碳化硅衬底为半导体照明产业注入新活力

碳化硅不但是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,同时也特别适合用于制备低能耗、大功率白光器件,在未来的路灯和室外照明领域具有巨大的市场潜力。     

普瑞光电硅上氮化镓基LED技术实现135 lm/W效能

美国LED照明技术研发暨生产商普瑞光电(Bridgelux)取得重大技术突破,其硅上氮化镓基LED技术已达到135lm/W的效能。普瑞表示,这是行业首个达到商用级性能的硅基LED。当大批量生产时,LED外延片大多采用蓝宝石或碳化硅衬底作为基板材料,但大尺寸的蓝宝石和碳化硅衬底价格昂贵,加工困难,且不易获得。     

超高亮度二极管产业现状和发展趋势

爱迪生对灯泡的发明，使人类利用电来照明的梦想变成了现实，实现了人类历史上照明方法的一次伟大革命。但是，这一传统的以灯泡为基础的照明方法，在二十一世纪的今天，却遇到了用氮化镓基宽禁带半导体材料研制的白光发光二极管的严峻挑战！氮化镓基宽禁带半导体材料研制的白光发光二极管有望在未来的十几年内进入传统的以灯泡为基础的照明领域，引起照明方法的又一次伟大革命！     

中国LED发展需突破封装难题

近年来LED产业开始逐渐从喧嚣的照明革命中冷静下来,中国LED产业发展日趋成熟和理智。发光二极管(LED)的发光效能也在过往的十年间已大幅提升,从过去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦,当前高功率LED已达到适用于大规模通用半导体照明的地步。并且半导体照明拥有诸如节能、环保、长效等主要优点,是非常值得推广的新一代照明光源,而LED     

晶能光电走出LED发展特色路

“拥有完整的自主知识产权，打破了日美等发达国家对半导体照明技术的垄断，其产业前景和战略意义不可限量。”这是国内外专家对晶能光电“硅衬底发光二极管”项目的高度评价。2007年2月1日．该项目在南昌高新区开工，走上了产业化发展之路。     

半导体照明中的非成像光学及其应用

以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照明光源的制造为突破点,带动整个半导体照明产业的快速进步,已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用,并通过设计实例,介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。     

半导体照明技术的发展现状和展望

1前言 自20世纪60年代初首只GaAsP红色发光二极管(以下简称LED)问世以来,经过40年的努力,LED的研究和生产得到迅速发展.     

氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究

氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景,中国科学院半导体研究所和深圳市方大国科光电技术公司利用双方各自的技术优势和资金管理优势,实现了氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化,目前产品已经批量上市销售。     

半导体封装工艺对光耦元器件影响研究

光电耦合器封装工艺是利用发光二极管与光敏半导体的复合封装及光电效应,从而实现电气绝缘光电信息传输.常见的内部结构为垂直对照式、斜对照式、水平反光式等.本文以常规对照式封装工艺设计进行研究,分析发光二极管、光敏半导体管、封装结构设计、封装点胶工艺、塑封白胶等材料与封装工艺对与光耦晶体管特性CTR的影响.     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础。如果能将它们集成在一个芯片上,信息传输速度,储存和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现在的集成电路是采用硅材料,而发光器件则用ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体。Ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟。因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺铒硅、多孔硅、纳米硅以及 Ｓｉ／ＳｉＯ_２等超晶格结构材料,并展望了这些不同硅基发光材料和发光器件在光电集成中的发展前景。     

封装测试

RFMD新建上海研发中心；美国海仕光电公司在武汉建半导体照明产业园‘     

1W级大功率白光LED发光效率研究

研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0～0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快.在器件额定功率1 W附近,发光效率为13 lm/W.发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的.     

NEC新型硅二极管高速实现光电转换

NEC开发成功了可将光信号高速转换为电信号的硅发光二极管，并在“国际纳米综合展·技术会议（nanotech2005）”上展出。通过采用硅材料生产，不仅可以减小光通信系统的体积、实现低成本，而且将来还有望在LSI内部的光布线中使用。     

北京工大半导体照明技术进入产业化阶段

北京市唯一进入国家半导体照明工程的“高效高亮度发光二级管扩建项目”奠基开工。耗电仅4W的半导体灯（LED），亮度却与30W普通白炽灯相当，而使用寿命是白炽灯的50倍以上。这就是被誉为21世纪照明革命的半导体照明技术。     

国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状

GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了大尺寸衬底技术(6英寸SiC衬底、8英寸Si衬底)、GaN HEMT与Si CMOS器件异质集成技术以及金刚石基GaN HEMT材料集成技术的研发进展.分析了GaN功率器件材料技术的发展趋势,认为更大尺寸更高质量衬底和外延材料制作、外延技术的改进、金刚石等新型衬底材料研发以及GaN基材料与Si材料的异质集成技术等将是未来研究的重点.     

半导体照明关键技术研究

以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200 lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间.从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向.     

50瓦半导体照明光源技术

发光二极管作为半导体照明光源具有发光效率高、寿命长的优点,但是它在工作时大部分能量都转化成热量,只有小部分能量转化为光能。如果散热问题不解决好,热量的积聚会导致发光二极管PN结的结温升高,     

固态照明

固态照明（Solid—State Lighting，SSL）是一种全新的照明技术，利用半导体芯片作为发光材料，直接将电能转换为光能，它与白炽灯的钨丝发光和节能灯的三基色粉发光不同，半导体发光二极管（LED）采用电场发光，光电转换效率比较高。固态照明具有节能、环保、寿命长、免维护、易控制等特点。     

有机封装材料的发展充满机遇

半导体有机封装材料的发展，依然聚焦于对性能和可靠性的提高，同时非常现实的目标是降低成本。随着先进硅工艺（65、45或32nm）的发展，封装技术也迅速进行调整，因此保持正确的发展方向至关重要。