热处理与表面处理工艺

0316947铝合金化学镀Ni-P合金层退镀工艺探讨〔刊〕/金鸿//电子工艺技术。-2003,24(2).-81～82(C) 介绍了一种化学镀Ni-P合金层的退镀溶液配方.对Ni-P合金层退镀液对金属基体的腐蚀量进行了测定,并对退镀反应的机理进行了初步的探讨。参4 0316948ICP-AEC在热镀锌合金分析中的应用〔刊〕/张保卫//电子工艺技术。-2003,24(1).-36～37(C)     

热处理与表面处理工艺

02107793C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光〔刊〕/雷天民//西安理工大学学报.-2001,17(4).-335～337(K) 0210780烷/炔气低温沉积Tic黑膜的研究〔刊〕/张海军//真空.-2001,(6).-17～19(D)     

热处理与表面处理工艺

0102111非均匀有理 B 样条自由曲面的光顺检测[刊]/魏正英//西安理工大学学报.—2000,16(2).—179～182(D)Y2000-62185-213 0102112应用快速热退火消除薄氧化层的特性分析=charac-terization of thin oxide removal bv rapid thermal anneal-ing treatment[会,英]/HaShim,U.＆Shaari,S.//1998 IEEE International Gonference on SemieonductorElectronics.—213～216(E)     

热处理与表面处理工艺

9904638智能高精度温度控制退火炉的研制[刊]/徐健//发光学报.—1998,19(3).—278～279(BC)Gallienne 蒸馏器的自动化(见9905519)贵溪冶炼厂闪速炉计算机控制系统改造(见9905505)     

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Y2000-62067-460 0016273采用 MOCVD 在 GaAs 上生长自组织 GaSb 岛的大小与密度的控制=Size and density control of MOCVDgrown self-organised GaSb islands on GaAs[会,英]/Motlan,Goldys,E.M.//1998 IEEE International Con-ference on Phtoelectronic and Microelectronic Materialsand Devices.—460～463(EC)Y2000-62067-464 0016274采用 MOCVD 生长 GaSb 和 Al_xGa_(1-x)Sb 层及其特性=Growth and properties of GaSb and Al_xGa_(1-x) Sb Layersby MOCVD[会,英]/Ramelan,A.H.& Drozdowicz-     

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Y90-62009-461 0003835负荷对典型多模与单模腔的影响=The effect of loadson typical multimode and single mode cavities[会,英]/Chan,T.V.C.T.& Reader,H.C.//Proceedings of     

热处理与表面处理工艺

0219725激光选区烧结金属粉末的研究[刊.译,英]/张剑峰//南京航空航天大学学报(英文版).—2002,19(1).—77～83(E)采用激光选区烧结的方法,对铜、镍-铜混合粉末进行了一系列激光烧结试验。分析了烧结过程中出现的现象,讨论了工艺参数对金属粉末烧结成形的影响,用带能谱的扫描电镜、X 光衍射等手段分析了多层烧结体不同区域的成分、组织形貌和相结构特征。初步探讨了金属粉末直接烧结成形的基本机理,为金属粉末的激光快速成形提供了依据。参90219726LPCVD 自组织生长 Si 纳米量子点的发光机制分析[刊]/彭英才//发光学报.—2002,23(3).—261～264(E)     

热处理与表面处理工艺

Y2002-63234-133 0224707全轮廓层间电介质化学机械抛光分析=Full profile in-ter-layer dielectric CMP analysis[会,英]/Chang,R.&Spanos,C.J.//2001 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing.—133～136(E)Y2002-63234-145 0224708多硅片快速等温处理=Multi-wafer rapid isothermalprocessing[会,英]/Nakao,K.& Asarlo,T.//2001IEEE International Symposium on Semiconductor Manu-facturing.—145～148(E)Y2002-63234-155 0224709用于0.1μm 超大规模集成电路铜金属化的长期稳定性二步电镀工艺=Development of a two-step electro-     

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Y2002-63196-706 0312069用非热能等离子工艺分解稀释的三氯乙烯-催化臭氧效应=Decomposition of dilute trichloroethyle by non-thermal plasma processing-catalyst and ozone effect[会,英]/Oda,T.& Yamaji,K.//2001 IEEE Industry Ap-plications Conference,Vol.1 of 4.—706～713(ME)0312070等离子喷涂Zr_(28)Y_2O_3涂层厚度测量方法研究[刊]/周晨波//光电子·激光.—2003,14(1).—71～74(C)     

热处理与表面处理工艺

0118533Ni-Cu-P 合金化学镀层制备及组织结构的研究[刊]/于会生//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—191～194(E)0118534nc-Si/a-SiO_x:H 复合薄膜的结构及光吸收特性[刊]/郭震宁//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—179～182(E)     

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Z99-51325-1 0012806镀银和防银变色技术的概况及发展趋势[会]/陈春成//中国电子学会电镀专业委员会第七届电子电镀年会论文集.—1～6(C)     

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Y98-61429-192 9907417用高功率离子束改进基于 Al、Fe 和 Ti 的金属的特性的表面处理和合金=Surface treatment and alloyingwith high-power ion beams to improve properties in Al-,Fe-,and Ti-based metals[会,英]/Renk,T.J.&Buchheit,R.G.//1997 IEEE 11th International PulsedPower Conferenee,Vol.1.—192～197(AG)Y98-61442-377 9907418微电子器件生产用的激光化学汽相淀积=Laser chem-ical vapor deposition for microelectronics production[会,     

热处理与表面处理工艺

9915157阴极弧离子镀磁过滤器[刊]/李刘合//真空.—1999,(3).—14～19(D)9915158大功率 AlGaAs-GaAs 激光器干涉镜和减反射膜的制备[刊]/罗江财//四川真空.—1999,(1).—34～37(C)分别用磁控溅射和电子束蒸发技术,在大功率AlGaA_3-GaA_3激光器条端面上,制作了 SiO_2/Si 干涉镜和 Al_2O_3减反射膜。讨论了 Si 靶反应磁控溅射下,氧化硅层的淀积速率和影响镀层质量的因素。参5     

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0005844微波等离子体化学气相沉识β-C_3N_4超硬膜的研究[刊]/张永平//河北科技大学学报.—1999,20(4),—1～4(A)0005845渐变滤光铬膜的遮板设计与真空镀制[刊]/李新昌//电子工业专用设备.—1999,(4).—16～19,59(A)论述了在平面光学零件上镀制渐变滤光铬膜时,     

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Y99-61677-39 0007628倒装片功率分布=Flip-chip power distribution[会,英]/Lipa,S.& Schaffer,J.T.//Characterization of flip-chipCMOS ASIC simultaneous switching noise on multilayerorganic and ceramic BGA/CGA packages.—39～41(EG)应用薄膜(MCM-D)和倒装片焊接块技术在 IC 上分配电源层与接地层,所需的金属百分比可以减少。然而,显著的减少需要密集的焊接块技术。参3     

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9913279非晶态 Ni-P 合金镀液和镀层的稳定性[刊]/涂抚洲//中南工业大学学报.—1999,30(2).—157～161(G)通过对电沉积非晶态 Ni-P 合金镀液组成和镀层性能的稳定性进行研究,了解到对镀层质量影响最大的因素是镀液的 pH 值,其次是[H_3PO_3];找出了稳定     

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Y98-61304-235 9905970在500～550℃温度范围内汽相反应对 LPCVD 硅薄膜生长速率的贡献=Contribution of gas phase reactions to     

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Y2000-62422-104 0103786半导体上绝缘体——用于片上系统的一种新型材料组合=IOS-a new type of materials combination for system-on-a chip preparation[会,英]/Tong,Q-Y.& Huang,L-J.//1999 IEEE International SOI Conference Pro-ceedings.—104～105(EC)Y2000-62422-114 0103787在绝缘体上硅硅片上应用 SC1标准清洗薄化硅膜=Thinning of Si in SOI wafers by the SC1 standard clean[会,英]/Celler,G.K.& Barr,D.L.//1999 IEEEInternational SOI Conference Proceedings.—114～115(EC)     

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0314362等离子喷涂金属/陶瓷颗粒的瞬态碰撞压力研究[刊]/范群波//北京理工大学学报.—2003.23(2).—168～171.193(L)采用有限元数值模拟方法,研究功能梯度材料中金属/陶瓷熔融颗粒高速碰撞到基体后的瞬态压力分     

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0114885浅谈 ODS 替代技术检测与认证[刊]/邓国华//电子产品可靠性与环境试验—2001,(2).—34～39(E)简要分折丁清洗剂 ODS 检测和清洗质量检测的方法和依据,并讨论了 ODS 替代技术认证的3种途径。参30114886步进梁式连续加热炉神经网络自适应控制系统[刊]/潘炼//测控技术.—2001.20(5).—41～43(E)介绍了将神经网络自适应控制思想应用于步进梁加热炉燃烧过程控制。实时控制结果表明,其效果是令人满意的。参2