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采用简单的水热法在锌片基体上获得均匀排列的Zn O纳米棒阵列,在此基础上通过柠檬酸三钠辅助二次生长获得Zn O纳米棒-纳米片多级阵列结构。通过XRD和FE-SEM表征所得Zn O纳米棒和Zn O纳米棒-纳米片多级阵列结构的晶体结构和微观形貌。光催化降解亚甲基蓝溶液的结果表明,与Zn O纳米棒阵列相比,Zn O纳米棒-纳米片多级纳米阵列结构表现出更优异的光催化活性,紫外辐照下其光催化效率达到88.1%。 相似文献
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以乙酸锌为锌源、戊醇为溶剂的简单溶剂热法合成了ZnO结构前驱体,前驱体于350℃下煅烧2h得到ZnO纳米颗粒结构。探讨了戊醇和水的比例对产物形貌以及光电性能的影响。用X-射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微电镜(SEM)对其结构和形貌进行表征,并以ZnO纳米颗粒作为光电池阳极材料,经N719光敏化剂敏化,与自制的Pt对电极组装成电池器件,在模拟太阳光(100m W/cm2)的照射下,所组装的DSSC太阳能电池的开路电压为737m V;短路电流密度为2.309m A/cm2;填充因子为54.3%;光电转化效率为0.924%。 相似文献
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通过电化学阳极氧化-化学溶蚀技术制备了一种由无数纳米凸点和凹点所构成的新型铝基纳米点阵模板.采用直流反应磁控溅射法在这种新型模板上沉积得到氧化锌纳米结构薄膜.在室温下观察了氧化锌纳米结构薄膜的形貌,测定材料的晶体结构和光致发光(PL)性能,并讨论了不同溅射时间下制备的氧化锌纳米阵列结构以及其对氧化锌PL谱的性能影响.结果表明,采用直流反应磁控溅射-铝基纳米点阵模板可以制备ZnO纳米结构薄膜;PL谱表明溅射时间为10 min得到的氧化锌薄膜在396.5 nm和506.4 nm处分别出现紫外发射峰和蓝绿色荧光发射峰;随着溅射时间延长,氧化锌薄膜PL谱伴有红移现象且强度逐渐增强.这可能是由于改善了晶粒结构导致不能观测到ZnO薄膜的深能级发射峰所致. 相似文献
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采用沉淀法制备了纳米ZnO粉体催化剂,对催化剂进行了XRD、TEMI、R表征,研究了催化剂的反应活性。结果表明:利用沉淀法制备的催化剂对直接蓝湖5B染料溶液具有较高的催化活性。 相似文献
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通过静电纺丝法制备了直径为(320±51)nm的前驱体醋酸锌/聚氨酯(Zn(OAc)2/PU)复合纳米纤维。将前驱体先后经过0.1 mol/L NaOH乙醇溶液和甘油浴热处理,得到ZnO纳米晶/PU复合纳米纤维。讨论了甘油浴温度和时间对纳米纤维结构和形貌的影响,研究了其吸附性能。实验结果表明,经过0.1 mol/L NaOH乙醇溶液处理后,前驱体纤维Zn(OAc)2/PU转变为ZnO/PU纤维且ZnO主要以低结晶和无定型态存在;再经过甘油浴处理后,低结晶和无定型态的ZnO转变为晶型完整的六方晶系纤锌矿结构,得到了ZnO纳米晶/PU复合纳米纤维,该纤维对有机染料分子罗丹明B有良好的吸附性能。 相似文献
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《应用化工》2022,(5):1031-1034
为探究纳米ZnO改性沥青的路用性能,采用高速剪切法制备了纳米ZnO掺量分别为2%,4%,6%及8%的改性沥青,并通过光学显微镜、傅里叶红外光谱仪(FTIR)及差示扫描量热仪(DSC)对改性沥青的微观形貌、化学构成及热稳定性等性能进行表征与分析,再采用动态剪切流变仪和布氏粘度计分别对改性沥青的高温流变性能及黏温特性进行测试。结果表明,纳米ZnO能够均匀分散于基质沥青中,且与沥青发生交联反应,生成一种空间网状结构;纳米ZnO对基质沥青既有物理改性也有化学改性;随着纳米ZnO掺量的增大,改性沥青的低温性能及热稳定性均得到不同程度的改善;改性沥青呈现出更优的高温抗车辙能力及黏温特性。 相似文献
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采用水热法在ZnO籽晶层上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和室温光致发光谱.结果表明,In离子的掺入未改变薄膜的晶相结构,但抑制了ZnO晶粒的生长,使得ZnO的结晶度明显下降.随着In含量的增加,薄膜表面rms粗糙度和平均颗粒尺寸均逐渐减小,光学带隙Eg先增大后减小.所有薄膜的PL谱中均观察到405 nm左右的紫光发光带,研究了In掺杂量对紫光发光带的强度和峰位的影响,并对其紫光发射机理进行了探讨. 相似文献
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This paper reports the effects of the seed layers prepared by spin-coating and dip-coating methods on the morphology and density of ZnO nanowire arrays, thus on the performance of ZnO nanowire-based dye-sensitized solar cells (DSSCs). The nanowire films with the thick ZnO buffer layer (~0.8–1 μm thick) can improve the open circuit voltage of the DSSCs through suppressing carrier recombination, however, and cause the decrease of dye loading absorbed on ZnO nanowires. In order to further investigate the effect of TiO2 buffer layer on the performance of ZnO nanowire-based DSSCs, compared with the ZnO nanowire-based DSSCs without a compact TiO2 buffer layer, the photovoltaic conversion efficiency and open circuit voltage of the ZnO DSSCs with the compact TiO2 layer (~50 nm thick) were improved by 3.9–12.5 and 2.4–41.7%, respectively. This can be attributed to the introduction of the compact TiO2 layer prepared by sputtering method, which effectively suppressed carrier recombination occurring across both the film–electrolyte interface and the substrate–electrolyte interface. 相似文献
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采用两步法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO纳米棒,首先利用浸渍-提拉法在FTO导电玻璃衬底上制备ZnO晶种层,然后把有ZnO晶种层的FTO衬底放入盛有生长溶液的反应釜中利用水热法制备ZnO纳米棒.研究了生长溶液的浓度、生长温度和生长时间对所制备的对ZnO纳米棒阵列的微结构和光致发光性能的影响,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,沿(002)晶面择优取向生长,纳米棒的平均直径约为100 nm,长度约为2.5 μm.所制备的ZnO纳米棒在390 nm附近具有很强的紫外发光峰和在550 nm附近有较弱的宽绿光发光峰. 相似文献
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采用水热合成法在预先生长的ZnO种子层的玻璃衬底上制备出ZnO纳米棒有序阵列薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射分析表明:所制备的薄膜由垂直于ZnO种子层的纳米棒组成,呈单晶六角纤锌矿ZnO结构,且沿[001]方向择优生长,纳米棒的平均直径和长度分别为10.0nm和3.3μm。 相似文献
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Sheng-Rui Jian I-Ju Teng Ping-Feng Yang Yi-Shao Lai Jian-Ming Lu Jee-Gong Chang Shin-Pon Ju 《Nanoscale research letters》2008,3(5):186-193
This study reports the surface roughness and nanomechanical characteristics of ZnO thin films deposited on the various substrates,
obtained by means of atomic force microscopy (AFM), nanoindentation and nanoscratch techniques. ZnO thin films are deposited
on (a- and c-axis) sapphires and (0001) 6H-SiC substrates by using the pulsed-laser depositions (PLD) system. Continuous stiffness
measurements (CSM) technique is used in the nanoindentation tests to determine the hardness and Young’s modulus of ZnO thin
films. The importance of the ratio (H/E
film) of elastic to plastic deformation during nanoindentation of ZnO thin films on their behaviors in contact-induced damage
during fabrication of ZnO-based devices is considered. In addition, the friction coefficient of ZnO thin films is also presented
here. 相似文献
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ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力。本文主要介绍制备ZnO薄膜的技术和方法,并简要的介绍了ZnO薄膜的应用进展。 相似文献
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用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计观察4%(原子分数)In掺杂ZnO薄膜的微结构、表面形貌和光学性质.微结构分析表明:薄膜仍为六角纤锌矿结构,由于In杂质的掺入,使得薄膜结晶度劣化,退火温度对薄膜微结构影响较小;表面形貌观察结果显示:薄膜表面凹凸不平,450 ℃退火处理薄膜表面最平坦,尺寸在50~100 nm之间小颗粒致密、均匀地分布于起伏的表面;紫外可见透射谱研究结果表明:随着退火温度升高,薄膜光学带宽E_g由3.267 eV减小到3.197 eV,该结果可能与薄膜表面残余应力发生变化密切相关. 相似文献
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Feng Wang Xiaofang Qin Zhenliang Guo Yanfeng Meng Lixia Yang Yongfei Ming 《Ceramics International》2013,39(8):8969-8973
Dumbbell-shaped ZnO microstructures have been successfully synthesized by a facile hydrothermal method using only Zn(NO3)2·6H2O and NH3·H2O as raw materials at 150 °C for 10 h. The results from X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy (TEM) show that the prepared ZnO samples exhibit dumbbell-shaped morphology and hexagonal wurtzite structure. The length of ZnO dumbbells is about 5–20 μm, the diameters of the two ends and the middle part are about 1–5 μm and 0.5–3 μm, respectively. The dumbbell-shaped ZnO microstructures may be formed by self-assembly of ZnO nanorods with 1–5 μm in length and 100–200 nm in diameter. The photoluminescence (PL) spectrum of dumbbell-shaped ZnO microstructures at room temperature shows three emission peaks at about 362, 384 and 485 nm. 相似文献