ZnSe及ZnSe:N的光致发光

本文报导了我们用常压MOCVD法生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性。在77K的光致发光光谱中,ZnSe的激子发射峰位于4450,其半高宽为12.6mev。在探索ZnSe反型的过程中,我们在生长过程中掺入氮杂质,获得了氮替代硒的浅受主,其离化能为91mev。     

高T_c氧化物超导体的声子—激子机制模型

本文研究了高T_c氧化物超导体的声子—激子机制模型,给出了新的Eliashberg计算公式和赝势μ。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe的量子Stark效应的变分法研究

用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下，Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律，并根据所得的Ee、Eh和Eb数据，计算出激子吸收峰的Stark移动。计算结果显示，随着外电场强度和 量子阱宽度的增大，量子Stark效应变得更为显著，本文还把计算所得的Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较，当阱宽等于9nm，电场为100kV/cm时，两者符合得较好。     

基于高阶谱的混凝土材料断裂声发射特征提取

针对混凝土受载时声发射信号的非高斯特性,提出了一种基于高阶谱技术的声发射信号特征提取的新方法。通过对声发射信号的双谱分析,提取了不同载荷阶段下信号的非高斯特征。以信号双谱幅值的平均值作为特征值,对不同载荷下信号偏离高斯分布的程度进行了定量分析,并讨论了不同载荷强度的混凝土声发射信号的双谱特性及非高斯特征。实验结果表明,提取的特征值反映了信号偏离高斯分布的程度,据此可以作为混凝土受载时断裂临界点的判据。通过与声发射事件等常规参数的比较,可以发现高阶谱参数具有更好的敏感性。     

三维立方晶体声子谱的严格解析解

只考虑次近邻相互作用情况下,利用晶格动力学严格求解三维立方晶体声子谱的严格解析解与其对应的极化向量.并在第一布里渊区的全空间讨论声子谱的特性,指出声子谱能量只在第一布里渊区的主要对称点线面上具有简并现象,并按其极化向量判断纵向声子与横向声子的特性.给出非简并情况下的声子谱能量及其极化向量的严格解析解.     

三维面心立方晶体声子谱的严格解析解

在第三近邻相互作用情况下,利用晶格动力学严格求解三维面心立方晶体声子谱的严格解析解与其对应的极化向量.并在第一布里渊区的全空间讨论声子谱的特性,指出声子谱能量只在第一布里渊区的主要对称点线面上具有简并现象,并按其极化向量判断纵向声子与横向声子的特性.     

Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响

通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4～5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。     

液体雾化效果的检测及流体力学模拟

为获得一种快速灵敏的液体雾化效果检测方法,利用置于挡板后方的声发射传感器,采集液体喷雾撞击挡板产生的声信号并进行多次扫描累加的快速傅里叶变换,得到不同流量下的声能量值和功率谱图.通过对实验结果的分析,提出临界良好雾化状态的声能量判据,即随着流量的增加,当液滴撞击挡板产生的声能量趋于平稳并开始缓慢上升,雾化准数由缓慢增加转变为迅速增大以及声能量均方差开始上升并趋于平稳时,液体喷雾处于良好雾化的临界状态,进一步增大流量,雾化效果的提升不明显.同时,对雾化效果采用摄像法测定和基于Eulerian-La-grangian耦合算法的计算流体力学(CFD)模拟,结果与声发射实验的结果吻合很好,由此说明采用声发射方法对液体雾化效果进行定性检测具有较强的可行性与准确性.     

飞秒激光诱导单层二硫化钨的光响应研究

过渡金属硫化物因具有很大的激子束缚能、较强的库仑相互作用以及自旋谷能耦合特性而备受关注,同时该类材料也为研究原子层厚半导体的性质以及开发其在光电器件方向应用的潜力提供机会,研究过渡金属硫化物被激发后的光响应很重要.利用泵浦探测瞬态吸收光谱系统研究单层WS_2中光生载流子的动力学行为,发现激子以俄歇式激子激子湮灭的方式进行无辐射复合,寿命约为27 ps.通过分析不同泵浦光(波长分别为590 nm、580 nm及570 nm)激发条件下位于613 nm的光致漂白信号,证实亚皮秒的衰减组分为激子的形成过程.通过分析A激子共振的漂白和线宽展宽随时间变化,研究导致激子跃迁能发生蓝移和红移的物理过程,结果表明,导致单层WS_2被激发后光响应发生变化的原因有2个,分别是光生载流子导致的多体相互作用以及材料通过声子将热量传递给基底的冷却过程.     

简论经验有效声子谱

本文以有效声子谱的级数型表示为依据，导出了一个经验有效声子谱公式，其结果与原始数据符合得较好。     

Controlled growth and photoluminescence of highly oriented arrays of ZnO nanocones with different diameters

Large-scale oriented ZnO nanocone arrays were directly grown on zinc substrate through a hydro-thermal reaction of Zn foil with aqueous butylamine solution(3 mol/L) at 100—180 ℃ for 12 h.The syn-thesized products were characterized with X-ray diffraction,Raman spectrum,scanning electron mi-croscopy and transmission electron microscopy.The results showed that the ZnO nanocones were single crystalline with the wurtzite structure and grown along the [0001] direction.The diameter of nanocones is decreased with ...     

零禁带半导体的介电常数和电子与有极声子的耦合

本文导出在零温度条件下的零禁带半导体的介电常数的解析公式。考虑到LO声子散射的贡献说明反对称的能量吸收峰。对光学声子和电子载流子之间的耦合也作了研究,产生的新的模是声子和电子激发的很强的混合,并讨论了这些模的一些特征。     

有机发光二极管发光机理的研究

从载流子注入和传输、载流子复合以及激子的衰减和发光等方面阐释了有机电致发光二极管的发光机理，介绍了载流子注入与传输的理论模型，讨论了激子形成及正负载流子复合的问题，详细分析了激子衰减和发光的过程。     

双掺KTP型系列晶体生长及其光谱特性

采用高温溶液缓慢降温旋转籽晶法生长出一系列双掺ＫＴＰ型晶体,研究了晶体生长习性,测定了所有晶体的晶胞参数、粉末倍频效应和晶体中掺质离子的浓度．测试了晶体的Ｒａｍａｎ光谱、激发光谱、发射光谱和 ３５０～８００ ｎｍ之间的光透过曲线．研究了双掺 ＫＴＰ型系列晶体的荧光性质．探索了新型激光自信频晶体存在的可能性．     

ZnO/PVP纳米复合膜的光学特性

采用高分子网络原位合成法制备了ZnO/PVP纳米复合膜.并且通过多种测试手段对ZnO/PVP纳米复合膜的光学特性进行了分析.通过XRD,TEM的测试结果可知,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为模板,原位合成ZnO纳米粒子,具有六角纤锌矿结构;分散性好,粒径分布窄等特点;从光致发光谱中可以看出由于PVP的引入,使得ZnO纳米粒...     

Proposal and achievement of a relatively Al-rich interlayer for In-rich Al x In1−x N films deposition

Ternary In-rich Al _x In_1?x N films were successfully grown on Si (111) and (0001) sapphire substrates by radio-frequency magnetron sputtering on a relatively Al-rich Al _x In_1?x N layer after AlN buffer. X-ray diffraction (XRD) patterns of the films indicate highly c axis-oriented wurtzite structure and the indium content of about 0.76 has been evaluated according to the Vegard’s law. An Al-rich Al _x In_1?x N transition layer was formed between the ultimate In-rich Al _x In_1?x N film and the AlN buffer, which served as a further buffer to alleviate mismatch. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) depth profiling analyses confirm the alternative of indium and aluminum composition and the unavoidable oxygen impurities from surface to bulk. Owing to high indium content, obvious E ₂ ^H and InN-like A ₁ (LO) phonon model accompanying with slight AlN-like A ₁ (LO) phonon model are observed. Hall effect measurements demonstrate n-type electrical conductivity in these alloys with carrier concentrations n=10¹⁹ cm^?3. The strain in In-rich Al _x In_1?x N films can be significantly reduced by introducing an Al-rich interlayer, facilitating the improvement of film quality for diverse device applications.     

氨气退火对ZnO纳米线阵列光致发光性质的影响

采用水热方法在Si（100）衬底上制备ZnO纳米线．利用提拉法在Si衬底上首先制备ZnO晶种层,然后利用水热法在晶种层上生长ZnO纳米线．在不同温度下的NH。气氛中,对zn0纳米线进行退火处理．系统地研究了NHs退火对ZnO纳米线光学性质的影响,在低温光致发光光谱中观察到了-9氮受主相关的光发射,并通过自由电子一受主辐射复合光发射确定受主离化能为129meV．实验结果还表明,随着退火温度的升高,施主一受主对辐射复合发光呈现了微弱红移现象．在700℃退火的条件下制备的ZnO纳米线的低温PL谱中,观察到较为明显的自由激子光发射,并采用理论拟合进行证明．     

Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究

在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1100 ℃以下不同温度的退火, 采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响. 椭偏测试的结果表明, 600 ℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm. 红外研究的结果显示, 600 ℃退火后LO峰强度最强, 认为是对应Si-O结构单元浓度最高. Al/SiO2/SiCMOS结构SiO2的漏电特性研究表明, 600 ℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级. 在外加反向偏压5V时, 漏电流密度仅仅只有5×10-8 A/cm2.600 ℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性.     

室温铁磁性蒲公英状氧化锌的制备及生长机理研究

以锌粉、醋酸锌和氢氧化钠为原料,采用水热法制备出了具有结构性缺陷的蒲公英状ZnO。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪和超导量子干涉仪对产物的结构形貌和光学性能及磁学性能进行了表征,并对其生长机理进行了探讨。研究表明,蒲公英状氧化锌为六方纤锌矿结构,由许多顶端为锥尖形的棒自组装而成;其荧光本征发射峰在388nm处,属于激子跃迁发射。在波长450～492nm处所观察到的3个弱蓝光峰是由锌填隙原子中的电子到价带顶的跃迁所致;在波长492～580nm范围内出现的较为宽泛的绿光发射峰根源于电子从导带底到氧错位缺陷能级间的跃迁。蒲公英状ZnO中存在的结构性缺陷使得原本呈现抗磁性的ZnO具有了室温铁磁性,从而可作为一种稀磁半导体应用到自旋电子学领域中。