一种InSb薄膜型霍尔器件

霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、     

基于霍尔器件的电流保护集成块

本文介绍了一种基于霍尔器件的电流保护集成块的设计。文章依据设计目标参数,对设计方案进行选择,详细介绍了电路各部分设计原理和设计参数。集成块保护电流可达10A,并可调节外接电阻改变保护电流大小,满足使用者的不同需求。     

工艺缺陷引起霍尔器件功能失效

通过对失效霍尔器件的分析，揭示了芯片金属电极脱边形成位移金属丝的工艺缺陷。导致桥接相邻内电极引起漏电或短路的失效机理。     

霍尔器件的技术状况与市场分析

霍尔器件成为商品,才三十多年的历史。迄今,霍尔器件的品种、功能和用途都有了极大的发展,而在磁敏传感器中形成了一个庞大的霍尔器件产业。 据日本电子工业振兴协会1992年的调查,当年在日本生产的传感器中,磁敏传感器的产量为10.86亿只,占传感器总产量的33％,价值1098亿日元,占传感器总价值的21％。产量居各类传感器之首,价值仅次于光传感     

霍尔传感器及其应用

霍尔传感器及其应用中科院半导体研究所郑一霍尔器件是一种磁电转换的磁敏传感器，它在精密测磁、自动化控制、通信、计算机、航天航空等工业部门及国防领域有着广泛的用途。目前用得最多的是砷化像霍尔器件，锑化锢霍尔器件及硅霍尔集成电路。砷化镓霍尔器件具有耐高温、...     

谈谈录像机中的霍尔集成电路

霍尔元件是利用霍尔效应制成的一种磁敏传感器件,而霍尔集成电路则是将霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制造而成,它能感知一切与磁有关的物理量,并且输出相关的电信号。所以霍尔集成电路既是一种集成电路,也是一种灵敏度很高的磁敏传感器。一、霍尔效应霍尔效应原理如图1所示。将一块     

辐射对GaAs霍尔器件电磁参数的影响

为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化.结果表明,无磁场作用时,γ和β射线辐照均导致器件输入端电阻增加,而且与辐照时间近似成正比;有确定磁场作用时,输入端电阻与霍尔输出电压也因辐照发生变化,但与辐照时间没有确定关系,而且变化量较小.所有变化均不因辐照停止而消失,反应了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性.上述结果不仅从一定程度上证实了辐射损伤理论,而且对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值.     

基于线性霍尔器件的位置解码方法

提出了将线性霍尔器件用于伺服系统的位置或角位移检测的方法.利用线性霍尔器件的解码方法,与常规光电编码器相比较,容错性好,抗干扰能力强,而且可以由非接触的方式完成检测.是一种比较完备的位置或角位移的检测方法.     

高能器件开辟了新的市场

半导体激光技术的持续发展提高了器件的输出功率、效率、可靠性及性能-价格比.这些改进开辟了二极管激光器新的商业市场--有专门化的应用,也有需要集中热源的非专门化应用过程.这不仅是出现了新的市场,而且已有的应用也从这些开发中受益.高的电-光能量转换效率、简易维护及小型化使得二极管激光器成功地应用于工业、医药、图形、照明以及传统的和波导固体激光器的泵浦源.最近在输出功率和能量密度方面的改进意味着二极管激光器在一些应用领域很快将取代传统激光器和光源.     

关于霍尔效应特性的实验研究

随着电子技术的发展,霍尔效应不单是测定半导体材料电学参数的主要手段,利用霍尔效应制成的霍尔器件凭借其结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛应用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面,随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一,通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。本文重点对霍尔电压(VH)与工作电流(IS)、霍尔电压(VH)与磁场的关系进行实验探索,进一步深入了解霍尔效应的机理。     

霍尔元件及其应用领域

霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。