100V体硅N-LDMOS器件研究

为了设计一款100 V体硅N-LDMOS器件,通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100 V体硅N-LDMOS最佳结构、工艺参数.折衷考虑到了击穿电压、开态电阻这一对矛盾体以满足设计指标.通过模拟曲线可知该高压器件的关态和开态的击穿电压都达到要求,开启电压为1.5 V,而且完全兼容国内体硅标准低压CMOS工艺,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片.     

与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用

采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。     

500 V体硅N-LDMOS器件研究

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。     

3300V逆导型IGBT器件仿真

基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下的饱和压降。采用二维数值仿真研究了器件结构及结构参数对器件性能的影响,通过结构参数拉偏,折衷优化IGBT与内集成二极管的性能参数,仿真得到的3 300V/50A逆导型IGBT器件饱和压降为3.4V,二极管导通压降为2.3V,阈值电压为5.6V,击穿电压为4 480V,与相同电压等级的分立IGBT器件和二极管性能相当。     

薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。     

功率VDMOS器件设计及研制

分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模,调整器件各个结构参数,提出采用P体区间厚氧化层方法提高器件的动态特性,获得满足设计目标要求的器件电性能参数,最终形成器件设计版图,并依此在现有生产线上进行工艺流片,根据流片结果进一步优化调整设计参数,最终获得一款击穿电压400 V、导通电阻0.45?、阈值电压2.5 V、开关特性较好的功率VDMOS器件。     

1200 V IGBT的性能优化

主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。     

Investigations of Key Technologies for 100V HVCMOS Process

提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程,并流片成功.实验结果表明,高压n管和高压p管的关态击穿电压分别为168和-158V,可以在100V高压下安全工作.     

100V高压CMOS工艺关键技术的研究

提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程,并流片成功.实验结果表明,高压n管和高压p管的关态击穿电压分别为168和-158V,可以在100V高压下安全工作.     

1200V大容量SiC MOSFET器件研制

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.     

-48V直流电源系统中的电压设置方案

介绍了-48V直流电源系统中是电压设置的基本原则，详细论述了三类通讯局（站）的电池放电终止电压的设置方法，以及高压告警点和低压告警点的设置方法。     

一种有源电压限位电路的设计

本文提出了一种新颖的电压限位电路。该电路该采用电压跟随器FOLLOWER和模拟二选一选择器结构,其中的比较器采用PNP双极型三极管,从而使输出更精确地跟随输入。与传统电压限压电路相比,该电路在设定的电压范围内,输出电压能更好地跟随输入电压变化,在输出端误差小,设定的电压范围以外,电路输出能固定在某一特定值。本电路基于0.35 um BCD工艺,对所设计电路进行了仿真验证。仿真结果表明,当下限阈值VTH-设定在0.5V,上限阈值VTH+设定在2V,输入电压VIN输入范围在0~3V内时,输出电压精确跟随VIN的变化而变化。     

A miniature high-efficiency fully digital adaptive voltage scaling buck converter

A miniature high-efficiency fully digital adaptive voltage scaling (AVS) buck converter is proposed in this paper. The pulse skip modulation with flexible duty cycle (FD-PSM) is used in the AVS controller, which simplifies the circuit architecture (<170 gates) and greatly saves the die area and the power consumption. The converter is implemented in a 0.13-μm one-poly-eight-metal (1P8 M) complementary metal oxide semiconductor process and the active on-chip area of the controller is only 0.003 mm², which is much smaller. The measurement results show that when the operating frequency of the digital load scales dynamically from 25.6 MHz to 112.6 MHz, the supply voltage of which can be scaled adaptively from 0.84 V to 1.95 V. The controller dissipates only 17.2 μW, while the supply voltage of the load is 1 V and the operating frequency is 40 MHz.     

LCD图形模块的控制技术

从ＳＥＤ１５６１和ＳＥＤ１５２８、ＳＥＤ１５２１的控制技术出发,阐述了一个模块（由１２８×３２点和１２个７段码“８”字组成）含有两块控制器的控制技术及关键问题的解决     

不同阻值电阻分压器对MOV残压测试的影响

冲击电阻分压器是测量压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)残压必不可少的设备之一,为了测量残压的准确性,利用三组不同分压器对高压臂电阻值优选范围进行试验研究,同时在源阻抗为0.45Ω和1.1Ω的8/20μs波形冲击电流发生器下进行MOV残压试验。试验结果表明冲击电压发生器源阻抗低时,A、B、C三组分压器在20kA下测得残压不会发生分压比线性偏离,20kA以上高压臂阻值越高,分压器越稳定;冲击电压发生器源阻抗上升至1.1Ω时,A、C分压器在不同冲击电流下测试分压比均稳定,高压臂阻值对测量MOV残压影响很小。     

110kV变电站PT电压异常研究与改造

高压测试是非常重要的工作,为了能够更好地进行高压测试,需要考虑线路检测技术的可行性。电气测试中存在着危险性,所以为了确保电力生产的安全性,应该考虑保证电气测试的安全性。本文主要介绍了110kV变电站PT电压的异常处理和分析方式,阐述了高压测试的工作流程,望能够为后续的工作人员提供帮助。     

薄膜电容器介电强度分析

薄膜电容器是电子仪器中常用的电子元器件,主要用于电视机、显示器、空调、通讯设备、冰箱等设备中。该文介绍了电容器介电强度的概念、电容器介电强度的几个参数即击穿电压、工作电压、试验电压,以及它们之间的关系,介绍了电容器击穿的三种形式即瞬时电压作用下电容器的击穿、电容器的热击穿、在长期电压作用下电容器的击穿——老化击穿。并结合生产实际,总结了提高电容器介电强度的方法。     

低压电机单机再起动控制器的设计与实现

分散式低压电机单机再起动控制有着广泛的应用需求.他不仅要求具有相当的可靠性、安全性、可维护性、可用性,还应具有良好的经济性.文中介绍了一种简单易用的低压电机单机再起动控制器的设计思想,着重说明了相关硬件模块的选择、再起动响应的实施步骤、与省电和电源控制相关的硬软件方法和基本功能实现.该系统投资少、体积小、应用方便灵活、功能简单可靠,已通过相关技术检测,成功应用到生产实践中.     

Reference voltage calculation method based on zero-sequence component optimisation for a regional compensation DVR

This paper describes the design of a dynamic voltage restorer (DVR) that can simultaneously protect several sensitive loads from voltage sags in a region of an MV distribution network. A novel reference voltage calculation method based on zero-sequence voltage optimisation is proposed for this DVR to optimise cost-effectiveness in compensation of voltage sags with different characteristics in an ungrounded neutral system. Based on a detailed analysis of the characteristics of voltage sags caused by different types of faults and the effect of the wiring mode of the transformer on these characteristics, the optimisation target of the reference voltage calculation is presented with several constraints. The reference voltages under all types of voltage sags are calculated by optimising the zero-sequence component, which can reduce the degree of swell in the phase-to-ground voltage after compensation to the maximum extent and can improve the symmetry degree of the output voltages of the DVR, thereby effectively increasing the compensation ability. The validity and effectiveness of the proposed method are verified by simulation and experimental results.     

基于标准CMOS工艺的UHF无源通讯电源电路设计与实现

针对UHF射频无源通信系统中,无源射频接收端的电源电路设计难题,以提高其电源转换电路的能量转换效率和输出电压的稳定性为目标,研究了在标准CMOS工艺下实现肖特基二极管的方法,并从理论上推导了其传输特性,提出了一种新型的限压电路,改进了传统带隙结构。与传统结构相比,新的UHF射频无源通信接收端的电源电路的能量转换效率高,开启速度快,输出电压稳定性更好,能够大幅改善射频无源接收电路的工作性能。最后还给出了芯片实现的版图,以及模拟和测试结果。