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一种高共模抑制比仪用放大电路的设计 总被引:5,自引:0,他引:5
本文针对传统仪用放大电路的特点,介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路, 通过提取共模输入电压,引入共模负反馈,大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。 相似文献
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光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能。基于0.18μm CMOS工艺,针对大输入电容线性APD阵列的应用,设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器。基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽,同时实现了高增益和高带宽;设计了具有高电源抑制比的片上无电容低压差稳压器,提高了跨阻放大器的稳定性。仿真结果表明:跨阻增益为104.7 dB·Ω,带宽为198.8 MHz,等效输入噪声电流为3.65 pA·Hz~(-1/2),低频电源抑制比为-57.8 dB,全带宽范围内电源抑制比低于-10.6 dB。 相似文献
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基于有源电感的全集成超宽带低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用有源电感来实现超宽带低噪声放大器(UWB LNA),不但可以减小芯片面积、改善增益平坦度,而且可通过外部调节偏置电压来调谐有源电感的电感值,进而调整设计中没有考虑到的由工艺变化及封装寄生带来的增益退化.采用TSMC 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence设计工具完成了放大器电路及版图的设计.在3.1~10.6 GHz工作频率范围内,通过外部调节电压来调谐有源电感,可使LNA的增益S21在16~19 dB范围内变化,输入输出回波损耗S11,S22均小于-10 dB,噪声为2.4~3.7 dB,输入3阶截点IIP3为-4 dBm.整个电路芯片面积仅为0.11 mm2. 相似文献
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设计了一种能够为射频芯片提供低噪声、高PSRR、全集成LDO.采用SMIC 0.18μmRF工艺实现,芯片有效面积0.11 mm2.测试结果表明:当输出电流从0跳变为20 mA时,最大Ripple 为100 mV,稳定时间2μs;当输出电流为20mA,频率到1 MHz的情况下,PSRR<-30 dB;从1~100 kH... 相似文献
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基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比。仿真结果表明,该LDO在100 kHz和1 MHz处的输出噪声分别为26 nV/Hz1/2和6.7 nV/Hz1/2,10 kHz和1 MHz处的PSRR分别为-82 dB和-71.6 dB。在3.3 V电源电压供电时,LDO消耗的静态电流为300 μA。 相似文献
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Analyzing the influence on Q factor, which was caused by the parasitic effect in a CMOS RF on-chip integrated inductor, a concise method to increase the Q factor has been ob tained when optimizing the layout parameter. Using this method, the Q factor of 7.9 can be achieved in a 5nH inductor (operating frequency is 2GHz) while the errors in inductance are less than 0.5 % compared with the aimed values. It is proved by experiments that this method can guarantee the sufficient accuracy but require less computation time. Therefore, it is of great use for the design of the inductor in CMOS RF IC's. 相似文献
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在传统共源-共栅-共漏(CS-CG-CD)有源电感的基础上,提出一种改进型有源电感。在负跨导器的CG晶体管与正跨导器的CD晶体管之间引入带有并联电阻的第一反馈回路和具有小尺寸晶体管的第二反馈回路;另外,在负跨导器的CS晶体管与正跨导器的CD晶体管之间引入调控支路;最终,通过不同模块的相互配合及其他三个外部调控端电压的联合调节,实现了对电感性能的两种重构:1)在同一频率下取得高的Q峰值且Q峰值相对L值可大范围独立调节;2)在不同频率下取得高的Q峰值且Q峰值保持基本不变。验证结果表明,在频率5.81 GHz下,Q峰值可从1 132调谐到15 491,调谐范围高达1 268.5%,而电感值在7.65~7.67 nH之间变化,变化率仅为0.26%;在频率5.72 GHz、7.12 GHz和7.93 GHz下,分别取得了1 274、1 317和1 310的高Q峰值,Q峰值变化率仅为3.38%,同时分别取得了大的电感值7.62 nH、8.08 nH和8.81 nH;有源电感的直流功耗约为38.61 mW。 相似文献
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Analyzing the influence on Q factor, which was caused by the parasitic effect in a CMOS RF on chip integrated inductor, a concise method to increase the Q factor has been obtained when optimizing the layout parameter. Using this method, the Q factor of 7.9 can be achieved in a 5nH inductor (operating frequency is 2GHz) while the errors in inductance are less than 0.5% compared with the aimed values. It is proved by experiments that this method can guarantee the sufficient accuracy but require less computation time. Therefore, it is of great use for the design of the inductor in CMOS RF IC's. 相似文献
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分析各种结构前置放大器性能的基础上,给出了一个应用于2.5 Gbit/s光纤通信系统的,基于CMOS工艺的共栅结构跨阻放大器。为了减小输入等效噪声电流和提高带宽,采用了有源反馈和有源电感代替传统结构中的电阻反馈。测试结果表明,该电路具有61.8 dB的跨阻增益,2.01 GHz的带宽,输入等效噪声电流为9.5 pA/Hz~(1/2),核心电路功耗仅为3.02 mW。 相似文献
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针对已制作并发表的一种新型铁氧体磁膜结构射频集成微电感进行了等效电路分析.阐述了磁性铁氧体薄膜对电感的感值(L)和品质因数(Q)的增强作用.对射频测试结果进行了电路元件参数提取.结果表明,与空气芯无磁膜微电感相比,磁膜结构微电感的L和Q在2GHz处分别提高了17%和40%.等效电路分析和测试结果均证明了铁氧体薄膜的引入对增强射频集成微电感性能的作用显著. 相似文献