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1.
简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。 相似文献
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简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。 相似文献
3.
介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与单一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
用ＧａＡｓ单片电路形成的高性能Ｗ波段集成振荡源组件ＨＢＴＭＭＩＣ介质谐振器振荡器（ＤＲＯ）由于稳定性和相噪性能良好而受到微波和毫米波稳定振荡源的青睐。然而，Ｋａ波段以上的ＨＢＴＤＲＯ却少有报道。据《ＩＥＥＥＭ．Ｇ．Ｗ．Ｌ．》１９９４年第７期报道，Ｔｈ... 相似文献
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介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同。 相似文献
6.
赵秀芳 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
高功率Ｋｕ波段ＦＥＴ放大器《ＭｉｃｒｏｗａｖｅＪｏｕｒｎａｌ》１９９４年第３７卷第８期报导了新的系列Ｋｕ波段ＣａＡｓＦＥＴ功率放大器，其输出功率５０Ｗ，增益为６３ｄＢ。高功率Ｋｕ波段ＦＥＴ放大器可用于地面站的上行线路，取代行波管放大器（ＴＷＴＡ）。该... 相似文献
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采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ对和厚膜混合集成技术，设计，制作了一种运算放大器，并在３５０℃下进行了测试，在２５～３５０℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试。放大器的增益大于６０ｄＢ，共模抑制比大于５５ｄＢ，在整个温度范围内偏移电压从１３９ｍＶ，变化到１５９ｍＶ，这些结果证明了采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ和厚膜混合集成技术实现高温电路设计和组装的可行性。 相似文献
8.
概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。 相似文献
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阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。 相似文献
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Ｋａ频段低噪声ＨＥＭＴ放大器王军贤，方胜，戚友芹（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＫａ－ｂａｎｄＬｏｗＮｏｉｓｅＨＥＭＴＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＷａｎｇＪｕｎｘｉａｎ；ＦａｎＳｈｅｎｇ；ＱｉＹｏｕｑｉｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃ... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
用简单的光晶体管结构完成的高速单片Ｐ－ｉ－ｎ／ＨＢＴ和ＨＰＴ／ＨＢＴ光接收机据《ＩＥＥＥＰｈｏｔｏｎｉｃｓＴｅｃｈ．Ｌｅｔｔ．》１９９３年（第５卷）第１１期报道，把光探测器和前置放大器等部件集成在同一块基片上的单片光接收机将在每秒数千兆位的光波通信系... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
用Ｉｎ_（０．５）Ａｌ_（０．５）Ｐ作发射区的新型ＧａＡｓＨＢＴ近年来，异质结双极晶体管（ＨＢＴ）在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《ＩＥＥＥＥＤＬ》第１５卷１期报道．Ｊ．Ｍ．Ｋｕｏ等用气源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术首次生长出了Ｉｎ０．５Ａｌ０．５... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(3)
３０～４０ＧＨｚ单片压控振荡器据《ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧｕｉｄｅｄＷａｖｅＬｅｔｔ．》第４卷第８期报道，Ｋ．Ｒｉｅｐｅ等用高速ＧａｌｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ研制成一种３０～４０ＧＨｚ的单片压控振荡器（ＶＣＯ）。该ＶＣＯ的设计采用共射极ＨＢＴ组... 相似文献
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高速光检测器和高速光接收机进展 总被引：1，自引：0，他引：1
本文综述了近年来微波光电子学中高速光检测器和高速光接收机的进展，分析并对比了各种光电二极管的响应速度、噪声及暗电流特性；指出光波导与ＭＳＭ、ＰＩＮ为代表的高速光电二极管以及ＨＥＭＴ、ＨＢＴ等低噪声微波器件的光电集成，是高速光接收机的发展趋势，行波光检测器作为高速分布参数光电器件，光波导与光电二极管的融合，光场效应晶体管以及掺铒光纤放大器的应用，都是值得重视的发展动态。 相似文献
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本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。 相似文献
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介绍了通过插入ＩｎＡｓ层到ＩｎＧａＡｓ沟道中，改善了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的性质，合适的ＩｎＡｓ层厚度和准确的插入位置会使在３００Ｋ时此结构的ＨＥＭＴ比普通结构的ＨＥＭＴ的迁移率和电子速度分别提高３０％和１５％。 相似文献