脉冲电晕对气调包装薄膜透气性能影响研究

采用脉冲电晕对非极性的食品包装薄膜聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)进行表面处理,研究了电晕处理时的4 种因素(即放电功率、电极与薄膜间的距离、走膜速率和导辊温度)对薄膜透气率的影响,探讨了电晕处理后薄膜的透气率和薄膜的表面张力值之间的关系,建立了电晕处理对薄膜透气率的影响规律。结果表明,电晕处理对薄膜的表面张力和薄膜的透气率有明显的影响,为建立电晕处理与薄膜透气率之间的数学模型和气调包装设计提供了可靠的薄膜透气率数值计算。     

软包装薄膜开口剂的工作原理及新一代开口剂的应用制膜技术

随着食品包装工业的不断进步和质量体系的完善，大家已经逐渐地在深入了解主导包装功能性的助剂对于食品软包装的品质及食品安全的长远影响。而大家在生产不同要求不同质量的薄膜时如何选用对应等级的开口剂直接关系到薄膜透明度、味道及开口性等。     

软包装(BOPP 薄膜)的电晕控制工艺

探讨了薄膜经电晕处理后,薄膜表面张力是如何变化与哪些因素有关,究其根源进而为母料生产厂家和薄膜再加工的用户提供一些参考.     

电晕处理对高性能PBO纤维的表面性能及其界面粘接性能的影响

对高性能PBO纤维表面进行了电晕处理,优化了其处理工艺。用XPS,FT-IR和SEM研究了处理前后纤维表面化学结构及物理结构的变化,通过单丝拔出试验和短梁剪切试验评价了PBO纤维与树脂基体的微宏观界面粘接性能。结果表明:经电晕处理后,PBO纤维表面含氧量增多,表面浸润性得到改善,单丝拔出的PBO-环氧界面剪切强度(IFSS)提高了25.6 ％,但短梁剪切强度(ILSS)的提高不明显。     

电晕处理对超高分子量聚乙烯纤维表面性能的影响

对超高分子量聚乙烯（UHMWPE）纤维表面进行了电晕处理,用XPS,FT-IR和SEM研究了处理前后纤维表面化学结构及物理结构的变化,通过单丝拔出试验和短梁剪切试验评价了UHMWPE纤维与树脂基体的微宏观界面粘接性能,结果表明：经电晕处理后,UHMWPE纤维表面含氧量增多,含氧基团数量与种类增加,表面浸润性得到改善,纤维与基体的界面粘结强度（Ts）提高幅度可达535％,短梁剪切强度TNOL提高了40％以上．     

退火处理对MgO薄膜性能的影响

采用磁控溅射法在石英衬底上制备了MgO薄膜并分别在不同温度下进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了MgO薄膜的结构和表面形貌随退火温度的变化,发现退火可以改善薄膜的结晶质量,即随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大,结晶性能更佳,表面更加平整。此外,通过紫外-可见光分光光度计研究了MgO薄膜光学特性的变化,发现随着薄膜退火温度的升高,可见光透射率下降,光学带隙值逐渐减小。     

新型耐电晕聚酰亚胺杂化薄膜的制备与性能研究

通过超声分散和原位聚合法制备了以s-BPDA/1,3,4-APB为树脂基体,以具有不同SiO2添加量的新型球型SiO2/聚酰亚胺杂化薄膜,所制备的杂化薄膜具有优异的力学、热学和耐电晕性能.通过SEM、TEM、FT-IR、UV-vis、DSC、TGA等实验手段对产物进行了分析和表征,并系统研究了SiO2的添加量对杂化薄膜...     

填充介质对电晕放电特性的影响

为了研究填充介质对电晕放电的影响,本文采用针-板放电装置,研究了不同条件下正、负直流电晕放电的起晕电压、平均电流等特性,获得了正、负直流电晕放电和正脉冲电晕放电的时间积分图像及正脉冲电晕放电的时间分辨图像。还分析了介质尺寸、形状、填充密度以及介电常数对正脉冲电晕放电特性的影响。所得结果表明,填充介质导致正、负直流电晕起晕电压升高。正电晕放电更易于激发填充介质的表面放电,且尺寸小的介质颗粒更容易形成环绕颗粒表面的放电。在正脉冲电晕放电中,填充介质密度、介电常数越高,起晕电压越低;球状介质比圆柱形介质更容易形成表面放电。     

热极化和电晕极化铁电PVDF薄膜的成分和结构

用高分辨率X-射线光电子能谱（XPS）研究了热极化和电晕极化的PVDF薄膜的成分和结构的变化。结果表明：PVDF薄膜的热极化和电晕极化反应过程和机理不同。在热极化过程中.高温强电场作用使PVDF薄膜产生了少量的F^-自由基,继而产生HF,形成了新C=C键：怛是,在电晕极化过程中荷能粒子使PVDF产生了H^＋自由基。热极...     

BOPP薄膜抗静电剂的研究现状及发展趋势

BOPP薄膜抗静电剂用来消除薄膜表面的静电.文中介绍了BOPP薄膜的抗静电剂及母料的原理、种类极其特性.并分析了国内外抗静电剂及其母料的研究现状及其发展趋势.     

处理工艺及仓贮环境对CPP薄膜表面湿张力的影响

本通过对电晕处理功率、电晕辊筒温度及不同仓贮温度、湿度的选择试验，分别阐述了电晕处理功率、电晕辊筒温度及仓贮环境对CPP薄膜表面润湿张力的影响规律，对实际CPP薄膜的生产、使用具有一定的指导意义。     

氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响

本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度。以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应。本文研究表明,氩等离子体处理是消除氧化物阻变效应电形成过程的有效手段。     

退火处理对SnOx薄膜气敏性能的影响

采用直流反应溅射方法制备SnOx气敏薄膜,并且在200℃～1000℃的氧化性气氛中进行退火处理.本文研究了退火工艺对二氧化锡薄膜的相结构和表面形貌的影响,并采用XPS表征了不同退火工艺下薄膜表面化学成分的变化.另外,比较了退火工艺对薄膜的电阻和气敏性能影响.实验证明:退火处理对于薄膜的O/Sn影响不大.经过退火处理的薄膜样品,基本具有完整的金红石结构,随着退火温度的增加,薄膜表面孔隙增加,表面电阻和对氢气的敏感性都显著提高.     

无机组分对聚酰亚胺杂化薄膜电性能的影响

初步探讨了聚酰亚胺薄膜在电场作用下的电学行为,采用溶胶-凝胶工艺制备了聚酰亚胺/二氧化硅纳米杂化薄膜,并对薄膜进行浸水24 h处理,利用原子力显微镜对制备的薄膜进行表面形貌表征,讨论了无机组分SiO2和水对薄膜电性能的影响.结果表明:无机组分的引入及两相间的界面形态将对杂化薄膜的电学性能产生重大的影响;偶联剂的引入使得两相间产生紧密的微相结合,并对电性能产生一定的影响.     

等离子处理对金属化薄膜阻透性能的影响

本文简要介绍了等离子处理技术的基本原理和作用，并且通过比较金属化薄膜经等离子处理与未经等离子处理阻透性能的差异，阐述了等离子处理与金属化薄膜阻透性能的关系。     

不同竖井侧向开口位置对烟囱效应影响的实验研究

利用火灾科学国家重点实验室典型小尺寸竖井模拟实验台开展了系列实验,通过改变不同侧向开口位置组合,对竖井内烟气温度进行定量测量,揭示了不同竖井侧向开口位置对烟囱效应的影响程度。实验结果表明:竖井内烟气运动过程是随着竖井结构的不同而变化的,主要取决于进气口及顶部、侧向开口打开情况。该研究较为全面的分析了全封闭竖井、全开放竖井、仅中性面以下侧向开口开放、仅中性面以上侧向开口开放及中性面以下、以上侧向开口均有开放等不同竖井结构内烟气运动规律,进而揭示了不同侧向开口位置组合对烟囱效应的影响程度。     

退火处理对溶胶-凝胶法制备AZO薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在普通载玻片衬底上制备出Al3 掺杂ZnO(AZO)薄膜.对所制备的薄膜在空气气氛中进行了不同温度(400～600℃)的退火处理,并在500℃下的不同气氛(氢气和氩气)中进行退火处理.利用XRD和SEM等分析手段对薄膜进行了表征,测定了薄膜的透光性.研究表明,随空气中退火温度的提高,ZnO薄膜(002)衍射峰强度得到增强,半高宽逐渐减小,透射率从85%提高到95%.薄膜晶粒尺寸范围为23.50～29.80 nm;在氢气和氩气气氛下退火得到的薄膜性能均优于在空气中退火得到的薄膜性能.     

石英管上SnO2薄膜面功率密度的优化工艺

利用化学喷涂工艺在石英管材上制作SnO2薄膜，成膜时在石英管表面和SnO2薄膜的界面上形成Si扩散层，随着成膜时间、固化温度的改变，Si扩散层的厚度不同，直接影响薄膜电阻率的改变，严重制约着薄膜面功率密度的改善。通过对形成Si扩散机理的3个阶段的分析．找出了Si扩散的主要因素．提出了5项防止Si扩散的控制措施，对批量生产和提高薄膜面功率密度有一定的参考作用。     

石英管上SnO_2薄膜面功率密度的优化工艺

利用化学喷涂工艺在石英管材上制作SnO2薄膜,成膜时在石英管表面和SnO2薄膜的界面上形成Si扩散层,随着成膜时间、固化温度的改变,Si扩散层的厚度不同,直接影响薄膜电阻率的改变,严重制约着薄膜面功率密度的改善。通过对形成Si扩散机理的3个阶段的分析,找出了Si扩散的主要因素,提出了5项防止Si扩散的控制措施,对批量生产和提高薄膜面功率密度有一定的参考作用。     

海拔对电晕笼中导线直流电晕特性的影响

我国第一条±800kV特高压直流输电线路的建设已经启动。电晕效应是特高压输电线路设计中所考虑的关键问题之一,海拔对直流导线电晕影响规律是特高压直流输电线路设计的依据。本文利用大电晕笼和型号为630/45的钢芯铝绞线为试验模型,分别在低海拔和高海拔两个试验基地进行试验。