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基于Siemens的NPN射频晶体管BFP420,设计出一款适合于S波段的低噪声放大器,本设计使用了宽带匹配技术,结合微带线和集总元件设计出宽带的匹配网络。放大器适用频率范围:1.8 GHz~3.2 GHz,可用带宽1.4 GHz,相对带宽56%,属超宽带低噪声放大器。测试结果表明,在可用频段范围内,放大器增益波动3.7 dB,输入驻波比VSWR<1.8 dB,输出驻波比VSWR<1.295 dB;1.8 GHz增益G=12.53 dB、噪声系数NF=1.128 dB;3.2 GHz增益G=8.79 dB、噪声系数NF=1.414dB。本设计可满足无线蓝牙、WIFI,Zigbee等多种2.4 GHz主流ISM无线设备的应用要求。 相似文献
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基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计.为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法.选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真.最终在频率为5.2 GHz下,LNA噪声系数F为1.5 dB,增益S21达到12.6 dB,输入、输出反射系数S11和|S22较好,在工作频带内小于-10 dB,LNA性能良好. 相似文献
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射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15dB;噪声系数低于5.5dB,最小噪声系数达到2.6dB.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内. 相似文献
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为了实现X波段的低噪声放大器,介绍了按最小噪声系数设计,采用两级级联,利用Eudyna公司的HEMT晶体管设计制作的低噪声放大器。通过专用微波电路设计软件(AWR),对该电路的稳定系数、功率增益、噪声系数、驻波比、匹配网络等进行了仿真分析。根据分析结果制作的X波段LNA取得了如下指标:在9.5~10.5 GHz频带内,功率增益大于22 dB,噪声系数小于1.5 dB,输入输出驻波小于1.7。 相似文献
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本文对低功耗射频CMOS低噪声放大器的输入匹配网络进行了研究。采用台积电TSMC0.18μmCMOS工艺模型,通过ADS电路仿真软件对设计的低噪声放大器电路进行了优化设计和仿真,仿真结果表明在2.4GHz中心工作频率下,该低噪声放大器满足射频接收机的系统要求,它的噪声系数NF约为2.57dB,增益S21约为16.2dB,输入反射系数S11约为-13.3dB,输出反射系数S22约为-21.9dB。电路的输入匹配和输出匹配情况良好。 相似文献
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宽频带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Lange耦合器的宽频带特性设计L/S波段平衡式低噪声放大器电路,并通过仿真设计软件对放大器的工作频带、噪声系数、增益及输入、输出驻波比等几个重要指标进行优化。最后设计的放大器在1.2~2.5GHz频率范围内增益为33~35dB,噪声系数不大于1dB,输入输出驻波比小于1.5,达到了预定的技术指标要求,性能良好。 相似文献
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幸炳华 《固体电子学研究与进展》1986,(2)
本文叙述在17.5~18GHz频带工作的低噪声场效应晶体管放大器之实用设计及其性能.放大器包括三级级联微带放大电路和波导输入/输出端口,获得了4.5dB的噪声系数和17dB的总增益. 相似文献
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基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终... 相似文献
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利用pHEMT工艺设计了一个1.8~2.8GHz波段单片低噪声放大器电路.本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATT-58143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比和稳定系数等特性进行了研究.设计出一个增益大于20dB,噪声系数小于1.5dB,输入输出电压驻波比小于1.9,达到设计要求. 相似文献
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为提高无线通信系统的接收灵敏度,低噪声放大器的设计尤为重要.基于Avago公司的高电子迁移率晶体管ATF54143芯片的2.4G~2.5G ISM频段范围低噪声放大器的设计,采用安捷伦公司的ADS软件设计、制作原理图并进行仿真,然后利用Cadence公司的Allegro SPB软件设计并制作原理图和PCB版图,最后将PCB版图导入到安捷伦公司的ADS系列软件中进行联合仿真,反复调整得到的仿真结果显示放大器工作在绝对稳定状态,噪声系数(NF)低于0.7,增益可达15dB. 相似文献
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利用pHEMT工艺设计了一个2-4GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配.通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计。最终使得该LNA在2-4GHz波段内增益大于20dB,噪声小于1-2dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。 相似文献
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采用GaAs工艺设计了一个12~18 GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求。仿真表明:在12~18 GHz的工作频带内,噪声系数为1.15~1.41 dB,增益为27.9~29.1 dB,输出1 dB压缩点达到15 dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72。 相似文献
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基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base, CB)电路结构,利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal, MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V,功耗为25 mW,在220 GHz频点处实现了16 dB的增益,3 dB带宽达到了27 GHz。另一种是220 GHz四级共射共基差分低噪声放大电路,每级都采用共射共基的电路结构,放大器利用微带传输线和MIM电容构成每级的负载、Marchand-Balun、输入、输出和级间匹配网络等。该低噪放电源的电压为3 V,功耗为234 mW,在224 GHz频点实现了22 dB的增益,3 dB带宽超过6 GHz。这两个低噪声放大器可应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。 相似文献