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为了使谐波转换系统保持高效稳定的3次谐波转换,采用数值模拟的方法,研究了基频光脉冲波形对3倍频转换效率的影响,并对高斯脉冲和平顶脉冲的不同谐波转换特点作了详细分析.当基频光为高斯脉冲时,在3GW/cm2的输入条件下最佳的2倍频转换效率为56.8%,低于理论预计的66.7%.进一步计算了不同功率密度下,最佳2倍频转换效率与超高斯脉冲阶数的关系.当考虑空间走离效应,基频光时间和空间均为平顶分布时,最佳的2倍频转换效率为62%;若基频光时间为平顶分布、空间分布为高斯分布时,最佳2倍频转换效率为51%,进一步地偏离66.7%.结果表明,当基频光脉冲形状偏离理想的平顶分布时,适当地降低2倍频转换效率,可提高3倍频转换效率. 相似文献
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根据神光Ⅱ三次谐波转换中的各种现象,分析了晶体中高频周期相位调制的影响。目前国内大口径KDP晶体在中高频段存在强烈周期性相位调制,相位调制周期约20mm,调制幅度约35nm,导致三次谐波近、远场产生明显的强度调制,实验测得三倍频的近场周期条纹对比度在0.1~0.3之间,周期约12mm,理论分析该周期相位调制导致光束下游元件产生自聚焦风险明显增大,并且会引起三倍频远场畸变分裂,可聚焦能力下降。中高频段的周期调制可能来自于晶体加工过程中真空吸附,需要进一步实验判断并在加工中消除周期性的相位扰动。 相似文献
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超高强度飞秒脉冲的三次谐波转换 总被引:3,自引:0,他引:3
针对超高强度飞秒激光,对利用单块BBO晶体产生三倍频(THG)的过程进行了分析,比较了单块晶体中三阶非线性效应以及级联二阶非线性效应对三倍频转换效率的作用,讨论了入射基频光光强、晶体厚度、自相位调制(SPM)、交叉相位调制(XPM)、群速度失配、失谐角、方位角等因素对三倍频光转换效率、时间波形及光谱分布的影响,在此基础上,提出了提高三倍频转换效率的方法.研究结果表明:入射基频光强一定时,三倍频光的峰值光强、脉冲宽度(FWHM)随晶体厚度变化不明显.通过优化基频光入射角度,可提高单块BBO晶体三倍频光转换效率及峰值光强,并减小三倍频光脉冲宽度.此外,方位角的优化也可在一定程度上提高三倍频转换效率. 相似文献
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用紧致密度矩阵和弛豫时间近似方法,研究退极化效应对三次谐波产生的影响。给出三次谐波产生系数表达式。在半抛物量子阱中,给出三次谐波产生的数值结果。退极化效应破坏了三共振,修改了三次谐波产生谱。使原来的三共振峰退化为一双共振峰和一单共振峰。 相似文献
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运用分数维空间方法理论研究了GaAs/AlGaAs无限深和有限深方形量子阱中激子效应对三次谐波产生的影响。利用分数维空间模型获得波函数和束缚能级为空间维度的函数,而空间维度数是阱宽的函数。无限深方阱的维度数随着阱宽的减小从三维极限过渡到二维;而在有限深阱中,当维度数达到一个极值后,维度数随阱宽的减小而增大。采用密度矩阵和迭代法导出三次谐波的表达式。数值结果表明,考虑激子效应的三次谐波系数比只考虑电子状态的系数增大40%左右,并且三次谐波系数大小依赖于激子的受限程度。结果还表明在弛豫率较小情况下可以获得较大的三次谐波的系数。 相似文献
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为了研究高效的宽带三次谐波转换技术,采用了分步傅里叶变换和四阶Runge-Kutta法对CLBO晶体的宽带三倍频过程进行了数值模拟,分析了单倍单混和单倍双混模式下三倍频转换效率随入射基频光强度、频谱带宽的变化关系,并与KDP晶体的宽带三倍频转换特性进行了对比。在强度为3GW/cm2的40阶超高斯脉冲入射下,得到单倍双混模式下三倍频转换效率达到60%时对应的频谱宽度为650GHz,这与利用KDP晶体在相同条件下获得的频谱宽度相比,提高了近250GHz。研究结果表明,在单倍双混模式下使用CLBO晶体作为频率转换的非线性晶体可以有效地提高宽带三倍频的转换效率。 相似文献
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D. K. Wickenden T. J. Kistenmacher J. Miragliotta 《Journal of Electronic Materials》1994,23(11):1209-1214
The magnitude of the χ xxxx (3) element of the third-order optical susceptibility was measured in a series of wurtzite phase GaN nucleation layers (~450Å) deposited on (00.1) sapphire at 540°C and annealed to various temperatures up to 1050°C. The nonlinear optical response exhibited a significant increase in films that were annealed to temperatures in the range of 1015 to 1050°C. In addition, the correlation between the magnitude of χ xxxx (3) with both the maximum value of the linear absorbance gradient and the residual homogeneous strain in the overlayer suggests that variations in the crystalline content of the film and the bonding distance between the Ga and N atoms are primary factors in determining the third-order nonlinearity in GaN. 相似文献