全新EDA技术挑战IC尺寸与功耗设计

Cadence设计系统公司发布了电子开发工具SPB16．2版本,全力解决电流与新出现的芯片封装设计问题。最新版本提供了高级IC封装／系统级封装（SiP）小型化、设计周期缩减和DFM驱动设计,以及一个全新的电源完整性建模解决方案。这些新功能可以提高从事单芯片和多芯片封装／SiP的数字、模拟、RF和混合信号IC封装设计师的效率。     

Cadence为IC封装推出解决方案

Cadence日前发布了SPB16．2版本,着力解决电流与芯片封装设计问题。这次的最新版本提供了高级IC封装系统级封装（SiP）小型化、设计周期缩减和DFM驱动设计,以及一个全新的电源完整性建模解决方案。这些新功能可以提高从事单芯片和多芯片封装／SiP的数字、模拟、RF和混合信号IC封装设计师的效率。新规则和约束导向型自动化能力的推出,解决了高密度互连（HDI）衬底制造的设计方法学问题,     

一种用于胎压传感器的新型系统级封装技术

TPMS IC是TPMS系统模块的关键核心器件,需要采用系统级封装(SiP)技术。对TPMS IC的一种新型SiP封装技术作了研究分析。在引线框架上引入电路板中介层,改善了芯片间电气互连与分布,增大了引入薄膜电阻电容元件的设计弹性。采用预成型模制部分芯片的封装技术,满足了IC与MEMS芯片不同的封装要求,还增强了SiP产品的可测试性和故障可分析性。采用敞口模封、灌装低应力弹性凝胶和传感器校准测试相结合的方法有效避免封装应力对MEMS压力传感器的影响。     

SiP(系统级封装)技术的应用与发展趋势(下)

三,SiP的设计. 系统级封装SiP的解决方案,从封装设计的角度观察,工作十分繁重.通常都需要广泛的合作,合作的范围包括IC制造方,封装设计方,封装装配方,以及电子系统OEM方;并且这种合作在设计的最早阶段就需要开始形成.     

系统级封装(SiP)模块的热阻应用研究

半导体行业正朝着高集成度、小尺寸方向飞速发展,具有大规模、多芯片、3D立体化封装等优势的系统级封装(SiP)受到越来越多的关注.SiP中IC芯片多且集中,功耗密度大,因此其散热特性研究尤为重要.封装模块的散热特性用热阻表征,以塑封SiP模块为研究对象,介绍了器件级结-壳热阻和板级结-板热阻分析方法,采用热阻矩阵描述了芯...     

芯片封装引线框架的应用及市场

集成电路IC半导体产业的制造流程被分为芯片制作前工序和芯片封装测试后工序两大生产系统。封装起到保护芯片、重新分布输入／输出I／O获得更易于装配处理的引脚节距．为芯片提供良好散热通路．便于测试和老化试验等极其重要作用。IC封装有许多种板结构尺寸、外形和引脚数量．以满足各类IC发展和系统的不同要求。IC封装两个主要基本结构类别为引线框架式封装和基式封装，前是一类十分重要而技术悠久的封装，采用引线框架的产品类型仍在半导体产业中占据主导地位。     

SiP协调设计和PI解析(3)

SiP协调设计和PI解析:(1)封装和热设计,(2)芯片的三维安装.     

基于 CPU 和 DDR 芯片的 SiP 封装可靠性研究

利用 Abaqus 有限元分析方法分析了温度循环条件下 CPU 和 DDR 双芯片 SiP 封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对 SiP 封装体应力应变的影响。结果表明，底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边角承受最大的应力应变。芯片越薄，SiP 封装体所承受的应力越大；粘结层越薄，SiP 封装体所承受的应力越小。塑封体的材料属性比粘结层的材料属性更显著影响 SiP 封装体应力应变，当塑封体的热膨胀系数或杨氏模量越大时，SiP 封装体所受应力也越大。     

系统级封装技术综述

介绍了系统级封装SiP如何将多块集成电路芯片和其他的分立元件集成在同一个封装内,有效解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和集成度方面的难题.同时将SiP与系统级芯片SoC相比较,指出各自的特点和发展趋势.     

封装——无翘曲晶片

2004年，系统封装(SiP)能够内置的芯片数量在迅速增加。在1．4mm封装高度的情况下，出现了内置9个芯片的SiP。     

英特尔在华建封装中心 半导体商竞逐SiP

集多个功能芯片于单一封装内的系统级封装（SiP）正成为业界的新宠，相比于传统的多芯片封装（MCP），系统级封装正朝着集成更多课片、面积更小、更溥的方向发展。此外它还能大大节省OEM的设计时间，满足手机等对空间要求严格的便携电子产品需求，并降低电路板的EMI噪声。因此，业界半导体巨头英特尔、飞利浦、三星和瑞萨科技等在SiP市场展开了一场新的竞赛。     

FSA探索SiP的设计要求

在今年的SEMICON West中，除了新兴技术、制造生产率和效率，以及器件尺寸缩小的挑战这几个主题外．测试和组装／封装已经成为第四个TechXPOT演讲内容，这表明该领域已经同其他三个领域一样引起了各界的注意。作为该领域的一部分，IC设计与委托代工协会（FSA）也对系统级封装（SiP）进行了讨论。     

CADENCE最新套件推动系统级封装设计主流化

法国尼斯CDNLive大会消息：Cadence设计系统有限公司宣布推出业界第一套完整的、能够推动SiP IC设计主流化的EDA产品。Cadence解决方案针对目前SiP设计中依赖‘专家工程’的方式存在的固有局限性，提供了一套自动化、整合的、可信赖并可反复采用的工艺，以满足无线和消费产品不断提升的需求。这套新产品包括Cadence Radio Frequency SiP Methodology Kit，两款新的RFSiP产品（Cadence SiP RF架构和Cadence SiP RF版图）以及三款新的数字SiP产品（Cadence SiP数字架构，Cadence SiP数字信号完整和Cadence SiP数字版图）。     

系统级封装设计套件实现系统级IC与封装的协同设计

系统级封装设计套件包括Cadence Radio Frequency SiP Methodology Kit、两款新的RFSiP产品（Cadence SiP RF架构和Cadence SiP RF版图）以及三款新的数字SiP产品（Cadence SiP数字架构，Cadence SiP数字信号完整和Cadence SiP数字版图）。     

系统级封装技术方兴未艾

本文论述系统级封装SiP与系统级芯片SoC的比较优势，重点介绍叠片式封装和晶圆级封装技术如何有效提高封装密度并解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和总线性能等方面的难题。     

系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案

提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000 V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600 V的ESD冲击。在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600 V提升至2 500 V。片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中。     

芯片—封装协同设计方法优化SoC设计

随着工艺节点和裸片尺寸不断缩小，采用倒装芯片封装IC器件的消费电子产品的数量日益增加。但是，倒装芯片封装制造规则还没有跟上工艺技术发展的步伐。本文介绍了用芯片一封装协同设计方法优化SoC的过程。     

多芯片封装：高堆层，矮外形

SoC还是SiP?随着复杂系统级芯片设计成本的逐步上升,系统级封装方案变得越来越有吸引力。同时,将更多芯片组合到常规外形的单个封装中的新方法也正在成为一种趋势。     

三维键合线在封装设计中的应用

1封装设计技术的发展 电子封装问世以来,先后经历了三次重大的技术转变,第一次是上世纪70到80年代,由以DIP为代表转变为以QFP为代表;第二次是在90年代初期,其标志是BGA型封装的出现;第三次发生在本世纪初,多芯片系统封装（SiP）的出现使微电子技术及封装技术进入后SoC和后SMT时代。     

IC封装设计极大影响信号完整性

IC器件的封装不是一个在IC芯片和外部之间的透明连接,所有封装都会影响IC的电性能.由于系统频率和边缘速率的增加，封装影响变得更加重要。在两种不同封装中的同样IC，具有两种完全不同的性能特性。