随机存取存贮器

廉价随机存取存贮器的巨大的扩展的市场不断刺激电路设计的革新,而这种革新是和各种各样的集成电路工艺相关的。这方面的竞争希望在产品畅销的成本和性能方面取得重要的收益。 随着RAM工业的成熟,可以看出一些明显和不明显的趋势。首先,向密度更高(因此成本更低)的器件的发展还在继续;第二,方便用户变得日益重用,厂商(?)以单电源设计和全静态工作这样的特点来适应这一要求;第三,由于电源费用增高,因此,在高密度系统中自由使用的RAM倾向采用低功耗器件;第四,     

CMOS随机存取存贮器的设计

一 引言 互补全属一氧化物——半导体集成电路(以下简称CMOS±C)以其固有的独特优点而日益显示其强有力的生命力。这主要是:极低的静态功耗;较高的工作速度;对电源的波动要求不高;能在较宽温度范围及3V～15V范围内用单一电源正常工作;高的抗干涉能力。这些特点在大规模、超大规模集成电路(LSI及VLSI)中有特别重要意义,因为(1)在这里发热散热或     

修理随机存取存贮器的激光系统

英国特拉丁公司宣布研制成由第一台高度稳定的绿光激光器装配而成，用于修理最先进的半导体存贮器1兆位随机存取存贮器的激光系统。特拉丁公司在其新型M118G存贮器修理系统中应用绿光激光器，标志着这种激光束首次可能以极高的预期性和稳定性修理1兆位半导体存贮器片。     

MOS集成电路的世界市场

MOS集成电路的世界市场一览裹 (单位:百万美元)1 9 7 81 9 7 91 9 8 01 9 8 11 9 8 21 9 8 3民用品 手表 台式计算机 汽车 乐器 电视 钟 玩具 家用电器 家用计算机 其他电子计算机 CPU(包括存储器) 外围设备事务机 科学、事务计算机 其他工业用机 测量仪器 工业用机通信与航空 通信 其他政府与军事总计 535 89 89 83 48 62 28 80 25 6 25 721 405 316 315 155 160 145 T3 T2 241 161 80 1302,08T 632 95 82 13T 53 70 30 90 29 15 31 843 466 37T 362 163 199 16T 84 83 295 198 9T 1412,440 789 110 84 196 60 79 3T 114 40 30 391,0…     

64K位VMOS随机存取存贮器

本文将叙述一种根据早期试验器件的经验设计的64K位动态随机存取存贮器,其取数时间为150ns。器件芯片面积为3.6×7.0mm~2=25.2mm~2,装配在16条腿的管壳内。其电源为+8V和-2.5V;所有输入输出端皆与TTL相容。 芯片的显微照片如图(1)所示,它示出了芯片的内部结构:存贮单元陈列所占面积大于整个芯片的50％,由位译码器对等地分为两部分。取决于所加地址,启动包括读出放大器在内的一半单元。     

以绿光激光修理随机存取存贮器

美国Teradyne公司和Quantronix公司联合公布一项使用高度稳定的绿光激光修理一兆字节随机存取存贮器片的新技术。     

N型沟道硅栅4096位MOS随机存取存储器

在1972度国际固体电路会议上美国因特尔公司介绍采用 n 型沟道硅栅工艺制作的4096位 MOS RAM,进一步减小了单元面积和降低阈值电压及功耗。据介绍,该存储器作在一137×167密耳的芯片上,将成为另一种工业标准的电路。     

一个并行位选MOS存贮器的设计考虑

本文讨论了并行位选MOS存贮器的设计方案。用LSI技术能获得40K位的存贮容量,用字专和存贮字数都能扩大存贮容量。存贮器的实际体积较之用磁芯设计的体积要小得多。每位功耗同样比用磁芯的要小,全周期为1MS甚至更小,每位成本与磁芯设计成本进行了有利地比较。术语索引:地址选择技术,芯片互连的（?）虑,扇出的考虑,输入输出和地址寄存器,存贮器与计算机接口的实现,多层处理增速和减小单元尺寸,存贮器芯片的晶体管和导线数量,存贮芯片的结构,存贮芯片的输出逻辑,解决扇出问题,存贮器芯片的总数等等。     

与MOS存储器相竞争的动态I~2L随机存取存储器

双极存储器件首次打入了现在为动态 MOS 存储器所占领的主存系统领域。这个双极存储器(型号为93481)是一个4096位随机存取存储器,它是用先进的集成电路制造工艺与完美的集成注入逻辑(或称为并合晶体管单元逻辑)设计相结合而制造成     

半导体存贮器与磁芯存贮器的发展前途

一 半导体存贮器是六十年代中期问世的一种新颖存贮器件,它是大规模集成电路(LSI)中最有代表性的产品,其发展速度超过整个半导体工业发展的平均速度。由于它具有速度快、功耗低、体积小、成本低、可靠性高、外围电路简单等优点,因此近年来正有力地冲击着整个计算机存贮系统领域。表1、表2列出1976～1981年美、日、西欧半导体存贮器市场展望,从中看出其销售概况。1977年美国半导体存贮器的销售额达到6.32亿美元,而1971年只有0.7亿美元,即六年内增加了9倍。半导体存贮器在整个集成电路中的比重已由1971年的12％增长到1977年的30％。     

N沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器(RAM)

n沟硅栅MOS单管单元4096位动态随机存取存贮器,采用当前最广泛的n沟硅栅工艺制造。在不太严格的工艺条件下,即位线宽度7.5微米,位线电容C_D与单元电容C_s比等于或大于10的情况下,设计了一种读出放大器,使之能读出200毫伏左右的信号。单元的面积是60×30微米~2,芯片的总面积为4×5毫米~2。     

CMOS存贮器

半导体存贮器取代磁心存贮器而成为存贮器市场的主要主品,可以予见,今后将更迅速地向大容量和高速化方向发展,NMOS RAM领域内,16K的动态存贮器和AK的静态存贮器已经商品化。即使对于将PMOS和NMOS作在同一个片子上的互补器件CMOS RAM领域,也在朝大容量化和高速化进展本公司已生产出1K位的CMOS RAM。研制了目前世界领先的1024字×4位的C~2MOS静态存贮器TC50419,并已作为正式商品,参见表1,图1。     

波形存贮器

在科学技术研究中往往需要对单次非周期和随机瞬态过程进行测试。例如:测量爆炸过程中的冲击波、应力波;声纳,超声波等冲击音响及残响;生物体的生理反应;物理化学的瞬态反应;电路的暂态特性;电器开关的浪涌电流;继电器触点的延迟抖动特性;材料的应变断裂试验等,这些被测信号都不能用普通示波器及记录仪所观测记录。为了测量上述各种单次非周期和随机的瞬态信号,六十年代末就开始研制和生产了一种新型的测量仪器——波形存贮器,亦称瞬态波形记录仪。特点波形存贮器的主要特点如下:1.能存贮捕获各种单次随机的瞬态波形。在传     

全息照相存贮器

如果可以研制成功一项在全息照片上进行数据的光学贮存技术，那么不久就可能在一块邮票大小的板上贮存大约1000本书所包含的那么多的信息。光学数据贮存较一般磁带和磁盘的优越性在于它可以在一给定的区间贮存更多的信息，从而使计算机更小，信息恢复更快。