深亚微米时代清洗技术之应用与挑战 《半导体国际》第五届晶圆清洗技术研讨会

在标准的IC制造工艺中,涉及晶圆清洗和表面预处理的工艺步骤就有100多步,在整个ICN造的发展过程中,湿法清洗一直以来在晶圆清洗中占着主导地位,其中浸泡式(批处理)和喷雾式(单晶圆)目前     

FSI国际推出采用其MAGELLAN浸泡式清洗系统的新型氮化硅选择性蚀刻工艺

FSI国际有限公司日前宣布，推山全新的选择性氮化物蚀刻工艺。该工艺采用FSI国际的MAGELLAN浸泡式清洗系统，可以抑制氧化硅和硅的侵蚀并避免产生大量微粒。这些应用在FSI实验室中通过使用客户的晶圆得以开发和验证，并已成为先进的45nm工艺项目的一部分。此外，这些应用对前几代技术同样有效。     

Xilinx采用90nm工艺制造FPGA器件

作为采用300mm晶圆和90nm制造技术制造FPGA产品的供应商，赛灵思公司（Xilinx）继续保持与竞争解决方案间的巨大成本优势。与目前的130nm技术相比，采用90nm工艺技术使芯片面积和芯片成本降低了50%-80%，结合300mm晶圆技术，每晶圆可生产的有效芯片数量是采用130nm技术在200mm晶圆上获得芯片数量的5倍。     

FSI收到国际客户对其ZETA的继续订货

FSI近期已经收到对其300-mm ZETA喷雾式清洗系统的继续订货。一家位于台湾地区的先进集成电路制造商将再次采购这套系统用于90nm技术节点的前段(FEOL)表面处理。另外一家主流的微处理器制造商继续定购的ZETA系统将用于后道应用。该系统所展示的性能能够满足客户对工艺性能的急迫要求，它与单晶圆湿法清洗系统相比明显地消耗更少的化学品；而与其它竞争性的浸泡式机台相比，ZETA还具有更少资本投入和更小占地面积的附加优点。     

缩短批次式清洗周期的策略

在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%.性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因.但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发.在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了一种保持性能和处理量,同时又能实现清洗工艺生产力增长的可选方法.     

《半导体国际》第四届晶圆清洗技术研讨会圆满闭幕

由《半导体国际》主办的“第四届晶圆清洗研讨会”8月9日在上海圆满闭幕。会议吸引了200多名国内知名晶圆厂经理人和工程师，另外，TFTLCD制造厂的工程师也积极参与了本次研讨会。针对制造工艺中的清洗案例和解决方案，晶圆厂和设备材料供应商的专家及经理人就单晶圆清洗、兆声波清洗、喷淋法、浸泡法等各种清洗技术的应用等话题，与听众进行了热烈的互动。     

Spansion扩展与台积电合作

闪存解决方案供应商Spansion公司日前宣布扩充与代工厂台积电签署的代工，增加采用φ300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意，在现有服务协议基础上，即为Spansion的110nm技术提供代工生产，增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。     

FSI单晶圆清洗技术被半导体制造商用于32nm后段清洗工艺开发

FSI国际有限公司宣布一家重要的半导体制造商在32nm集成电路制造的后段（BEOL）清洗能力开发中选用了FSI单晶圆清洗技术。这家客户经过一系列优中选优的过程,最终认定FSI的技术最符合32nm器件制造所预期各项新要求。FSI已经针对这一开发项目发运评估性ORION单晶圆清洗集群。     

300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势

采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律.300mm晶圆与90nm工艺是互动的.90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势.     

FSI国际在上海宣布推出ORION单昌圆清洗系统

2008年11月4日,半导体制造晶圆工艺、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司再次于上海举办的“FSI知识服务系列研讨会”上宣布推出全新的ORION。单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护,满足32nm和22nm技术的关键步骤上多项清洗需要。