外加电场作用下自蔓延燃烧规律研究

通过对（１－ ｘ）（ Ｔｉ＋ Ｃ）＋ ｘ（ Ｎｉ＋ Ａｌ）＝ （１－ ｘ） Ｔｉ Ｃ＋ ｘ Ｎｉ Ａｌ反应体系的 Ｓ Ｈ Ｓ实验研究，获得了外加电场对燃烧过程及产物的影响规律： Ｓ Ｈ Ｓ过程中燃烧波速与外加电场电压呈线性关系；外加电场将使燃烧温度升高，升高的比率与预热条件有关；外加电场对燃烧产物颗粒尺寸有显著影响。通过选择合适的外加电压，可以将颗粒尺寸控制在所需范围之内，进而达到控制产品性能的目的。     

TiC-Al体系的燃烧反应合成

采用整体加热法对Ｔｉ、Ｃ和Ａ１三种粉末混合料的压坯进行燃烧反应合成，研究了升温速度及Ａｌ含量对反应过程及反应产物微观形貌和相组成的影响，探讨了在Ａ１基中ＴｉＣ粒子的形成机理。对Ｔｉ－Ｃ－Ａｌ体系反应物进行的差热分析（ＤＴＡ）及对产物进行的Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和扫描电镜（ＳＥＭ）观察的结果表明，在热爆反应合成过程中，首先是Ｔｉ与Ａｌ反应形成Ｔｉ与Ａｌ的化合物，放出热量，随后促使Ｔｉ和Ｃ的放热反应发生，合成ＴｉＣ时放出的高热使Ｔｉ与Ａｌ的化合物分解，从而使反应产物中只有ＴｉＣ和Ａｌ两相存在；升温速度及Ａｌ含量只有超过一定值时，该体系才能在较低温度发生热爆反应；体系中Ａｌ含量的增加会使合成ＴｉＣ颗粒尺寸变小，当Ａｌ含量从１０升至５０ｗｔ％时，其粒度范围为５μｍ～０．５μｍ。     

H在DBA表面上的化学吸附能计算

采用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ－Ｓｃｈｒｉｆｆｅｒ化学吸附理论和复能积分技术在平均了矩阵近似（ＡＴＡ）下计算了氢原子在无序二元合全（ＤＢＡ）ＣｕｘＡｕ１－ｘ，，ＣｕｘＰｔ１－ｘ，ＮｉｘＡｕ１－ｘ和ＮｉｘＰｔ１－ｘ表面上的化学吸附能．计算结果表明：（１）Ｈ／ＣｕｘＡｕ１－ｘ和Ｈ／ＮｉｘＡｕ１－ｘ系统的化学吸附能分别随着ＣＵ浓度和Ｎｉ浓度的增加而减小；（２）对于Ｈ／ＣｕｘＰｔ１－ｘ系统，在Ｘ＝０．４处化学吸附最稳定；（３）Ｈ在ＮｉｘＰｔ１－ｘ表面上的化学吸附在Ｘ＝０．２处是不稳定．     

电迁徙参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符。同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽的温度范围和测试时间内获得的ｎ值一致性很好。     

电迁徒参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜波法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徒阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符，同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽度的温度范围和测试时间内获得ｎ值一致性很好。     

多项式逼近余项的Lipschitz常数的估计

本文讨论了代数多项式逼近ＷＨω上函数余项的Ｌｉｐｓｃｈｉｔｚ常数。我们主要证明如下结论，设ｆ（ｘ）∈ＷｋＨω（ｋ≥１），ｐｎ（ｘ）∈Πｎ，ｒｎ（ｘ）＝ｆ（ｘ）－ｐｎ（ｘ）满足：‖ｒｎ‖≤Ａ１ｎ－ｋω１ｎ则有ｓｕｐｘ１，ｘ２∈［－１，１］ｘ１≠ｘ２｜ｒｎ（ｘ２）－ｒｎ（ｘ１）｜｜ｘ２－ｘ１｜β≤Ａ２ｎ－ｋ＋２βω１ｎｓｕｐｘ１，ｘ２∈［ａ，ｂ］ｘ１≠ｘ２｜ｒｎ（ｘ２）－ｒｎ（ｘ１）｜｜ｘ２－ｘ１｜β≤Ａ３ｎ－ｋ＋βω１ｎ其中０＜β≤１，－１＜ａ＜ｂ＜１，Ａ１是一个确定的常数，Ａ２、Ａ３都是与ｎ无关的常数。     

（Dy_（0．65）Tb_（0．25）Pr_（0．1））_2（Fe_（1－x）

采用金相，Ｘ射线衍射，电子探针微区分析和振动样品磁强计等诸技术对（Ｄｙ＿（０．６５）Ｔｂ＿（０．２５）Ｐｒ＿（０．１））＿２（Ｆｅ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘ）＿（１７）赝二元化合物的结构、居里温度、磁化强度及磁致伸缩等进行了研究．结果表明，当ｘ＜０．１５时，（Ｄｙ＿（０．６５）Ｐｂ＿（０．２５）Ｐｒ＿（０．１））＿２（Ｆｅ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘ）＿（１７）化合物具有Ｔｈ＿２Ｎｉ＿（１７）型六方结构；当ｘ＞０．２５时，转变为Ｔｈ＿２Ｚｎ＿（１７）型菱形结构；在０．１５≤ｘ≤０．２５区间，Ｔｈ＿２Ｎｉ＿（１７）型和Ｔｈ＿２Ｚｎ＿（１７）型结构并存．该化合物的居里温度在ｘ＝０．２４附近呈现出一极大值，而磁化强度却在ｘ＝０．２５时呈现出一极小值．磁致伸缩的测量表明，该化合物的磁致伸缩与磁场呈线性关系，添加少量的Ａｌ（ｘ＝０．１０）对其影响不大．     

（Dy0.65Tb0.25Pr0.1）2（Fe1—xAlx）17赝二元化合物的结构与磁性

采用金相，Ｘ射线衍射，电子探针微区分析和振动样品磁强计等诸技术对（Ｄｙ０．６５Ｔｂ０．２５Ｐｒ０．１）２（Ｆｅ１－ｘＡｌｘ）１７赝二元化合物的结构，居里温度，磁化强度及磁致伸缩等进行了研究。结果表明，当ｘ＜０．１５时，（Ｄｙ０．６５Ｐｂ０．２５Ｐｒ０．１）２（Ｆｅ１－ｘＡｌｘ）１７化合物具有Ｔｈ２Ｎｉ１７型六方结构；当ｘ＞０．２５时，转变为Ｔｈ２Ｚｎ１７型菱形结构；在０．１５≤ｘ≤０．２５区间，Ｔ     

Sm3（Fe1—x,Tix）29化合物及其氮化物的结构与磁性

用快速急冷方法制备了单相Ｓｍ３（Ｆｅ１－ｘ，Ｔｉｘ）２９化全物，研究了Ｔｉ元素对Ｓｍ３（Ｆｅ１－ｘ，Ｔｉｘ）２９成相的影响，通过气固相反应获得了Ｓｍ３（Ｆｅ１－ｘ，Ｔｉｘ）２９Ｎｙ氮化物。     

Sm_3（Fe_（1－x），Ti_x）_（29）化合物及其氨化物的结构与磁性

用快速急玲方法制备了单相Ｓｍ３（Ｆｅ１－ｘ，Ｔｉｘ）２９化合物，研究了Ｔｉ元素对Ｓｍ３（Ｆｅ１－ｘ，Ｔｉｘ）２９成相的影响，通过气团相反应获得了Ｓｍ３（Ｆｅ１－ｘ，Ｔｉｘ）２９Ｎｙ（ｙ＝５）氮化物．     

组合法制备Pb（ZrxTi（1-x））O3组分梯度薄膜

在无蒸馏和无惰性气氛保护的条件下,快速制备了用于组合合成Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的前驱溶液PT和PZ。采用组合法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3组分梯度薄膜。经XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111)。SEM结果显示薄膜厚度在500nm左右。电滞回线的测试表明,下梯度薄膜PZT-654表现出良好的铁电性能,明显优于其它薄膜。PZT-654梯度薄膜的剩余极化强度Pr为38.4μC/cm2,矫顽场Ec为75.0kV/cm,有较大的极化偏移,Poffset为12.9μC/cm2,表现出梯度铁电薄膜的特性。     

工艺参数对形成（Pb,La）TiO3溶胶和凝胶的影响

系统地研究了溶胶－凝胶技术制备Ｐｂ（１－ｘ）ＬａｘＴｉ（１－ｘ／４）Ｏ３的铁电陶瓷膜时催化剂、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律；用约外光谱研究了成胶机理；用该技术成功地在（１００）Ｓｉ单晶衬底上制备出了均匀、无裂纹且具有钙铁矿结构的ＰＬＴ晶态薄膜。     

加热温度对铸态Ti1100氧化及表面形貌的影响

研究了铸态Ti1100在不同温度下保温5小时的氧化增重和表面形貌.结果表明,随着加热温度的升高,铸造Ti1100氧化加重.300℃基本不氧化;500℃-700℃,Ti1100试样增重0.28-0.62%;1100℃氧化增重严重,达到12.73%;钛的氧化增重为吸氧.用JSM-6360LV型扫描电子显微镜观察试样表面形貌,300-600℃氧化膜极薄且致密;700℃试样表面有少量的氧化腐蚀坑,表面较致密;900℃试样表面有较多的突起氧化层,表面不致密;1100℃氧化层为板片状TiO2.氧化过程为高温时,氧化膜晶粒粗大变得疏松,氧通过氧化膜扩散进基体.     

PLCT薄膜的结晶性能研究

采用Sol-Gel法制备了（Po0.9-xLa0.1Cax)Ti0.975O3( 简写为PLCT100x)铁电薄膜。利用Siemens D5005型号X射线衍射仪分析了PLCT（x)薄膜的结晶特性，总结出全钙钛矿相的PLCT铁电薄膜的退火工艺。用AFM测试了PLCT（100x)薄膜的表面，发现用Sol-Gel方法制备的薄膜相当平整。     

磁控溅射法La0.5Ca0.5MnxTi1-xO3薄膜的制备与结构研究

利用射频磁控溅射法结合后期热处理，在Si（100）基板上以不同的工艺条件成功制备了La0.5Ca
0.5MnxTi1-xO3（LCMTO）复铁电性磁电子薄膜.通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、电子衍射
能谱（EDS）等手段对薄膜进行了相的形成、结构特性及薄膜组成等的测试.研究表明，薄膜在600℃以上
开始析晶，850℃以上结晶完成,形成正交晶系钙钛矿相.硅基板上的LCMTO薄膜在不同温度下析出晶相的晶
格常数不同，温度越高，晶相的晶格常数越大；薄膜厚度越大，晶格常数相对较小;在薄膜制备时提高氧
分压，形成氧空位浓度低的完整晶相， Si基板上LCMTO薄膜的晶格常数相对较小.     

EELS study on BST thin film under electron beam irradiation

~~EELS study on BST thin film under electron beam irradiation1. Kingon, A. I., Streiffer, S. K., Basceri, C. et al., High-permittivity perovskite thin films for dynamic random-access memories, MRS Bull., 1996, 21: 46-52. 2. Kingon, A. I., Maria, J. P., Streiffer, S. K., Alternative dielectrics to silicon dioxide for memory and logic devices, Nature (London), 2000, 406: 1032-1038. 3. Stemmer, S., Hoche, T., Keding, R. et al., Oxidation states of titanium in bulk …     

钛体系催化丁二烯聚合动力学 Ⅱ有关动力学参数测定

本文用动力学方法测定了Ti(n-C_4H_9O)_(4-x)Cl_x—Al(i-C_4H_9)_3体系,当x不同时,在己烷中催化丁二烯聚合的催化剂利用率、增长速率常数、增长活化能等参数。测得催化剂利用率都只有1％左右,其聚合速率差别主要因kp不同引起。同时,测定了体系中各组分的链转移常数,发现该体系随x值不同有着很不相同的链转移规律。对于Ti(n—C_4H_9O)_4体系,增长链主要是向烷基铝转移,且呈二级反应;而Ti(n—C_4H_9O)_2Cl_2主要发生主催化剂自身转移。链转移强度的不同,决定着所得聚合物的最大分子量。     

二氧化锡中氧空位浓度与气敏性能关系的研究

用氢气还原二氧化锡,通过控制还原时间得到不同氧空位浓度的二氧化锡气敏材料,对其进行了XRD、XWS和SEM分析及比表面测定,讨论了二氧化锡气敏材料的氧空位浓度与其气敏性能的关系,提出通过控制氧空位浓度可以达到提高二氧化锡气敏材料性能和其特性稳定的目的.     

Preparation and properties of SrBi_(2.2) Ta_2O_9 thin film

1INTRODUCTION Ferroelectricfilmshaveattractedmuchatten tionduetotheirpotentialapplicationsinelectronic devices,suchaspyroelectricinfrareddetectors,opticalswitches,actuators,dynamicrandomac cessmemories(DRAMS)[1,2],andnon volatile randomaccessmemories(NVRAMS)[3,4].Re cently,thereisinterestinthestudyofbismuthlayerstructuredferroelectricmaterialsformemory applications.Inparticular,strontiumbismuthtan tanate(SBT),oneofthebismuthlayerstructuredcompounds,isapromisingcandidateforferroelec t…     

Li掺杂对ZnO薄膜发光特性的影响

为研究碱金属Li掺杂ZnO薄膜的结构及光学性能,利用射频磁控溅射法（RF）在si基片上制备ZnO薄膜和Zn1-LixO薄膜,通过x射线衍射、原子力显微镜和光致发光对薄膜进行测试．研究结果表明：基片温度为450℃时,（002）峰成为薄膜的主要衍射峰;掺入碱金属Li后,薄膜表面颗粒依然均匀;Li掺杂量在5％～15％变化时,带间跃迁峰发生明显红移现象,各发光峰的强度呈抛物线形式变化．