Bi掺杂AgSnO2（12）电接触材料的制备及性能研究

将采用化学沉淀法制备的Bi掺杂量为25%(原子分数)的SnO2纳米颗粒(Sn0.75Bi0.25O2)作为增强相,借助于粉末冶金法制备了AgSnO2(12)电接触材料,分析了Bi元素掺杂对电接触材料性能的影响。试验结果表明,Sn0.75Bi0.25O2纳米颗粒增强的AgSnO2(12)电接触材料组织结构均匀,密度、硬度高,导电性好。电性能试验表明,Sn0.75Bi0.25O2纳米颗粒增强材料的燃弧时间短、能量低,接触电阻低且稳定,抗电弧侵蚀能力强。     

制备工艺对AgSnO_2(6.32)Sb_2O_3(3.69)触头材料组织与性能的影响

分别采用内氧化-粉末热挤压工艺和内氧化-热锻工艺制备了AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)触头材料,研究了制备工艺对AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)材料组织与性能的影响。结果表明:内氧化-粉末热挤压工艺制备的AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)材料组织分布的均匀性及其相对密度、硬度和导电率均优于内氧化-热锻工艺相同组分材料。     

粉末预氧化法AgSnO_2In_2O_3电接触材料的制备及性能研究

采用水雾化法制备含Ni、Cu、Bi、Te等多元素掺杂的Ag Sn In合金粉末,将合金粉末在一定条件下内氧化,经过破碎、过筛得到多氧化物掺杂Ag Sn O2In2O3粉末。粉末经冷等静压、烧结、挤压、拉拔、打制等工艺后制成铆钉型触头,与合金内氧化法(AOM)制备的同等Ag、Sn、In含量的材料进行力学物理性能和电性能比较。结果表明:多元素掺杂粉末内氧化法(POM)制备的Ag Sn O2In2O3电接触材料的硬度、抗拉强度、抗电弧侵蚀和抗材料转移性能明显优于AOM制备的Ag Sn O2In2O3电接触材料。     

不锈钢与金基体上电沉积Bi2Te3-ySey薄膜

采用控电位电沉积技术以不锈钢和金为基体制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。通过环境扫描电子显微镜(ESEM)、能量散射光谱(EDS)、X射线衍射光谱法(XRD)等方法,研究了不同基体对Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜形貌、组成及结构的影响。结果表明,在含有Bi3 、HTeO2 和Se4 的溶液中,可实现铋、碲、硒三元共沉积,制备出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。以金为基体电沉积的Bi2Te3-ySey薄膜的表面较平整、致密。在-0.04V沉积电位下,以不锈钢和金为基体电沉积Bi2Te3-ySey薄膜组成分别为Bi2Te2.39Se0.77和Bi2Te2.45Se0.85,且在不锈钢上电沉积制备的Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数更高,为-60mV/K。     

专利文摘

银-纳米氧化锡电触头材料及其制备工艺；以银氧化锡氧化镱为基础的电接触材料及其生产工艺；Al2O3／Cu电触头材料制备工艺；银稀土合金材料；银铜稀土合金材料；     

WC/Cu大电流滑动电接触材料的研究

为了提高电接触材料的导电、导热等性能,笔者采用粉末冶金溶渗技术制备出WC/Cu滑动电接触材料,并对其显微组织和性能进行了系统研究。结果表明:WC60～90/Cu滑动电接触材料随着WC含量的增加,材料的密度由11.508 g/cm3增加到13.305 g/cm3,硬度由HB187增加到HB477,导电率由14.6 m/(Ω.mm2)下降到10.6 m/(Ω.mm2)。耐磨性随着WC含量的增加显著提高,但高Cu含量的孕育期较长。磨损机制以磨粒磨损和表面接触疲劳为主。建议使用含量为WC70/Cu30～WC80/Cu20的滑动电接触材料。     

专利文摘

铜铬-铜复合触头材料及其制造方法;一种复合触点结构;长方形电触点;圆形电触点;一种Ag／Ti3SiC2电接触材料及其制备工艺;一种Ti3SiC3三层复合结构的电触头材料及其制备工艺;一种Ti3SiC2多层复合结构电触头材料及其制备工艺;一种Cu／Ti3siC3电接触材料及其制备工芝。     

Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu复合材料的制备与性能

采用含氧氮气(N2/O2)雾化喷射沉积技术制备Y-La-Al-Cu系多元系合金,通过化学反应原位生成(内氧化法)Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu多相氧化物颗粒增强铜基复合材料,并对材料的显微组织、力学物理性能和电学性能进行研究.结果表明,通过喷射沉积技术并结合内氧化工艺,可制得具有较好微观组织、形成的增强相弥散分布于基体、组织致密的Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu多相氧化颗粒增强铜基复合材料;随着冷加工变形量的增加,Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu多相氧化颗粒增强铜基复合材料的抗拉强度和硬度提高,而材料的延伸率与导电率逐渐降低     

掺杂Bi2O3、Mn3O4、CO2O3、LiCO3对NiCuZn铁氧体材料性能的影响

为了提升叠层片式抗EMI滤波器用低温共烧NiCuZn铁氧体材料的性能,研究了Bi2O3、Mn3O4、Co2O3、LiCO3掺杂对NiCuZn铁氧体材料微观结构及电磁性能的影响。采用传统的氧化物法制备NiCuZn材料,对材料的主配方、助烧剂、掺杂进行适当的选择,采用适当制备工艺可达到良好效果,制备出优异性能的抗EMI滤波器用低温共烧NiCuZn铁氧体材料。     

C_p/CuCd电接触材料制备工艺的研究

本文系统研究了在 Cp/ Cu Cd电接触材料制备过程中 ,原始粉末状态、压制压力、烧结温度等工艺参数对材料相对密度的影响。结果表明 ,原始粉末的差异对制备工艺的全过程均产生规律性的影响。压制压力对压坯密度的影响符合粉末冶金材料的一般压制规律。在烧结过程中 ,镉和孔隙扩散对烧结密实化过程起着重要作用。通过组织和性能对比 ,分析了后续加工工艺方法的优缺点。     

Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu复合材料的制备与性能

采用含氧氮气(N2/O2)雾化喷射沉积技术制备Y-La-Al-Cu系多元系合金,通过化学反应原位生成(内氧化法)Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu多相氧化物颗粒增强铜基复合材料,并对材料的显微组织、力学物理性能和电学性能进行研究。结果表明,通过喷射沉积技术并结合内氧化工艺,可制得具有较好微观组织、形成的增强相弥散分布于基体、组织致密的Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu多相氧化颗粒增强铜基复合材料;随着冷加工变形量的增加,Y2O3/La2O3/Al2O3/Cu多相氧化颗粒增强铜基复合材料的抗拉强度和硬度提高,而材料的延伸率与导电率逐渐降低。     

纳米触头材料电性能研究进展

分析了纳米材料与常规材料在热学性能和机械性能上的差异,综述了纳米触头材料在截流水平、抗电弧侵蚀和耐压能力等电性能研究上取得的进展,并对已有研究成果进行了概括和总结。结果表明:相对于同种配比的常规触头材料,纳米CuCr和AgFe触头材料的截流水平低于常规触头材料;纳米CuCr和AgFe的直流电弧稳定性高于常规触头材料,直流电弧寿命大于常规触头材料;纳米CuCr触头材料的耐压能力高于常规触头材料;纳米AgSnO2和AgNi触头材料的抗电弧侵蚀性能优于常规触头材料。因此,在今后对纳米触头材料的研究和开发过程中,加强纳米触头材料制备工艺研究和纳米触头材料的理论研究,有利于提高纳米触头材料电性能。     

稀土合金触头材料的制备及性能

利用粉末冶金方法研制了一种新型触头材料AgSnO2-La2O3-Bi2O3。选择优化过程参数如下：48MPa成形,920℃×8h烧结;64MPa复压,150℃×0.5h去应力退火。所得的AgSnO2-La2O3-Bi2O3触头材料与AgSnO2（12）和AgCdO（12）的物理、机械性能相近,电性能优于AgSnO2（12）和AgCdO（12）。     

机械合金化法制备CuW(85)电接触材料工艺研究

探索了机械合金化制备铜钨复合粉末、冷等静压成型、氢气气氛烧结制备CuW(85)电接触材料的工艺。对所制备的材料进行显微组织观察和性能测试,分析了不同工艺对材料性能的影响。     

交流接触器温度场数值仿真模拟

通过可视化建模的方法,在ANSYS的基础上模拟了交流接触器的稳态温度场分布。该交流接触器模型以动静接触组作为单一热源,主要建模步骤分为:3D模型创建、网格划分、前处理(包括定义单元类型、材料参数、接触条件等)、加载约束条件(包括电压、电流、空气对流等)及后处理图像数据分析。模拟仿真结果表明最高温度区域出现在触头处,且使用纯银材料或复合银材料Ag(SnO2)7(In2O3)3的结果差异甚小,整机温升情况处在安全工作温度范围。     

小型断路器用AgWNi触头材料的研制

采用粉末冶金熔渗工艺制备AgWNi触头材料,研究了材料的烧结行为以及添加元素Ni对材料性能的影响。用Archimede法测量样品密度,并对材料的显微组织进行了分析。结果表明,Ni可有效改善Ag与W的润湿性,使材料获得较高的致密度。与AgW55材料相比,其相对密度可达到98%~99%(提高约1.23%),硬度提高14.48%,电阻率降低3.9%。     

由第27届国际电接触会议评述电接触领域研究新进展

本文以第27届国际电接触会议论文为参考,简要评述了电接触领域研究的新进展,包括新型电接触材料、电接触材料模拟实验技术、电接触失效分析技术等。     

合金组元对银基触头材料电性能影响的研究

采用预氧化法工艺制备AgCdO(10)、AgSnO2(10)、AgZnO(10)三种电触头材料,在19 V、20 A直流感性负载下通过自主开发的模拟电性能试验机进行试验,用电光分析天平、SEM和EDX测量分析试验前后质量变化、试验后表面形貌与微区成分。结果表明,三种材料中AgSnO2(10)的致密度、硬度、电阻率最高,电磨损、燃弧能量、熔焊力、烧损面积最小,抗电弧侵蚀能力最好。