Cu(In_(0.7)Ga_(0.3))Se_2薄膜太阳电池的研究

采用直流溅射方法研究Cu(In0.7Ga0.3)Se(CIGS)薄膜太阳电池的背电极Mo薄膜、吸收层CIGS薄膜、缓冲层ZnS薄膜以及窗口层ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备条件,并利用XRD、AFM和SEM对薄膜表面形貌进行表征。根据实验结果制备了性能良好的CIGS薄膜电池,并初步研究了电池的I-V特性,研究发现制备的太阳电池的填充因子大概为36%,并分析影响填充因子的原因。通过反复研究CIGS薄膜电池的制备条件,为制备高效CIGS薄膜电池奠定了基础。     

溶胶-凝胶法制备ZAO透明导电氧化物薄膜的研究进展

溶胶-凝胶法是一种高效的制膜技术。本文综述了溶胶-凝胶法制备氧化锌铝(ZAO)透明导电氧化物薄膜(TCO)的原理、特点及研究进展,指出了采用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜今后急需解决的问题。     

溶胶-凝胶法制备ZAO透明导电氧化物薄膜的研究进展

溶胶-凝胶法是一种高效的制膜技术。本文综述了溶胶-凝胶法制备氧化锌铝（ZAO）透明导电氧化物薄膜（TCO）的原理、特点及研究进展,指出了采用溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜今后急需解决的问题。     

CIGS薄膜太阳电池柔性化

铜铟镓硒(copper indium gallium di Selenide,CIGS)被公认为最佳的薄膜太阳电池材料之一,CIGS薄膜太阳电池是一种高效的薄膜太阳电池。分析了柔性CIGS薄膜太阳电池的结构、衬底材料的选择、扩散垒的作用、吸收层和缓冲层的制备和特性,介绍了不锈钢箔、铝箔聚酰亚胺等柔性衬底CIGS薄膜太阳电池的研发情况,最后展望了柔性CIGS薄膜太阳电池的应用前景。     

Na掺杂工艺对CIGS薄膜及柔性器件性能的影响

采用共蒸发三步法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积CIGS薄膜,研究了Na掺杂工艺对PI衬底生长的CIGS薄膜性质及柔性太阳电池性能的影响。前掺Na工艺可有效改善吸收层CIGS薄膜电学性质,但会阻碍In、Ga互扩散,并导致CIGS薄膜结晶质量下降。这是由于在CIGS薄膜沉积过程中掺入Na原子,影响了薄膜生长的动力学过程。后掺Na工艺在提高吸收层CIGS薄膜电学性质的同时,避免了Na原子扩散对CIGS薄膜结晶质量的影响,最终提高了柔性CIGS薄膜太阳电池性能。     

CIGS薄膜太阳电池研究进展

Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池以其具有的诸多优势成为最具发展潜力的太阳电池之一。随着CIGS薄膜太阳电池光电转换效率世界纪录的不断被刷新,继续提高电池性能、研究无Cd缓冲层材料,发展柔性衬底CIGS薄膜电池及组件,优化现有的工艺流程,开发低成本的吸收层沉积工艺,尽快将实验室技术转移为CIGS电池组件的商业化生产成为今后的研究热点。主要介绍了CIGS薄膜太阳电池近年来在这些方面的研究进展。     

磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术

电源在磁控溅射法制备透明导电氧化物(TCO)薄膜的技术中起着重要的作用。本文重点介绍了磁控溅射TCO薄膜的电源技术发展现状及进展,首先简要说明了目前应用最广泛的直流电源技术及具备灭弧能力的脉冲电源技术的原理和主要优缺点。进一步的,介绍了具备快速灭弧补偿功能的新型直流电源技术和模块化电源技术。最后进一步分析了代表新一代技术的高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)电源的基本原理和优良特性,并指出其发展所面临的挑战。     

CIGS薄膜太阳能电池研究进展

薄膜太阳电池以其低成本吸引越来越多的研究者。CIGS薄膜作为光伏材料,其光电转化效率高,性能稳定,CIGS薄膜太阳能电池成为各国研究的热点之一。近来研究主要关注CIGS薄膜太阳电池大面化、薄膜效率影响因素和工艺研究。本文主要介绍CIGS薄膜电池近年来的研究进展。     

薄膜太阳电池研究进展和挑战

近十几年来,由于一系列新材料、新结构和新工艺的引入,传统薄膜太阳电池技术,如非晶硅(a-Si)、碲化镉(Cd Te)、铜铟镓硒(CIGS)都得到显著的提高,一些新兴薄膜太阳电池技术,如金属卤化物钙钛矿(metalhalide perovskite,PSC)、铜锌硒硫(CZTS)、硒化锑(Sb_2Se_3)也得到快速发展。其中CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的转换效率都大于22%。CdTe、CIGS薄膜太阳电池的产业化和规模应用也取得了很大的进展。薄膜太阳电池技术经过这十几年的研究,厚积薄发,为今后的进一步发展打下了更加坚实的基础。文中选取a-Si、CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的主要技术进展、发展趋势、产业化现状和面临的挑战进行论述。     

空间飞行器用太阳电池研究进展

介绍了执行深空探测和行星探测任务的空间飞行器用太阳电池研究进展,介绍了具有转换效率高、长期稳定性好、抗辐射能力强等优点的Cu(In,Ga)Se2(简称CIGS)薄膜太阳电池,综述了其结构及特点、吸收层薄膜的制备方法及其研究热点,认为随着研究的不断深入,太阳电池将在空间飞行器方面取得更加广阔的应用。     

铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池

介绍了铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的性能、优点以及应用范围;阐述了柔性薄膜太阳电池的国内外研究现状、发展趋势;特别介绍了柔性薄膜太阳电池的典型结构以及柔性衬底材料的要求和选择,底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜、上电极等各功能层的制备工艺等,同时简要介绍了其产业化面临的困难和挑战.     

柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池

介绍了柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的基本结构、研究现况、关键技术,同时指出了未来面临的挑战.     

铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征

以厚度为25～70mm的钛箔为衬底,直流磁控溅射法制备0.8～1.2mm的底电极Mo薄膜,而后以CuIn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-xGaxSe2薄膜。以化学浴沉积法制备缓冲层CdS,射频磁控溅射法制备ZnO和ZAO,直流磁控溅射法制备上电极,制得结构为衬底Ti/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZAO/Al,其光电转换效率达到7.3%(25℃,AM0)。     

Study on the electrical and optical properties of ITO and AZO thin film by oxygen gas flow rate

Transparent conductive oxide (TCO) thin films such as tin doped indium oxide (ITO), zinc doped indium oxide (IZO) and Al doped zinc oxide (AZO) have been widely used as transparent electrode for display. ITO and AZO thin films for display was prepared by the facing targets sputtering (FTS) system. The FTS method is called a plasma-free sputter method because the substrate is located apart from plasma. This system can deposit the thin film with low bombardment by high energetic particles in plasma such as γ-electrons, negative ions and reflected Ar atoms. ITO and AZO thin films were deposited on glass substrate at room temperature with oxygen gas flow rate and input power. And the electrical, structural and optical properties of the thin films were investigated. As a result, the resistivity of ITO, AZO thin film is 6?×?10^?4 Ω cm, 1?×?10^?3 Ω cm, respectively. And the optical transmittance of as-deposited thin films is over 80% at visible range.     

铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题

分析了CIGS太阳电池的总应力来自于单层膜中的沉积应力及膜层界面间的相互作用.计算得出Mo薄膜与CIGS薄膜界面晶格失配度最大,表明相对于其他界面,该界面的应力值较大.而作为缓冲层的CdS薄膜有效地改善了吸收层CIGS薄膜与窗口层ZnO薄膜的界面应力.而对于柔性衬底材料的PI薄膜,如何解决因其较大的热膨胀系数造成的热应...     

Efficiency enhancement of thin-film solar cell by implementation of double-absorber and BSF layers: the effect of thickness and carrier concentration

Journal of Computational Electronics - A back surface field CIGS multilayer solar cell structure is simulated by SCAPS 1D, in which a CZTSSe layer is added between BSF and CIGS layers as a second...     

碲化镉(CdTe)太阳电池科学与技术(英文)

多晶薄膜碲化镉(CdTe)太阳电池在光代转换地面应用方面很有发展前途.目前CdTe太阳电池转换效率接近16%.高效簿膜CdTe太阳电池是以硫化镉(CdS)作匹配的异质结太阳电池.符合器件要求的CdS薄膜有多种淀积技术,而从水溶液中生成的方法是最经济的.符合器件要求的CdTe薄膜有多种廉价淀积方法,包括近距离升华、元素联合蒸汽淀积、电沉积、丝网印刷和喷镀等.本文讨论CdS和CdTe薄膜的制备与性能,以及CdS/CdTe异质结太阳电池的特性.