日本开发出以氧化锌取代铟制造液晶面板的技术

据海外媒体报道,日本高知工科大学与三菱Gas化学公司,开发出以氧化锌取代稀有金属铟的技术。截至目前为止,该大学已经确立了取代75%铟的技术,剩下的25%替代技术也有了眉目。     

铟锡合金真空蒸馏分离的研究

研究了真空蒸馏法分离铟锡合金,回收金属铟与锡的新工艺。从理论上分析了铟与锡分离的可能性和规律性,并进行工业化试验。工业化试验的结果表明,控制蒸馏温度1050℃,真空度3 Pa时,铟锡合金中的铟与锡能在较大程度上分离开,得到含铟量大于95%的粗铟,粗铟中的含锡量降至1%以下。铟的直收率达到92%,物料的总回收率达到99%。该方法是铟锡分离中流程短、无污染、低能耗的新工艺、新技术。     

铟的应用与提取进展

铟是现代高新技术产业的重要支撑材料,中国的铟资源和铟生产量为全球之冠,原生铟的提取技术和水平居世界前列;论述了铟提取冶金的新工艺技术及铟产业的发展。     

乙酰丙酮铟的制备及影响因素

介绍了ITO薄膜重要原料乙酰丙酮铟的制备方法,乙酰丙酮铟一次合成产率99.8%,产品纯度99.95%.     

声光器件的关键技术—高真空铟压焊

本文主要介绍声光器件的关键技术-高真空高纯铟压焊技术。文中分析了环氧树脂粘接、超声焊、铟热压焊、铟冷压焊等技术的特点,并给出铟热压焊与冷压焊的主要工艺参数和注意事项及其对声光器件性能的影响。声光器件一般都采用铟冷压焊,而大器件与长换能片或多片焊接则采用铟热压焊。     

氧化钛纳米纤维的制备及其硫铟锌复合研究

用静电纺丝技术制备TiO_2纳米纤维,并探讨硫铟锌与其异质复合规律,结果发现,当采用硝酸铟作铟源,半胱氨酸为硫源,去离子水为溶剂时,硫铟锌为立方结构的纳米颗粒,这些纳米颗粒ZnIn_2S_4能均匀生长在TiO_2纤维的表面;而用氯化铟作铟源,半胱氨酸作硫源,去离子水为溶剂时复合得到的ZnIn_2S_4为六方结构的片状花球,这些ZnIn_2S_4花球能均匀生长在TiO_2纳米纤维的表面。进一步研究发现,当ZnIn2S4和TiO_2的摩尔比为10%时,ZnIn2S4花片能全部生长在TiO_2纳米纤维的表面上,没有额外的花球状硫铟锌出现,说明10%比例是硫铟锌和氧化钛复合的最佳比。     

加速ITO靶材国产化 完善铟产业链发展

<正>一、铟产业链概述铟是全球分布极不均衡的稀缺稀有金属,也是最重要的战略资源之一~([1]),全球预估铟储量仅5万t,是黄金储量的1/6。根据美国地质调查局数据,世界各国铟产量都比较小(如图1)。我国是世界上铟资源最丰富的国家,同时也是世界上第1大原生铟(即来自于闪锌矿等原生矿冶炼副产品等的精铟)生产国。我国在世界铟储量的分布占比达62.5%,已探明储量占世界总储量的72.7%。我国是最大     

浅析锌冶炼过程中铟的富集与回收技术

铟作为制造电光源、半导体、轴承合金、低熔合金等材料的重要原料,是一种质地柔软、可拉成细丝的性能独特的金属,随着科技的发展和进步,铟在社会发展中的应用日趋广泛。本文主要通过对锌冶炼过程中铟的走向与分布的了解,在此基础上对冶炼渣及副产品中铟的富集与回收方式进行了分析和研究,总结了不同技术方式的特点,并对铟富集回收的发展方向做出了展望。     

超高阀铟密封实验研究

近年来由于无油超高高效的抽气系统的广泛采用,促进了配套的主超高阀门的研究工作。大型的全金属超高铟阀就是在这种背景下产生出来的。苏联在63年以后提出了一个超高铟间系列。西欧的真空阀门专业厂生产了阀口通径为200mm以下的各种超高钢阀。我们国内相适应地也研制成功了口径300、 200、 150 mm等规格的全金属的超高铟阀。广泛的使用和长时间的生产实践证明,当前的超高铟阀还是技术不过关的。 一、超高铟阀存在的问题 当前超高铟阀技术不过关的集中表现,为性能不可靠、使用不方便、工艺复杂这三个方面。造成这些问题的出现,其一就是因为…     

粗铟真空蒸馏多级冷凝法提纯的实验研究

本实验采用真空蒸馏多级冷凝提纯粗铟的实验研究,其特点是通过高温真空蒸馏使得粗铟挥发,根据不同金属元素冷凝温度的不同,设置适合的冷凝温度梯度,从而达到除杂提纯的效果,实验表明,由于冷凝温度的不同杂质元素分别冷凝在1-10级的冷凝盘的两端,而金属铟主要集中在中间冷凝盘中。最佳条件:温度1400℃,保温1 h,压强为10~15 Pa,此时铟主要分布在中间3-6冷凝盘中,其中杂质元素Cu、Cd、Fe、Al、Sn主要分布在1-2级和杂质元素Pb、Tl主要分布在8-10级冷凝盘,其中3、4冷凝盘中铟纯度为99.9%,直收率为53.87%,5、6冷凝盘的铟纯度为99.99%,直收率为36.7%,,因此99.9%以上的直收率达到90%以上,杂质可以达到4~6 N(99.99%~99.9999%)铟的国家标准要求。     

真空蒸馏铟锡合金回收金属铟的研究

采用真空电阻炉对铟锡合金进行了实验研究。首先通过实验确定了较好的蒸馏时间和蒸馏温度范围。最后根据化验结果确定了对生产具有指导意义的实验条件,即对金属铟质量分数为90%的铟锡合金进行真空蒸馏时,采取的对生产具有指导意义的工艺条件为蒸馏温度1250℃,蒸馏时间60 min;蒸馏温度1300℃,蒸馏时间40 min;所得的金属铟的含铟量大于99%。     

基于计算机视频的铟钢水准标尺测量系统的研制

针对铟钢水准标尺的检定要求，设计和开发了一套基于计算机视频的铟钢水准标尺测量系统，本装置采用了大景深可变焦的体视显微系统，先进的图像处理技术和实时数据通讯与控制技术，实现了像素值得实时自我标定，可靠的解决了铟钢水准标尺的检定问题。     

支持我国铟产业发展的对策研究

日本和韩国把全球稀缺矿产资源——铟，列为战略矿产资源储备。而我国作为世界铟生产和出口大国，却对铟产业的发展不够重视。我国铟产业结构不合理，铟生产集中度低，开采加工过程中资源浪费严重，加之铟企业竞相压低价格出口，致使出口定价权长期被日本等消费国家控制，我国铟产业发展陷入日本等国家设计的“低水平发展循环陷阱”。因此，很有必要通过采取加强对铟资源保护、加大对铟产业技术的研发投入、建立我国铟资源的战略储备和商业储备、国家出台一系列相互配套的鼓励政策等对策，来支持我国铟产业健康快速发展。     

真空蒸馏法从粗铟中脱除镉锌铊铅的研究

利用纯度为99.7%粗铟为原料,采用真空蒸馏的方法从粗铟中直接脱除镉、锌、铊、铅。分别进行了蒸馏温度、蒸馏时间、投料量等的条件实验。结果表明,控制真空度1~5 Pa,蒸馏温度950℃,蒸馏120 min,可将粗铟中镉、锌、铊、铅可除至6N高纯铟要求。并且以实验结果为依据计算出产物中各种杂质的挥发系数、分离系数、活度系数,对铟的热力学数据的完善有一定的参考意义。     

云南省铟资源的合理开发

介绍了我国金属铟的资源、生产现状、应用及市场情况,论述了云南铟的资源及铟产业现状,对今后铟产业可持续发展提出建议。     

热铟封技术中多层金属薄膜的研究

在像增强器制备过程中,转移阴极—铟封技术使器件设计更加自由,并能提高器件的增益及时间、空间分辨率。相对于冷压铟封,热铟封技术更加简单实用,设备造价低,因此,在真空光电器件制备领域有着广泛的应用前景。但是,热铟封技术在保证器件气密性方面仍需进一步改善。本文采用真空蒸镀方式,在玻璃上制备了多层金属薄膜,以提高In-Sn合金与玻璃的润湿性能。采用座滴法比较了合金在玻璃及五种膜层结构表面的润湿及铺展性能。利用JSM-6700F型场发射电子扫描显微镜分析了润湿界面特性。结果表明:In-Sn合金与玻璃的润湿性能差,且在封接界面处容易产生孔洞;In-Sn合金在膜层结构玻璃/Cr/Cu和玻璃/Cr/Ni/Cu/Ag上表现出良好的铺展性和润湿性,在封接界面处,合金与薄膜表层结合致密,无缝隙或孔洞出现;器件铟封实验表明,采用膜层结构玻璃/Cr/Ni/Cu/Ag,热铟封制管成品率高,气密性良好。     

He-Ne激光陀螺仪真空铟封结构应力分析与工艺优化

氦氖激光陀螺仪电极封接是维持其微晶玻璃谐振腔体真空环境的关键技术之一。研究分析了氦氖激光陀螺仪经典铟封接结构特点及电极铟封性能,应用弹塑性力学理论建立铟封结构的物理和数学模型。数值计算了铟封结构残余应力,得到了不同物性参数的残余应力变化规律,分析了铟丝环直径、铟合金化学计量比等参数对铟封残余应力的影响;优化了封接工艺参数,提高了封接强度及谐振腔真空铟封性能,使铟封接强度与真空气密性能满足氦氖激光陀螺仪长寿命的使用要求。     

基于铜铟二级微纳米层固液扩散互连方法

提出一种基于特殊形貌铜铟二级微纳米层的液固扩散互连方法.将两块具有针状阵列结构的铜铟二级微纳米层的基板表面相互接触,对接触区域进行加热以进行固液互连.这种铜铟微纳米层具有二级结构,第一级为细小均匀的圆锥形阵列铜针层,第二级为镀覆铜针层上的铟微米层,其能有效防止铜层氧化.在互连温度260℃下,铟变成液态,互连时液态铟浸润铜针层,形成金属间化合物Cu2In.通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜及焊接强度测试仪分别分析了互连界面的显微组织,金属间化合物和剪切强度变化趋势.发现随着互连时间的延长,互连界面组织均匀,剪切强度增加,互连质量良好.这归因于铜针层结构与铟层形成物理互锁界面,铟在界面处与铜形成金属间化合物Cu2In.Cu2In是一种优质相,具有良好的塑性,提高了互连质量.热处理实验表明这种铜铟微纳米层互连技术短时热处理即可获得较好的互连强度.     

区域熔炼制备高纯铟的研究

以精铟为原料,采用区域熔炼方法提纯金属In,研究平衡分配系数、区熔速度及区熔次数对铟提纯效果的影响。结果表明,Ni、Cu、Ag、As、Fe、Zn通过区域熔炼有较好的去除,而Cd、Sn、Pb脱除效果较差;在熔区速度3.5 mm/min,10次熔融,可得到铟的纯度为99.9991%。结合真空蒸馏提纯铟的实验结果,采用真空蒸馏-区域熔炼的方法能获得更高纯度的金属In。     

金属冷压铟封中铟电镀层的获得和俄歇分析

为解决金属与金属之间冷压铟封时所出现的铟层与金属之间的不润湿问题,进行电镀铟试验。本文介绍无氰电镀铟工艺条件、试验结果及冷压铟封试验情况。并对可伐、无氧铜件的铟镀层进行了俄歇分析。研究结果表明,在电场作用下铟离子趋向基底金属使镀层与基底金属有相嵌的结合,形成了一定厚度的过渡层,保证了气密封接的可靠性。