D类音频功率放大器设计

论述了D类音频功率放大器的工作原理及设计原则．利用计算机辅助设计软件设计并仿真出一款D类功率放大器。同时实际制作出该电路，经实际测试：证明该放大器完全可满足设计要求，高效率是D类音频功率放大器所具有的最大优点．     

X波段GaN高效率连续B类功率放大器芯片设计

为有效地提升功率放大器的工作带宽和效率,基于0.25 μm GaN HEMT工艺,利用末级管芯输入、输出二次谐波调谐技术,设计了一款X波段GaN高效率连续B类功率放大器微波单片集成电路.末级管芯输出二次谐波调谐技术将晶体管的输出电容并入LC并联调谐电路中,简化了电路结构,并且优化并联LC调谐电路,将宽工作频带内各频点二...     

晶体管调谐功率放大器的设计探讨

本文利用集电极电流波形方程及图表来计算大功率晶体管调谐功率放大器的主要技术指标。简化了设计中的计算过程,计算结果准确性更高．文中还提出了米加偏置时大功率晶体管在大正弦信号激励下导通结束时间的计算公式。     

任意Q值下的共射—共基E类放大器的研究与分析

通过对任意Ｑ值下的共射－共基级联Ｅ类功率放大器进行了分析,并给出电路的构成、工作状态及特点和电路的工作过程,将利用ＰＳＰＩＣＥ仿真软件对任意Ｑ值下的共射－共基Ｅ类放大器电路进行仿真分析,最后给出放大器的实验结果和数据。     

D类音频功率放大器设计

论述了D类音频功率放大器的工作原理及设计原则 .利用计算机辅助设计软件设计并仿真出一款D类功率放大器 ,同时实际制作出该电路 ,经实际测试 :证明该放大器完全可满足设计要求 ,高效率是D类音频功率放大器所具有的最大优点     

基于单片机的D类射频功率放大器研究

为了进一步提高高频功率放大器的输出功率和效率,提出了借助单片机及CPLD分频产生射频载波信号,并用双电源D类高频功率放大器作为功放的方法.从D类放大器的基本原理出发,对系统的工作原理进行了分析,并对系统进行仿真实验.实验表明,该方法提高了信号的传输效率,降低了信号失真并且避免了信号的相互干扰.对D类功放进行的改进,可以极大地提高高频功率放大器的输出功率和效率,同时高频载波信号分频的问题也得到了很好的解决.     

调谐滤波器的失谐分析及调谐方法

详细分析了同轴滤波器的失谐原因，提出了多腔同轴滤波器的分腔调谐法和增加补偿结构的连动调谐法。此两种调谐法能使ＵＨＦ频段同轴滤波器调谐范围达８００ＭＨＺ以上。     

调谐液柱阻尼器参数计算的简化方法

建筑振动是结构工程中遇到的主要问题之一,如何减震已经成为该领域的研究热点.大量的理论实践证明,调谐液柱阻尼器(tuned liquid column damper,TLCD)是一个能有效减震的装置,并且由于其结构简单,易于安装,已经越来越多的在实际工程中得到应用.TLCD对建筑物减震效果的好坏,取决于其自身的参数,参数的选择至关重要.但是,由于液体固有的非线性阻尼特性,如采用传统的迭代法来计算参数,需要大量的时间用于计算,本文针对这个问题,提出了一种简化计算方法,以便能更方便地得出TLCD最优化的减震参数,进而方便设计合适的阻尼器.     

E类射频放大器的设计与效率改善

作为开关类的E类放大器,在射频放大领域有着重要用途。文章设计了一款2MHz的E类放大器,并就E类放大器的参数变化对放大器的工作状态和放大器效率的影响作用进行了分析,找到了影响E类放大器效率的三个主要因素及其影响规律,可为设计和调试E类放大器提供参考。     

具备参数检测及显示功能的低频功率放大器的设计

本设计的低频功率放大器基于甲乙类互补对称功率放大电路原理,采用集成运放NE5532构成三级前置放大电路有效放大弱信号．末级功放管采用大功率MOS晶体管IRF9640和IRF640对管,构成推挽式输出电路,有效减少非线性失真．采用集成滤波器MAX261消除工频信号干扰,放大器输出功率、直流电源的供给功率和整机效率等参数的检测及显示由单片机AT89C51控制实现,另外还针对本系统制做了自带的直流电源,可保证对负载的功率输出．     

基于Multisim的高频功率放大器特性分析

采用Multisim仿真软件对高频功率放大器原理和特性进行仿真分析,实现了对高频功放电路的几种外部特性的分析以及仿真测试,结果表明,仿真数据与理论数据一致,并且能显示出一些无法用电子仪器设备显示的波形和曲线,使结果更直观,更易于理解。     

基于EWB的音频功率放大电路设计

结合工程实际,设计了一种较实用的音频功率放大电路.该电路由音频信号发生模块、音频功率放大电路、直流电源电路组成.为了提高系统的可靠性、稳定性,利用EWB软件对电路进行了仿真,并进行系统的安装和调试.结果表明,该电路的设计方案是可行的、正确的,具有广泛的应用价值。     

0.18 μm CMOS高效高增益功率放大器设计

在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置.采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化.设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49％,功率增益达到32dB.     

实用低频功率放大器的设计

介绍制作具有小信号放大能力的低频功率放大器的基本原理、内容、技术路线．整个电路主要由稳压电源、前置放大器、功率放大器、波形变换电路共4个部分构成，电路结构简单，所选器件价格便宜，并给出了测试结果．实验结果表明该功率放大器在带宽、失真度、效率等方面具有较好的指标、较高的实用性，为功率放大器的设计提供了广阔的思路．     

高二次谐波抑制度UHF波段功率放大器

设计了一款470~510 MHz波段的功率放大器电路,给出了功率放大器的设计方法和过程,使用负反馈技术提高电路的稳定性并改善了电路部分性能,采用集总元件及微带传输线混合方式实现了电路匹配。使用ADS对电路进行了仿真,对电路加工后进行测试,测试结果表明增益大于11.2 dB,二次谐波抑制能力优于-24 dB,P1dB输出功率大于11 dBm,测试结果与仿真结果接近。     

用于CDMA2000的射频功率放大器仿真实现

该文给出了一个适用于CMDA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管，包括驱动级和功率级两级。为了同时实现CDMA2000系统所要求的最大输出功率时的良好线性度和改善中等输出功率时的效率，使功率放大器工作在近乙类，并采用了自适应性无源基极电阻偏置技术来抑制由于近乙类工作造成的增益失真。考虑了寄生效应的后仿真结果表明。该功率放大器在1850MHz。码片速率为1．2288Mcps的混合移相键控调制信号的激励下，在CDMA2000系统要求的最大输出功率28dBm处PAE达到44．8％，增益为27．4dB，偏离中心频率1．25MHz处的ACPR为-47．9dBc。     

光纤特性参数对光纤参量放大器增益的影响

基于四波混频光波耦合方程,研究了周期色散补偿情况下,高非线性光纤中双泵浦光纤参量放大增益平坦性问题。研究表明:在一段高非线性光纤内,通过周期插入色散补偿光纤,光纤参量放大器的增益起伏得到了明显的改善。高非线性光纤的长度和非线性系数与光纤参量放大器的增益平坦性有关。当增加高非线性光纤的长度和非线性系数时,光纤参量放大器的信号增益变大,但平坦性变差,可通过多插入几段色散补偿光纤来解决。     

C波段GaN HEMT功率放大器设计

该文介绍了一款应用于38 GHz的大功率超宽带功率放大器。电路设计中采用了键合线连接裸片与微带电路,并对该部分单独进行电磁场仿真。采用渐变微带线的方法实现了宽带匹配,通过HFSS与ADS的联合仿真优化设计,完成了大功率宽频带的功率放大器设计和仿真过程,仿真结果表明在频率38 GHz范围内增益（8．5＆#177;1） dB,1 dB压缩点输出功率为48 dBm最大饱和功率为49．5 dBm。