共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
《机械强度》2017,(3):557-563
在半导体材料放电加工可行性的基础上,分析了影响材料去除率的几个主要因素,其中包括空载电压、峰值电流、脉冲宽度以及脉冲间隔。采用中心组合设计实验,考察峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔这3个因素对单晶Si放电加工的材料去除率的影响,建立了单晶Si放电加工的材料去除率的响应模型,进行响应面分析。方差分析结果表明模型具有很好的拟合程度和适应性。采用满意度函数(DFA)确定了单晶Si放电加工的最佳工艺参数,当峰值电流取18.5A、脉冲宽度取358.62μs、脉冲间隔取20μs时,满意度为0.912,此时材料去除率的最优值为76.26 mm~3/min。用所确定的最佳工艺参数在电火花成型机床上重复多次实验,测得P型单晶硅的平均MRR为73.86 mm~3/min。模型预测结果与最佳工艺参数下的实验结果平均相对误差为3.2%,验证实验表明该模型能实现相应的半导体材料放电加工过程的材料去除率预测。 相似文献
2.
3.
4.
5.
自由曲面数控加工刀具轨迹优化算法的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种数控加工刀具轨迹排列优化算法,使相邻加工轨迹间的残留高度都等于最大允许值,在保证精度的前提下,刀具轨迹排列更加合理,轨迹条数和轨迹长度大大减小,加工效果明显提高。 相似文献
6.
自由曲面NC加工无干涉刀具轨迹生成 总被引:6,自引:0,他引:6
对自由曲面NC加工中的干涉情况和现有处理方法进行分析,以曲面模型→刀具接触点数据→无干涉刀位数据为基本求解策略。综合多种优化措施,设计一个完整与高效的无干涉刀具轨迹生成算法并在微机上成功地实现。 相似文献
7.
8.
9.
10.
曲面数控加工中刀具干涉的检验 总被引:1,自引:0,他引:1
文章讨论了雕塑曲面数控加工中单张曲面产生刀具干涉的现象;相邻两曲面在凹向交线处的无干涉加工以及曲面拼接处刀具干涉的截面验证法,给出了具体算法和加工实例,取得了较好的干涉处理效果。 相似文献
11.
高速锯切单晶硅的锯切力和锯缝崩边研究 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨在单晶硅的高速精密锯切中,锯切用量与锯切崩边幅度大小之间的关系。通过使用金刚石薄锯片对单晶硅进行高速锯切,测量和分析不同参数下的锯切力,并结合锯切力比来分析金刚石锯片对单晶硅的锯切中力与崩边相互联系的特征。结果表明:在高速锯切单晶硅过程中,锯切深度、进给速度增大都能引起锯切力与力比的增大,也造成了单晶硅崩边情况更加严重。但是转速的提高则可以使锯切力大幅降低,并有效抑制加工过程中沟槽侧面的崩边问题。锯切深度与进给速度的增加引起锯切力增大时使单晶硅材料更加倾向于脆性断裂而被去除,但是提高转速降低锯切力后可使单晶硅渐转化为塑性去除,有效提高了加工产品质量。 相似文献
12.
13.
14.
基于切削参数和刀具状态的车削功率模型 总被引:2,自引:0,他引:2
动态切削功率建模是切削功率信号用于切削过程监控的关键。本文首次建立了基于切削参数 (主轴转速、进给量、切削深度 (即背吃刀量 )、工件材料及刀具材料 )与刀具状态 (主要考虑后刀面磨损量 )的车削功率模型。试验证明 ,该模型基本能正确反映车削功率信号与刀具状态及各种切削参数之间的关系 相似文献
15.
16.
17.
单晶硅片的低温抛光技术 总被引:8,自引:1,他引:7
介绍了一种光学材料抛光新技术--低温抛光技术。首先把抛光液冷冻成低温抛光模层,并对单晶硅片做抛光实验,实验结果表明这是一种很好的光学材料抛光方法。 相似文献
18.
自增韧氮化硅陶瓷刀具切削性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
作者研究了自增韧陶瓷刀具ML切削铸铁和淬硬钢的切削性能,发现其是一种适合连续切削铸铁与淬硬钢、尤其适合断续切削淬硬钢的刀具材料。 相似文献
19.