浮胶引起的缺陷对CCD成像的影响分析

针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源。在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题。最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法。     

100nm及其以下线宽的微(细)加工技术

<正> 随着微电子技术的发展,各种能产生出结构特征尺寸为0.1μm(100nm)及其以下线宽的微细加工技术被广泛研究,主要有x射线毫微米光刻技术、全息光刻技术、无色差全息光刻技术、电子束光刻技术、聚焦离子束光刻技术、反应离子蚀刻技术、电子淀积技术等。x射线毫微米光刻技术因其效率高、工艺能力强等特点对100nm及其以下线宽的光刻具有特殊的作用,它能达到和产生扫描电子束或聚焦离子束光刻单独使用所达不到的效果。为了消除图形的畸变,该技术目前研究成功一种用无机薄膜(Si、Si_3N_4和SiC)制作的新一代掩模版。为了实现适合50nm线宽光刻的多掩模多次对准,该技术设定了4μm的标准掩模间隙,以通过     

向商业化迈进的极紫外（EUV）光刻技术

在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的等离子体LPP光源,着重对EUV光源的初步应用和EUV光刻设备的开发进展情况进行了详细介绍与讨论。目前的研究进展表明,随着激光产生的等离子体EUV光源（LPP）功率的不断提高和EUV光刻设备的逐步成熟,极紫外（EUV）光刻技术将在2012年步入半导体产业的商业化生产。     

63.5mmX127mm英寸UT 1X光刻版的设计及制造

提出一种新的UT1X光刻版规格63.5mm×127mm,与原来的76.2mm×127mm的UT1X光刻版适用于同一种UltraTech步进光刻机。相应的光刻版数据处理以及夹具进行了调整。新规格的光刻版将127mm×127mm的基材的产出提高了一倍,加快了光刻版的生产速度,同时减少了废弃物的产生,有利于降低成本和环境保护。     

63.5 mm×127 mm英寸UT 1×光刻版的设计及制造

提出一种新的UT 1X光刻版规格:63.5mm×127mm,与原来的76.2mm×127mm的UT1X光刻版适用于同一种UltraTech步进光刻机.相应的光刻版数据处理以及夹具进行了调整.新规格的光刻版将127mm×127mm的基材的产出提高了一倍,加快了光刻版的生产速度,同时减少了废弃物的产生,有利于降低成本和环境保护.     

电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。     

超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战:偏振效应

浸没式光刻要实现32纳米技术乃至进一步向下延伸,在高折射率液体,光学镜头以及光刻胶等关键技术领域需要不断取得突破性的进展。为了得到更高的分辨率,超高数值孔径浸没式光刻技术势在必行,由此而产生的光学偏振问题会日益突出,现在光刻领域的专家已经开始着手解决这个问题。     

光刻掩模缺陷对IC成品率的影响

本文叙述了光刻掩模的缺陷对IC成品率的影响，着重介绍了缺陷产生的原因及消除的方法，并对国内外光刻掩模生产现状作简要介绍。     

用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。     

下一代光刻技术研究开发情况

一、前言在微电子制造技术中,最为关键的是用于电路版图图形生成和复制的光刻技术,光刻技术的研究与开发在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点就是即将到来的光刻技术变革。这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。由于分辨率增强技术的发展,光学光刻的极限分辨率可以达到光源波长的1/2。因此,193nm 波长     

超分辨近场结构光刻技术

介绍了一种新的近场光刻技术的基本原理及其在光刻方面的应用研究的最新进展。新技术的基本原理是;光远场照射,通过超分辨掩模产生光刻所需的超过衍射极限的近场光,利用夹在掩模和光刻胶中闯的电介质保护层实现了近场光的最佳耦合,减小了线宽并大大提高了光刻速度。这种膜层结构叫超分辨近场结构(Super-RENS),是近年来发展起来的一种新的近场光学技术。     

衍射干涉光刻研究

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。     

道康宁公司电子部推出XR-1541电子束光刻剂聚集下一代光刻技术

2008年6月27日全球材料、应用技术及服务综合供应商美国道康宁公司电子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解决方案事业部宣布正式开始供应Dow Coming（r）XR-1541电子束光刻剂,该产品是专为实现下一代、直写光刻工艺技术开发所设计。这一新型先进的旋涂式光刻剂产品系列以电子束取代传统光源产生微影图案,可提供图形定义小至6nm的无掩模光亥4技术。     

超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战：偏振效应

浸没式光刻要实现32纳米技术乃至进一步向下延伸，在高折射率液体，光学镜头以及光刻胶等关键技术领域需要要不断取得突破性的进展。为了得到更高的分辨率，超高数值孔径浸没式光刻技术势在必行，由此而产生的光学偏振问题会日益突出，现在光刻领域的专家已经开始着手解决这个问题。     

光刻区缺陷管理

浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进，光刻变得更为复杂；随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用．对缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用PCM（Photo Cell Monitoring）缺陷检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式．对光刻缺陷进行监控，以减少缺陷产生。     

利用RELACS辅助技术制作"T"型栅

利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅。首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂,让RELACS试剂中的高分子与交链分子产生交链反应,使得光刻胶表面形成新的一层不溶于水的交链层而达到光刻图形收缩的目的。此方法增加了细栅光刻的宽容度,降低了细栅光刻制作的难度,极易将0.5μm的栅条收缩到0.3μm,甚至更小,不但有效地减小了栅长,而且提高了细栅光刻的成品率。RELACS技术可以应用于不同光刻胶类型的"T"型栅制作中。     

光刻产生AIGaAs微薄盘

德国汉堡的研究人员使用激光干涉光刻已经生产出大型AIGaAs半导体微薄盘列阵，活性离子蚀刻和拥有柠檬酸基溶液的选择性GaAs湿化学腐蚀。传统上电子束或HF基腐蚀溶液的光刻已产生微薄盘。     

采用激光检查光刻掩模的缺陷

富士通研究所最近发明了一种完全自动的激光光束扫描型的光刻掩模检查法。这种方法是采用激光光束在光刻掩模上进行扫描。只要光刻掩模有缺陷,就会从缺陷处产生紊乱的拆射光,并在布郎管上显示出缺陷的位置。在实验中采用此法能够发现甚至1微米左右的缺陷。此法据说具有完全实用的特点。该研究所正在研究将这种方法用于集成     

离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响分析

本文对离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响进行了分析。离轴照明相对传统照明来讲可以提高光刻系统成像的分辨率,是光刻系统常用的照明模式。但是离轴照明光源相对光轴的强度和位置不对称性,会对光刻成像产生较大影响。因此,本文一种利用自建的一种光刻成像仿真模型,利用此模型分析了离轴二极照明下,照明光源强度不对称对193nm深紫外光刻机90nm线宽的成像影响。仿真结果表明,照明光源强度均匀对称时,离焦对成像的影响很小,照明强度不对称时,离焦对成像的影响非常大。因此,光刻时要确保掩膜照明强度均匀,减小离焦对成像线宽的影响。     

双液体层消色差氩氟浸没干涉光刻性能分析

氩氟(ArF)浸没干涉光刻系统可产生高分辨周期图形,是研究高数值孔径ArF浸没光刻的有力工具。消色差ArF浸没干涉光刻系统能降低系统对曝光光源的相干性要求,实现高分辨率成像。提出了一种双液体层消色差浸没干涉光刻系统,由衍射理论和几何光学理论分析了系统的消色差原理和成像机制。对比传统的单液体层系统分析了其成像性能并分析其优点。结果表明,该系统的成像焦深和可分辨像场宽度较大且不依赖于激光光源的带宽;系统性能对外界环境不敏感,成像稳定性得到改善;该系统以简单的对称结构解决了干涉光刻成像中ArF准分子激光光源相干性差的问题,并保证了系统成像性能的稳定。