同时,对影响光栅条纹转移复制的几个方面作出了分析。对复制前后的光变图像光栅进行的测试表明,转移后光栅的衍射效率可以高于母光栅。研制的这一新型智能化组版系统可转移复制的组版面积达1000mm×1600mm。     

光盘光固化复制工艺中玻璃基片表面改性

测定了光固化膜分别与玻璃基片、金属Ni-模的结合力.采用预涂PMMA底化层、使用α-型硅烷偶联剂和SOL-GEL法制备衬底三种方法对玻璃基片表面进行改性并作比较,来选择合理的、经济的工艺路线.运用此工艺复制了CD唱片,并用SEM观察复制信息的微观形貌.     

3—6nm超薄SiO_2栅介质的特性

采用栅氧化前硅表面在 H2 SO4/ H2 O2 中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出 3.2、 4和 6 nm的 Si O2超薄栅介质 ,并研究了其特性 .实验结果表明 ,恒流应力下 3.2和 4nm栅介质发生软击穿现象 .随着栅介质减薄 ,永久击穿电场强度增加 ,但恒流应力下软击穿电荷下降 .软击穿后栅介质低场漏电流无规则增大 .研究还表明 ,用软击穿电荷分布计算超薄栅介质有效缺陷密度比用永久击穿场强分布计算的要大 .在探讨软击穿和永久击穿机理的基础上解释了实验结果     

紫外写入光纤Bragg光栅及其发展

把要评述了光纤光栅的理论背景、光纤的光敏性，对至今发展起来的几种主要光纤光栅紫外写入技术和chirp光栅生成技术进行了全面的评介，最后介绍了光纤光栅在激光和通信方面的一些重要应用。     

3-6nm超薄SiO2栅介质的特性

采用栅氧化前硅表面在H2SO4/H2O2中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出3.2、4和6nm的SiO2超薄栅介质,并研究了其特性.实验结果表明,恒流应力下3.2和4nm栅介质发生软击穿现象.随着栅介质减薄,永久击穿电场强度增加,但恒流应力下软击穿电荷下降.软击穿后栅介质低场漏电流无规则增大.研究还表明,用软击穿电荷分布计算超薄栅介质有效缺陷密度比用永久击穿场强分布计算的要大.在探讨软击穿和永久击穿机理的基础上解释了实验结果.     

汽车行驶过程中的离车诊断

在汽车行驶过程中设有故障自诊断系统的基础上，通过蓝牙技术的无线网络连接功能，实现汽车的离车诊断。     

载体外诱饵对抗单脉冲雷达研究

根据单脉冲雷达的固有特点,提出利用载体外雷达诱饵对单脉冲雷达实施干扰的基本方法和分类,并通过典型实例分析了其作战应用。     

走向宽带

发展宽带是国家的长远需要,既能应对当前的国际金融危机,又着眼长远,是适应未来发展需要、走向信息社会的重要战略。宽带也是全业务运营的关键,运营商必须从固定接入与移动接入双管齐下地打造全业务宽带接入。中国需要制订国家宽带发展战略,来引领中国宽带基础设施的建设。     

如何有效的将可靠性工程技术应用于企业产品研发过程中

可靠性工程技术做为提高产品研发质量的有效方法,已在国外各大公司得到了广泛的应用。随着WTO的加入,中国的企业将越来越多的面对国际化交流与竞争,在这个过程中,已或多或少了解到产品质量体系中的可靠性工程技术的概念和功用,同时可能也会对它如何与企业的真实状况结合产生实质效用产生疑虑。亿腾科技专注于可靠性技术培训以及产品可靠性工程质量解决方案的领域,在与众多企业客户的合作交流中积累了丰富的经验,在此我们将这些在国内企业的研发部门推进可靠性工作的经验和心得与大家分享,希望能给大家带来有益借鉴。     

奚国华要求无线技术应用发展抓住历史机遇加快创新步伐

2007年中国无线技术大会于9月5日在北京亮马河饭店隆重开幕,信息产业部奚国华副部长出席大会并作了讲话。他要求,抓住无线技术发展的历史机遇,     

新经济环境的企业转型

文章主要论述中国企业在成本优势失去的情况下，如何通过转型来寻找新的出路，以及转型时一些要考虑的问题。     

适应体制改革进一步提高统计工作水平

本文结合统计工作改革的重要性,对统计工作现状以及做法进行了分析,对单位统计工作有一定指导意义。