深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究

当器件尺寸进入深亚微米后，SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视。通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系，分析了这两种器件的退化规律，对这两种器件的热载流子退化机制提出了合理的解释。并模拟了在最坏应力条件下，最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系，说明不同沟长的器件在它们的最大漏偏压以下时，能使Gmmax的退化小于10％。     

MOSFET开态热载流子效应可靠性

综述了近年来ＭＯＳＦＥＴ的热载流子效应和可靠性的问题。总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入（ＨＣＩ）引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为ＭＯＳＦＥＴ热载流子效应可靠性研究奠定了基础。     

热载流子简并效应研究

本文通过把能量输运模型扩展到Ｆｅｒｍｉ统计情形，用数值方法研究了简并效应对半导体器件的热载流子输运的影响．对窄基区ＢＪＴ的模拟表明，当注入浓度很高时，载流子简并效应对热载流子输运的影响是不可忽略的     

MOSFET的热载流子效应及其表征技术

介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等，并对器件退化的表征技术进行了概述。     

异质栅MOSFET热载流子效应的研究

异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.     

深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应

基于中国科学院微电子研究所开发的0.35 μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PDSOI H型栅nMOSFET.选取不同沟道宽度进行加速应力实验.实验结果表明,热载流子效应使最大跨导变化最大,饱和电流变化最小,阈值电压变化居中.以饱和电流退化10%为失效判据,采用衬底/漏极电流比率模型,对器件热载流子寿命进行估计,发现同等沟道长度下,沟道越宽的器件,载流子寿命越短.     

注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应

通过对短沟 NMOSFET的沟道热载流子效应研究 ,发现在短沟 NMOSFET栅介质中引入 F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移 .分析讨论了 F抑制沟道热载流子损伤的机理 . Si— F键释放了 Si/Si O2 界面应力 ,并部分替换了 Si— H弱键是抑制热载流子损伤的主要原因 .     

注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应

通过对短沟NMOSFET的沟道热载流子效应研究,发现在短沟NMOSFET栅介质中引入F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移.分析讨论了F抑制沟道热载流子损伤的机理.Si—F键释放了Si/SiO2界面应力,并部分替换了Si—H弱键是抑制热载流子损伤的主要原因.     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究

本文研究了固定漏电压,栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ‘ｓ器件特性的退化特性,不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明,ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关。ＡＣ应力条件下器件退化是否增强,取决于ＡＣ应力过程是否经历了不同模式的ＤＣ应力。     

基于HCI层的蓝牙开发

本文对蓝牙的体系结构、主机控制器接口(HCI)层及HCI指令和HCI事件进行了简要介绍,探讨了基于HCI层的蓝牙开发模式,阐述了蓝牙点对点的ALC数据传输的主要过程,提出了蓝牙HCI指令函数封装的一般方法,为蓝牙的嵌入式应用开发提供一般思路。     

基于UART传输层的蓝牙主机控制接口（HCI）的实现

蓝牙作为一种短距离的无线网络技术,为设备之间的互联提供了方便.使用蓝牙互联的大都是"智能主机",它具有处理器,总线和操作系统,蓝牙必须与它们有机的融合在一起才能发挥作用.本文分析了蓝牙主机控制器接口的工作原理,介绍了基于UART传输层的HCI的实现,并给出了实际应用的例子.     

超薄栅n-MOSFETs热载流子寿命预测模型

对氧化层厚度为 4和 5 nm的 n- MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验 ,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化 .在饱和漏电流退化特性的基础上提出了电子流量模型 ,此模型适用于氧化层厚度为 4— 5 nm或更薄的器件     

基于蓝牙HCI实现单片机与PC间无线通信

介绍了蓝牙技术及其HCI(主机控制器接口),并基于HCI协议规范给出了一种单片机C8051F120与PC之间的无线通信方案.单片机通过UART控制爱立信蓝牙模块ROK 101 008,PC通过USB控制蓝牙适配器,实现两端无线数据传输.此方案不仅可以用来进一步开发蓝牙高层协议和应用,而且它本身也可作为独立的无线通信模块应用到多种场合.     

面向移动嵌入式终端的柔性人机界面模型

文章提出一个面向移动嵌入式终端的柔性人机界面模型--FHCIM.该模型首先对柔性人机界面的控件、参数以及动作进行了形式化抽象描述,然后在给定的柔性人机界面标记集合的基础上,使用该自定义的标记构造了人机界面的具体描述.随后,将人机界面的具体描述送入柔性人机界面显示模块,根据标记描述的控件属性,生成相应的对象并显示,并在相应动作的触发下,获得所需信息.最后给出了一个移动嵌入式终端的柔性人机界面实现的具体实例.     

一种改进的MOS器件热载流子退化模型

An improved hot carrier injection （HCI） degradation model was proposed based on interface trap generation and oxide charge injection theory. It was evident that the degradation behavior of electric parameters such as Idlin, Idsat, Gm and Vt fitted well with this model. Devices were prepared with 0.35μm technology and different LDD processes. Idlin and Idsat after HCI stress were analyzed with the improved model. The effects of interface trap generation and oxide charge injection on device degradation were extracted, and the charge injection site could be obtained by this method. The work provides important information to device designers and process engineers.     

An improved HCI degradation model for a VLSI MOSFET

An improved hot carrier injection (HCI) degradation model was proposed based on interface trap gen-eration and oxide charge injection theory. It was evident that the degradation behavior of electric parameters such as I_(dlin), I_(dsat), G_m and V_t fitted well with this model. Devices were prepared with 0.35μm technology and different LDD processes, I_(dlin) and I_(dsat) after HCI stress were analyzed with the improved model. The effects of interface trap generation and oxide charge injection on device degradation were extracted, and the charge injection site could be obtained by this method. The work provides important information to device designers and process engineers.     

深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法

研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型. 提出了一种基于L-M (Levenberg-Marquardt）算法的多目标响应全域优化提取策略，并对可靠性模型参数进行优化提取. 分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法. 最后，给出了最优化参数提取的结果，并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.     

新一代纳米级器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device

介绍了Synopsys Inc.新近推出的新一代纳米层次器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device的功能特点以及进行器件物理特性仿真的典型流程。重点介绍了为实现nm级器件物理特性的模拟引入的诸多近代器件物理模型。利用SenTaurus Device对基于Sentaurus Process生成的一个90nm NMOS器件进行了器件物理特性仿真,并给出了相应结果。