光纤通信用光电集成电路

本文介绍了光电集成电路(OEIC)工艺技术的新思想和新方法;叙述了光纤通信用 OEIC 器件的新结构与特性;分析了 OEIC 用于光纤通信的几个问题。     

国外光电子集成电路(OEIC)发展现状

本文对目前国外OEIC的研制状况作了较为详细的综述,首先介绍了OEIC的特点,OEIC的主要器件及其结构与性能,OEIC的集成方式,接着介绍了目前国外OEIC的开发进展、水平及应用,最后对OEIC的前景做了肤浅的展望。     

冲电气工业

<正> 由光学器件和电子电路以单片形式集成的电子器件OEIC,已经历了第一代的开发阶段,现正进入第二代OEIC的时代。第一代OEIC的研究目标曾集中在光纤通信系统的收发机和中继器的IC化上,所获得的有些技术成果引人注目,但尚未达到实际系统中的应用阶段。其理由是与混合电路相比,OEIC器件的传输速率不超过5Gb/s,这就显不出性能上的优点,并且产品成品率低、成本高。其中成本问题尤为突出。OEIC本来就是一种集成电路,     

光电子集成器件研究的新进展

本文介绍 OEIC 器件,侧重于基于 GaAs 和 InP 材料的、应用于光纤通信的 OEIC 发射器、接收器和中继器的发展现状、器件性能和各种关键新工艺,并探讨了其发展动向。     

日立制作所

<正> 一、开发经过与目标 OEIC的概念在1972年由加利福尼亚工科大学的Somekh等提出。国内厂家对OEIC的开发,在70年代还没有苗头。1980年由福沢等发表了激光器与FET集成及其高速工作的文章。以后各厂家在有关OEIC方面的研究开始活跃起来。我们把适用于超高速光通信系统方面的收发信机作目标,进行发射用OEIC及接收用OEIC的开发研究。 OEIC的优点是高功能化、小型化、低成本化、高可靠化。其中的高功能化,尤其是高速化,对将来的系统影响最大。所以大幅度地降低光器件和电子电路接口部分的寄生电抗,     

光电子集成和光子集成器

光电器件和光电子集成及光子集成(OEIC及PIC)是光电子技术的基础,也是整机性能优劣的标志,所以提高OEIC器件性能水平是发展光电子技术的关键。OEIC的概念于1971年首次提出,多年来一直是热门研究课题。70年代末,OEIC进展取得一系列重大突破,1978年,美国第一次成功研制出无腔面的适合于集成要求的DFB激光器,并将一个0.85μm GaAs激光二极管(LD)和一个     

日本电气

<正> 一、引言最近,普及光通信技术的工作干得很出色,不仅是基干传输系统,而且LAN和用户系统等各种光通信系统也正走向实用阶段。集成了光器件和电子电路的单片OEIC,是支持这些新兴光系统的关键器件之一。其目标是通过将光和电子这样的具有各不相同性质和特点的载流子组合起来,以实现优于过去分立光器件的新功能。对OEIC来说,这些基本概念很重要:(1)小型、价廉、高可靠性;(2)高速、高灵     

韩国的OEIC研究

本文按年代介绍韩国光电子和光电集成电路（OEIC）的进展以及用于通信的OEIC发射机和接收机，用于光开关和光计算的半导体激光逻辑器件。     

用MOCVD在InP衬底上生长的高性能GaAs MESFET

<正> 长波长光电集成电路(OEIC)的优点是成本低,可靠性高,改进性能后能适用于高比特率光纤通信系统。过去已报导过用InP材料可做出速度高达5Gbit/s的单片发射机OEIC和2Gbit/s的接收机OEIC。但是其集成度比GaAs基的OEIC低多了。原因是与GaAs工艺相比,InP基OEIC的器件工艺还很不成熟。最近,大家对异质外延的研究越来越广泛,异质外延的优点是;只要能控制不匹配材料的应变,就给最佳材料的选择增加了自由度。不少文献已报导过用MBE可在InP衬底上制作GaAs MESFET,它适合于长波长OEIC,得到的g_m高达170mS/mm,f_T为11     

OEIC的最新研究水平

<正> 从最近在日本神户举行的IOOC′89国际会议上报导的光电子集成(OEIC)方面的最新研究成果看来,目前OEIC发展的突出特点是:集成度大幅度提高,工艺结构不断创新,电路功能日趋多样化。OEIC不仅在光通信系统中,而且在光交换、光计算系统及芯片的光互连中得到广泛应用。大量信息的互连和并行处理最能发挥光的特长,这是OEIC很有前途的应用领域。在本届会议上报导的有代表性的研究结果有以下几方面: 1.日本NEC公司报导了一种垂直面发射电-光(VSTEP)三维器件。这种器件是在GaAs衬底上,用MBE方法生长多层GaAs/GaAlAs结构,将1024个VSTEP元件单片集成在同一芯片上。同一个单元兼有发射、开关和探测的复合功能,可用作动态光存储器。这种芯片还     

GaAs—on—InP异质结构长波长OEIC

本文介绍了GaAs-on-InP异质结构长波长光电集成回路（OEIC）。以InP为主要成分的光学器件和GaAs-IC都在InP衬底上单片集成，业已证明，GaAs-on-InP异质结构对于长波长高性能OEIC具有很大的潜在用途。     

异质结双极晶体管的计算机模拟分析和优化设计

<正> 一、引言 宽带隙发射极晶体管是Shockly于1951年提出的,70年代初发展起来的LEP,MBE和MOCVD外延技术才使这种器件得以实现,并充分体现出这种器件的优越性;同时也促进了OEIC的发展。本文对HBT直流稳态性能、频率及开关参数进行分析,对器件性能进行了优化设计。     

光集成的研究热点及光集成器件研究进展

近几年来,全球及国内光通信行业得到了长足的发展,光通信正向高速、大容量、宽带、长距离及低成本方向迅速发展。光器件和光电器件的集成化是光通信最重要的核心技术,而它的发展方向就是光集成(PIC)和光电集成(OEIC)。     

InGaAs(P)/InP光电子集成(OEIC)器件的研究与进展

单片集成光电子器件是采用光电子集成(OEIC)技术,将集成光路与集成电路融合为一体的一种器件,以完成发射、接收等特定的电路功能.本文着重于1.0～1.6μm波长范围的单片集成先电子器件,简要介绍目前正在广泛研究的OEIC的结构类型及其性能水平,讨论有关的材料生长技术和某些关键的工艺技术问题.     

松下电器产业

<正> 一、开发背景与目标现在谁也不能否认现代电子学的惊人发展是以硅器件的集成化技术为核心的。为赶上这一形势,光器件也开始向集成化的道路迈进。无论是电子器件,还是光器件,它们向集成化方向发展是技术发展的趋势,是理所当然的。大部分光器件有必要与电子电路相结合,人们期望通过光器件与电子电路集成化,也就是光电集成电路(OEIC)来解决在其连接部分由分布电容引起的频率退化和感应等问     

高质量、大直径GaAs单晶技术

<正> GaAs IC,OEIC作为硅材料以后的技术,其发展前景引人注目。很多研究机构或厂家进行了大力研究和开发。1981年10月,光共研刚成立时,就听到这样的话:“能否真正做成GaAs IC,OEIC,胜负就在于这2～3年的开发上”。两年前本杂志在题为“展望GaAs器件正规化时代”的特集中,作者以“GaAs单晶技术”为题叙述了有关制备单晶的方法、性能和问题以及动向等。这时恰好处于被称为     

强劲增长的OEIC市场

由于光纤通信技术的飞速发展和庞大的通信市场需求,把光学和电学功能集成在同一个衬底上的器件极受欢迎。随着Si和InP、GaAsⅢ-V族材料技术和器件制作工艺技术的发展,使制作各种复杂功能的高性能半导光电子集成器件和组件成为可能,相继出现了发射模块、接收模块和收发模块等光电子集成电路(OEIC)。把光学部件、     

编者的话

<正> 机电部13所第21次科研成果鉴定会、第十届学术年会已胜利结束,这标志着我所全体同志圆满地完成了1989年的全年任务。胜利的喜悦正激励着跨上九十年代骏马的我所同志们迎接新的战斗。 1988年制订的高技术研究为先导、高技术产品为核心的“技术和产品发展战略”要求作为四大支柱(微波毫米波器件及MIMIC;GaAs VHSIC;新型光电器件及OEIC;电办电子器件及SPIC)和三大支撑条件(半导体     

Pin/HBT OEIC光接收机

介绍了pin/HBT单片集成OEIC光接收机的集成结构和电路结构,分析了这种集成方式的光接收机前端设计过程中影响带宽和灵敏度的因素,总结了集成器件最新的研究进展。     

等离子诱导QWI对InP/InGaAsP结构的影响

为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量。实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景。