电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用

介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。     

在半导体光掩模制备工艺中超微粒干版的使用条件

随着半导体中、大规模集成电路的飞速发展,光刻掩模的制备手段和使用材料都发生了巨大变革,乳胶掩模版几乎已全为金属掩模、表面敷有防止反射膜的掩模以及橙色透明金属氧化物的掩模所取代。但是在初缩、精缩的过程中母版的制作及在通常的光学照相系统中,暂时还找不到更理想的替代物。所以,如何提高乳胶干版的质量,找出最佳的使用工艺成为从事制版工作的人们不断探讨的课题。本文仅对乳胶掩模版的制备工艺提出一些方法和意见。     

微缩镜头的正确使用与维修保养

<正> 初缩镜头与精缩镜头都属于半导体工业用的微缩制版照相镜头,简称微缩镜头。它的质量的优劣直接影响光刻掩模的质量,继而影响半导体器件平面工艺的质量。近年来,我国半导体工业在迅速的发展。半导体器件的图型结构越来越细,进而对光刻掩模的要求也越来越高。因此,对微缩镜头的要求亦越来越严。微缩镜头应具备的性能光刻质量的高低与光刻掩模版的质量有着密切的关系。质量较高的掩模版应当具备:1、整幅版的图像边缘要清晰,而且在图型阵列中的每一个微小图型的图像也要清晰。2、图型尺寸要准确且不发生变形。     

TF 1型图形发生器的研制

一、前言掩膜版制作是半导体集成电路生产的第一道工序,而制作一次版又是掩模版生产中的关键工艺。目前,国内制作一次版仍以刻图—初缩为主要手段。但因刻图—初缩的面积和精度受到限制,无法满足大规模集成电路发展的需要。所以,图形发生器是国内发展大规模集成电路的一项关键设备。     

精缩照相机精缩镜头设计

在半导体集成电路制造工艺中,照相制版工序是关键之一。目前,大规模集成电路的制作对精缩掩模版的要求已相当高,为满足照相制版的需要,对精缩镜头的要求也越来越高。大规模集成电路制版技术,大大地促进了高精度镜头的研制,电子计算机的广泛应用又为设计高质量镜头提供了可能。     

精缩机制版阵列插图研究

介绍了利用3696精缩机进行制版阵列插图的研究工作,总结了插图工艺制作的基本方法、常见问题及解决办法.通过具体应用实例,对多种形式的阵列插图制作进行了有益的探讨,对光掩模版的制造具有一定的指导意义.     

精缩拼图制作超大芯片掩模版

随着电子工业的迅速发展,集成电路制版已有相当精密的成套设备.图象发生器问世之前,版图设计既使按很小的比例画图,有时其几何尺寸也很大,初缩机稿架比之还将略大才可能使照度均匀.图象发生器的使用园满地解决了大图小稿架的矛盾,但目前国内需要制掩模版的不少行业并未能普遍使用图象发生器加工初缩版,用电子扫描一次作成掩模版的更是曲指可数了.对于目前普遍使用传统工艺设备     

用于大规模集成电路光刻掩模版的保护膜

一、引言 目前国内不少单位,在制作大规模集成电路光刻掩模版时,都采用国外的高解象力干版,以直接精缩的办法,为生产线上提供光刻版。这样做,虽然在光刻版的几何图形完整率上得到了有效的保证,但是,高解象力干版感光层不能经受在接触式曝光中的摩擦,它的使用寿命受到很大的限制。在具体应用中,仅通过四次以下的接触式曝光,掩模版面的几何图形便出现损坏,随着光刻次数不断增加,版面的几何图形损坏率激增。同时,由于采用精缩方法直接制作掩模版,生产效率很低,不能很好地满足生产线光刻的需要。     

一种采用精缩机拼接斜线条图形的方法

提出一种由曝光单元拼接斜矩形线条的数学模型,基于该模型编制了一款数据处理程序。利用该数据处理程序和特制的光栏版,使精缩机实现图形发生器的功能,精确拼接出无锯齿状边缘的斜线条图形,为制作特殊的掩模版提供了一种实用的方法。     

掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。     

超微细平面图形成形技术的发展

<正> 概 述 为适应微电子技术迅速发展的需要,作为其中一项基础技术的微细平面图形成形技术随之得到飞速的发展。 平面图形的成形技术,到目前为止有以下几种: 1、a.绘图、刻图、揭膜、初缩、精缩、接触光刻; b.自动刻图、揭膜、初缩、精缩、 接触或接近式光刻; 2、a.光学图形发生器作初缩版、精缩、接触或接近或投影式光刻;     

JS—3型精缩照象机电控原理

JS—3型精缩机是在JS—2精缩机成功地应用了光栅定位的基础上,为适应中、大规模象成电路制版需要而研制的。它保持了Ⅱ型机的基本方案,但在整机功能上除了可以进行固定程序拍版,还增加了选择程序拍版功能。这样可以为自动光刻制作对位标记、拼图、制备异图掩膜版等等。并采用了行进式曝光,大大地提高了制版效率。     

电子束曝光机制作分离掩模版的套准精度

一、前言电子束曝光机制作的高精度分离掩模版,精度高。要检查一套版之间的相对套准精度,往往比较困难。若用掩模版比较仪测量,只能测量相对精度,且精度较低,要测到±0.5μm的相对误差,已属不易。采用光刻工艺来检验掩模版的相对套准精度,尽管和器件生产工艺相容好,但测试周期长;而且由于光刻、腐蚀等工艺过程要带来相当可观的精度损失。因此作为一种工艺考核是可以的,而作为掩模版的套准精度就不合适了。     

微水刀激光技术用于制造第4代OLED掩模版

1 引言 真空掩模蒸镀是制备OLED发光层的主要方法.OIJED掩模版所用的材料是热膨胀系数极低的Invar合金,通常掩模版的厚度只有40μm,带有几百万个微小的长方形像素.由于使用三基色发光材料的彩色OLED在制造过程中需要先后使用几张掩模版,因而对掩模版的精度要求非常高.     

一种掩模版制版用夹具装置的研制

介绍了一种掩模版制版用夹具装置,该装置具有准确的定位功能,能够自动补偿片厚误差,可进行真空复印使母掩模版与子掩模版紧密贴附,操作方便等特点。     

掩模测量

<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。     

国外电子束曝光设备的新进展

<正> 一、前言从六十年代末以来,电子束曝光设备在技术上的进展是十分显著的。由于电子束曝光设备具有高分辨率、高精度和使用灵活的特点,在集成电路的制造工艺中,主要用于制版(1×掩模版、10×和5×中间版)和在硅片上直接扫描制作电路图形。目前,电子束曝光设备已经成为大规模集成电路和超大规模集成电路     

国外图形发生器发展概况

一、前言随着半导体集成电路由大规模集成向超大规模集成化方向的飞速发展,电路图形日趋复杂,线条已进入亚微米领域,对掩模版的精度要求亦越来越高。因此,制作高质量的掩模版是发展现代集成电路工业的关键步骤之一。作为主要制版设备的图形发生器,其所处的重要地位是不言而喻的。     

光刻胶等效扩散长度对O.13μm 工艺窗口的影响

介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估.展示了在0.13μm及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果.     

环氧树脂多模光波导的研制

以环氧树脂为材料,用简单、低成本的非接触式光 刻法制作多模光波导。通过实验,找出一种可靠有效的有机溶剂作为 显影剂及其相应的显影时间; 并研究了温湿度和旋涂工艺对光波导厚度的影响;以及光刻掩模版透光部分宽度、光刻 掩模版与下包 层之间的间距、曝光光强和曝光时间对光波导宽度的影响。扫描电子显微镜(SEM)对 样品形貌分析表明,脊形光波导表面光滑且侧壁笔直,光波导芯横截面约为 50μm×50μm。采用cut-back法,测出环氧树脂多模光波导的传输损耗为0.1dB/cm@850nm。考虑到 光电集成过程中对光波导的高温冲击,对样品进行了热稳定性试验,获得的最高稳定温 度为210℃。