用于光刻的EUV光源

对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较.给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难.基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源.     

激光等离子体和气体放电EUV光刻光源

对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低,故气体放电EUV光源日益受到重视。     

EUV光刻用光源—激光等离子体

迄今为止,有一种观念认为,高功率激光器等于极限的研究工具,随着激光技术的发展高功率脉冲激光器正在工业中和其他研究领域作为光源利用。尤其是以钛蓝宝石激光器为代表的工作台上的T~3激光器或应用于加工、焊接等领域的半导体激励的固体激光器只要组装在市售的激光装置上,就可实现高聚光强度,简便而稳定地产生等离子体,并可以进行重复操作。另一方面,在激光热合或X射线激光领域,经长期的研究而构筑起来的激光等离子体物理还只被视为一部分研究领域,其软件转换方面的迟缓有时也产生应用领域中的新的开发方面的迟缓。尤其在应用方面最先掘起的X射线的产生是通过原子物理学和含放射传输的流体力学双方交汇在一起来决定其整体特性的,因此有必要正     

EUV光刻中激光等离子体光源的发展

简述了获得极紫外光源的途径,系统介绍了激光等离子体(LPP)光源的发展历程,对当前Cymer公司研制的极紫外光刻设备所需LPP光源的最新研究进展做了详细阐述,最后对光源的整体发展给予了总结和展望。     

ASML选择Cymer公司EUV光源

伴随着大量的新闻发布，Cmer公司在SEMICON West2007期间宣布其在极紫外线（EUV）光刻光源上的成功。光刻设备供应商ASML已经选择Cymer公司的极紫外线光源用于量产设备，并签署了一份长达多年的多项目协议，计划在2008年底首次供货。     

CO2激光等离子体极紫外光源收集镜研究

为了研究极紫外光源系统中收集镜的形状和液体微滴的漂移,计算了收集镜的参量,并采用ZEMAX模拟了液体微滴上下和左右漂移50μm,100μm,150μm时中间焦点的成像变化情况。结果表明,液体微滴在上下方向上的漂移对中间焦点成像的影响很大,应该尽量将上下漂移控制在20μm以下;而液滴在光轴方向上的漂移对中间焦点成像的影响稍小。     

EUV光源研发的新突破

在32nm技术节点以下时,尽管极紫外（EUV）光刻技术已被视为主流的光刻生产技术解决方案,但是如何研发一套可靠、高性能EUV光源系统仍然是摆在业界面前的一道难题。此文将着重介绍了基于触发模式、输出功率达到100W的光源系统。     

Cymer专注于DUV／EUV光刻光源

随着半导体设计规则的紧缩,在65nm及更高节点,浸没式光刻和EUV被认为是获得更小节距的可选择方案,出于技术极限和成本的考量,在实现量产上光刻技术面临极大挑战,其中之一来自于光刻光源。Cymer作为光源领域的领先供应商,目前提供DUV及EUV光源。     

用激光等离子体作光源的反射式X光显微镜

根据多层膜反射镜原理建立的X射线光学系统可获得微细物体放大成像的分辨率为0.2μm(波长为20nm时)。这个系统由激光等离子体光源、X射线聚光镜、20~x倍施瓦兹希尔德物镜、滤光片组和探测器组成。所使用的高质量的X光光学零件和精密调整光学系统,可获得在全通光口径下的分辨率为0.2μm,用二倍频Nd激光器,脉冲能量为0.5J,在一个脉冲间隔1.5ns时间内获得曝光是足够的。     

毛细管内径对Xe 气放电极紫外光源的影响

极紫外光源功率是影响光源使用的关键参数,研究放电等离子体EUV 光源等离子体时间特性,优化放电结构和光源功率具有重要意义。理论上计算了不同内径毛细管内等离子体压缩过程和收集效率,实验上采用极紫外探测器测量了毛细管内径对Xe 气极紫外光源13.5 nm(2%带宽)辐射输出时间特性的影响,分析了毛细管内径对等离子状态的影响。结合该系统光学收集系统设计参数、不同内径毛细管收集效率和极紫外探测器信号强度,给出了不同内径毛细管中间焦点处13.5 nm(2%带宽)光功率比。结果表明:气压7 Pa、电流28 kA 时,毛细管内径7mm 条件下,光源中间焦点处光功率最优化。     

13nm投影光刻用激光等离子体软件X射线源

软Ｘ射线投影光刻能够制作出特征线宽小于０．１μｍ的线条。激光等离子体源的研究是软Ｘ射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了１３ｎｍ投影光刻用激光等离子体软Ｘ射线源。     

激光等离子体亚微米光刻术的初步研究

描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究。采用正性光刻胶ＰＭＭＡ．得到了一些新的研究结果．     

向商业化迈进的极紫外(EUV)光刻技术

在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的等离子体LPP光源,着重对EUV光源的初步应用和EUV光刻设备的开发进展情况进行了详细介绍与讨论。目前的研究进展表明,随着激光产生的等离子体EUV光源（LPP）功率的不断提高和EUV光刻设备的逐步成熟,极紫外（EUV）光刻技术将在2012年步入半导体产业的商业化生产。     

13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源

软X射线投影光刻能够制作出特征线宽小于0．1μm的线条。激光等离子作源的研究是软X射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源。对Sn（Z＝50）靶的激光打靶条件进行初步优化，测定了其在10～20nm波段范围内的辐射相对强度分布。     

Sematech在EUV技术上实现突破实现22nm半节点分辨率

据EE Times网站报道：Sematech宣布使用极紫外（EUV）光刻技术获得了22nm的半节距分辨率。同时还成功获得了20nm以下的特征尺寸。Sematech称这些结果显示了EUV在22nm节点的应用前景。     

激光诱导放电等离子体羽辉的研究

为了研究激光诱导放电等离子体的膨胀特性，建立了一套基于脉冲CO₂激光诱导锡靶放电等离子体极紫外光源装置，采用增强型电荷耦合器件对羽辉进行拍摄，并采用1维真空电弧模型对实验结果进行了理论说明。实验中改变放电电压和激光能量，得到了不同条件下时间分辨的羽辉图像。结果表明，在激光能量140mJ、放电电压10kV的条件下，获得了稳定的放电等离子体；等离子体的羽辉形态与电流存在对应关系，经历了形成、膨胀、收缩、再次膨胀和消散的不同阶段，放电电压和诱导激光能量对羽辉大小、稳定性和形成时间有影响。此研究有助于提高激光诱导放电等离子体光源的稳定性以及极紫外光的输出功率。     

激光显示业期望新光源

在饱受经济萧条之苦后，激光业正翘首期望激光显示市场的繁荣。虽然美国很多一流的激光显示公司已离开这个行业，但从2003年国际激光显示会议上却不难看出这一行业已出现复苏迹象。