lR推出WideLead封装的车用MOSFET系列

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出采用新型WideLeadTO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50％引线电阻,并提高30％电流。这款新型车用MOSFET系列适合需要低导通电阻（Rds（on））的通用大负荷／高功率通孔应用,内燃机（ICE）汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。     

信息园

IR最新 30 V MOSFET降低导通电阻达 50 %全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司 ( International Rectifier,简称 IR) ,推出全新的30 V IRL 371 3系列 HEXFET功率 MOSFET,提供D2 Pak、TO- 2 62及 TO- 2 2 0等封装选择。采用D2 Pak封装的 IRL 371 3S元件 ,最大 RDS( on)值仅为 3m Ohm。相较于上一代面积相同的元件 ,导通电阻低出一半 ,却可在离散式 DC- DC转换器中展现高出 1 .5 %的效率。IRL371 3系列元件经过特别优化 ,适用于 48V输入离散式 DC- DC转换器的次级侧同步整流器( second- side synchronous recti…     

英飞凌推出额定电流高达120A的新型TO-247PLUS封装

正2014年12月2日,慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司针对大功率应用扩大分立式IGBT产品组合,推出新型TO-247PLUS封装,可满足额定电流高达120A的IGBT封装,并在相同的体积和引脚内装有满额二极管作为JEDEC标准TO-247-3。TO-247PLUS可用于UPS、焊接、太阳能、工业驱动等工业应用以及传动系统逆变器等汽车应用,可更新高功率输出的现有设计或者改进这些应用的热环境,从而提高系统可靠性和延长系统使用寿命。TO-247PLUS具备更高的电流承受能力,能够在并联时减少设备数量,实现     

VT1080/2080/3080S/VT1080/VT2080/3080C:肖特基整流器

Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器.这些整流器采用4种功率封装,具有10A～30A的电流额定范围. 该件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C.每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装.     

AUIRF1324WL／3004WL：MOSFET

国际整流器公司推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

SiHP16N50C等：功率MOSFET

Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。     

Vishay推出用于通信电源的170VTMBS~整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出9款采用功率TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件,丰富和扩大了TMBS誖Trench MOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用,电流等级从10A至80A,在30A下的典型正向压降为0.65V。     

Vishay推出用于通信电源的170VTMBS 整流器

日前,VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出9款采用功率TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件,丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用,电流等级从10A至80A,在30A下的典型正向压降为0．65V。     

Vishay推出新款500V功率MOSFET

日前,Vishay宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET-SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO-220FULLPAK）、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。     

元器件与组件

提高效率的150V功率MOSFET 两种150V大功率MOSFET由于其导通电阻减小了30％,相当于200V MOSFET。IXFH70N15是以TO-247封装,额定电流70A,导通电阻28mΩ;     

IR全新肖特基二极管比同类器件电流密度高出一倍

功率半导体专家国际整流器公司推出全新 15 0 V肖特基二极管 ,电流范围介于 2 0 A至 80 A,适用于电信系统、笔记本电脑功率适配器及打印机电源的输出整流。与同类器件及上一代解决方案相比 ,全新二极管将电流密度提高了一倍。各款 IR新系列肖特基二极管中 ,80 CPQ15 0的额定电流为 80 A,可取代两个并联的 TO- 2 4 7封装器件 ,或一个体积较大的 D6 1封装器件。 6 0 CTQ15 0 (PP)则为一款采用 TO- 2 2 0封装的 6 0 A器件 ,能取代体积较大的 TO- 2 4 7封装器件。新器件可用作现有设计的混入式替代元件 ,为新设计节省一半主板空间IR全…     

两款超级封装设计适用于大型半导体芯片——具备业界标准封装面积和引线间距而容纳更大半导体芯片

国际整流器公司两款创新的功率半导体封装设计,Super-220及Super-D2Pak,具备业界标准的封装面积和引线间距(lead spacing),却可容纳体积更大的半导体芯片,承受更高的电流。 Super-220封装与TO-220封装具有相同的面积,但硅含量却高出两倍多(相当于业界标准的TO-247封     

Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器

VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出9款采用功率TO—220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件，丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用，电流等级从10～80A，在30A下的典型正向压降为0．65V。     

电源与调节器件

IR新型有源ORing参考设计国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)近日推出一款针对+12V、100A有源应用的参考设计IRAC5001长期以来,在12V大电流系统中,有源ORing以其完善的系统效率和成本优势成功地取代了二极管ORing。与市面上采用TO-220元件的其他方案相比IR新推的IRAC5001解决方案据称进一步将所需场效应管的数量减少了50%。此外,凭借IRDirectFET封装MOSFET优异的双面冷却特性,整个解决方案的体积也减少了60%以上。IRAC5001参考设计包含4个并联的采用DirectFET封装的IRF660920V/2mΩMOSFET,构成0.5mΩ的…     

研诺转换器采用新的芯片级封装

研诺逻辑科技有限公司日前宣布为其AAT1149和AAT1171直流／直流转换器增加芯片级封装。由于去除了键合线，新的CSP封装极大地减少了占板面积。与传统带键合线的封装相比，新的封装选项还可减少杂散电感、电容和电阻以及由其产生的噪音。     

Fairchild发表能迅速变更输出电压的MOSFET

美国快捷半导体公司的日本法人快捷半导体日本,日前发表了可在瞬间使输出电压发生变化的MOSFET"FRFET”.可用于通信设备和服务器电源. "FRFET”是综合采用了快捷公司的QRET这一MOSFET基础技术和电子射线照射工艺而生产出的可获得高速恢复性能的产品.与该公司此前的产品相比,"FRFET”二极管的恢复特性Qrr(反向恢复电荷)和Trr (反向恢复时间)均提高了50%以上.另外,还通过降低切断时的单位时间内的电压变化量,减少了系统的损耗,提高了高速切换时的可靠性.MOSFET的耐压值为500V. 该公司将提供TO-3封装、额定电流为24A和28A以及TO-264封装、额定电流为40A的产品.每1000个购买时的单价,24A为4美元、28A为4.5美元、40A为6美元.     

BTN7930B／7960B／7970B／7971：电机驱动器IC

近日英飞凌公司推出了采用“绿色”TO-263封装的Nov—olithIC系列,包括电流高达32A（典型值）的BTN7930B、BTN7960B（47A）和BTN7970B（70A）。BTN7971经过专门设计,电流也高达70A,具备改进的开关性能。它采用相同的脉宽调制应用和电流,开关损耗降低50％。     

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

正东芝公司旗下的半导体存储产品公司日前宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650 V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调