共查询到17条相似文献,搜索用时 56 毫秒
1.
Labview软件控制腐蚀条件,用脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅薄膜,其表面形貌用原子力显微镜观察并分析。用可见-紫外分光光度仪测量其反射谱,通过计算得出各种制备条件下,多孔硅薄膜的其它光学参数,即有效折射率neff,吸收系数α,有效介电常数的实部εer,和虚部εei,消光系数K,研究了入射光波长和孔隙率对这些光学常数的影响。 相似文献
2.
3.
4.
使用反射光谱、光致发光光谱和SEM研究了通过脉冲腐蚀形成的多孔硅薄膜的径向折射率、光学和物理厚度。详细分析了沿径向方向多孔硅薄膜的径向折射率(n)和光学厚度(nd)与腐蚀中心之间的关系。实验结果表明:随着远离腐蚀中心,SEM图像表明:多孔硅样品的物理厚度缓慢变小,在腐蚀边缘,在径向58μm距离里,薄膜的物理厚度从2.48μm减少到1.72μm;此外,径向折射率n增加,即多孔度变小,同时,反射光谱强度显示出干涉振荡减弱,这意味着多孔硅薄膜的均匀性和界面的平整度变坏。光致发光谱的包络线显示蓝移的趋势,显示纳米微粒的尺寸减少。多孔硅微腔被制备用来研究多孔硅膜的径向光学特性,结果证实:在腐蚀中心,多孔硅膜的均匀性比边缘好。 相似文献
5.
6.
7.
多孔硅样品使用脉冲电化学腐蚀法经过不同的腐蚀时间制备完成,使用反射光谱、光致发光光谱和SEM对多孔硅薄膜的纵向均匀性以及其光学特性进行了研究,还详细研究了随腐蚀深度变化的折射率和光学厚度(n*d)等光学参数。实验表明:随着腐蚀深度的增加,多孔硅薄膜的平均折射率n降低,即多孔度变大;多孔硅薄膜的光学厚度的形成速度减小;同时,反射光谱表现更弱的干涉性,表明薄膜的均匀性和界面的平整性变差;另外,光致发光谱的强度微弱变强。 相似文献
8.
利用水热技术原位制备出铁钝化多孔硅样品,并对其发光特性进行了测试。样品具有较强的光致发光强度,而且在室温空气存放过程中其发光强度不发生衰减,发光峰位不发生蓝移。上述发光特性归因于样品表面形成的良好铁钝化。 相似文献
9.
10.
多孔硅秃腔微结构的AFM和SEM研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多孔硅微腔是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构。用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅微腔的侧向解理的截面进行了观测,得到了不同多孔层及其界面处的图像。微腔截面的扫描电镜图像清楚地显示出第Ⅱ型多孔硅微腔的“三明治”结构,即中心发光层被夹在两个Bragg反射镜之间,这些结果表明结合分子束外延技术和电化学腐蚀方法可以很容易得到多孔硅微腔。 相似文献
11.
12.
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔 相似文献
13.
14.
15.
16.
17.
Bruno P. Azeredo Yu‐Wei Lin Arik Avagyan Mayandi Sivaguru Keng Hsu Placid Ferreira 《Advanced functional materials》2016,26(17):2929-2939
Conventional lithographical techniques used for bulk semiconductors produce dramatically poor results when used for micro and mesoporous materials such as porous silicon (PS). In this work, for the first time, a high‐throughput, single‐step, direct imprinting process for PS not involving plastic deformation or high‐temperature processing is reported. Based on the underlying mechanism of metal‐assisted chemical etching (MACE), this process uses a pre‐patterned polymer stamp coated with a noble metal catalyst to etch PS immersed in an HF‐oxidizer mixture. The process not only overcomes the difficulties in patterning PS but it does so with a stamp that may be reused multiple times depending on its chemical and mechanical degradation. The process is shown to be capable of centimeter‐scale parallel 3D patterning with sub‐20 nm resolution. It is found that PS facilitates mass transport of reactants and products, and the overall etch rate is limited by local depletion of reactants. The versatility of this direct imprinting technique is demonstrated by its ability to produce curvilinear and planar 3D features (e.g., paraboloids, parabolic cylinders, sinusoidal waves, and straight sidewall channels). Miniaturized optical elements such as diffraction gratings and microconcentrators are built and characterized highlighting potential use of PS in silicon photonics. 相似文献