复合添加对锂铁氧体烧结特性和电磁性能的影响

用传统的陶瓷工艺制备Li铁氧体材料.研究了复合添加Bi2O3等多种添加剂的作用.结果表明,添加适量超细球状Bi2O3粉可有效抑制Li的挥发,同时引入Zn2 、Ti4 、Mg2 、Mn2 等金属离子可将锂铁氧体的烧结温度降低至900℃以下,从而实现与银内电极的低温共烧.测试分析表明复合添加上述金属离子的锂铁氧体材料性能显著提高.起始磁导率μi =35～250,温度系数αμ(10kHz)5～7×10-6/℃,截止频率fc=12～86MHz,电阻率ρ>109Ω·m,居里温度TC>100℃.     

P_2O_5-Co_2O_3-Bi_2O_3掺杂NiCuZn/PZT复合材料的电磁性能

首先用sol-gel法制得Pb_(0.95)Sr_(0.05)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)纳米粉料,然后采用固相反应法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料,研究了P_2O_5-Co_2O_3-Bi_2O_3组合掺杂对复合材料性能的影响.结果表明,当固定质量分数w(Bi_2O_3)=2.5 %,w(P_2O_5)=0.5 %,适量的Co_2O_3掺杂可同时提高复合材料品质因数Q、起始磁导率和介电常数,并降低材料的介电损耗.当w(Co_2O_3)=0.3%时,材料的综合电磁性能最佳.所制备的材料满足叠层片式电容器和电感器件的性能要求,有望成为用于叠片式滤波器的电感、电容复合双性材料.     

低温烧结MgCuZn铁氧体的特性

根据低温烧结MgCuZn铁氧体电磁特性的有关文献报导,重点介绍了Cu2 含量对铁氧体烧结特性以及电磁特性的影响,讨论了MgCuZn铁氧体作为多层片式电感用磁芯材料的可能性.说明在910℃下烧结,CuO含量为12mol%的MgCuZn铁氧体具有非常高的电阻率、品质因数以及良好的频率特性,是制备高性能多层片式电感器的理想材料.     

掺杂SiO_2的低温烧结Ba_3(Co_(0.4)Zn_(0.6))_2Fe_(24)O_(41) Z型六角铁氧体材料

为了改善低温烧结Z型六角铁氧体Ba3(Co0.4Zn0.6)2Fe24O41材料的电磁性能,向体系中引入了SiO2,研究了掺杂SiO2对此材料在低温烧结时的显微结构和高频电磁性能的影响.发现SiO2的加入减小了晶粒的尺寸,使得其起始磁导率降低,但与此同时,SiO2的引入能够降低该体系在高频时的介电常数并提高其品质因数.     

用于LTCF工艺的低温烧结M型Ba铁氧体的显微结构与电磁特性

首先用机械球磨法、以Bi2O3为助烧剂制备了低温烧结M型钡铁氧体(BaFe12O19),结合相结构和显微形貌分析研究了添加量对低温烧结钡铁氧体结构与性能的影响.在一次球磨6h、预烧温度1100℃、Bi2O3掺杂量为3wt%、二次球磨9h、900℃烧结后制得了不同参数的M型铁氧体材料.然后采用上述工艺初步研究了低温烧结的ZnTi和CoTi取代的M型钡铁氧体的性能.     

W6+离子掺杂对NiCuZn铁氧体的微观结构及电磁性能的影响

用传统的氧化物法制备了NiZnCu铁氧体,研究了掺杂W6 离子对Ni0.24Zn0.56Cu0.2Fe2O4铁氧体磁性能及微观结构的影响。实验发现,掺杂W6 离子后NiCuZn铁氧体的微观结构有显著变化,晶粒尺寸逐渐减小,晶粒趋于均匀。同时,W6 离子的加入对材料电磁性能也有一定的改善,随着W6 离子的增加,材料截止频率增高,介电常数ε′增大。     

Nd2O3掺杂对NiZn铁氧体电磁性能的影响

研究了Ｎｉ０．４Ｚｎ０．６ＮｄｘＦｅ２－ｘＯ４铁氧体的电磁性能,从材料的微观结构出发,着重讨论了Ｎｄ＾３＋离子对ＮｉＺｎ铁氧体起始磁导率μ,品质因素Ｑ,截止频率ｆｃ电阻率ρ以及居里温度ＴＣ的影响。     

CrO_2及其复合材料的电磁特性

首先介绍了铁磁性半金属氧化物CrO_2的基本特性,然后重点分析了CrO_2及其复合材料的电磁特性。通过对不同制备方法得到的CrO_2及其复合材料结构与成分比较,得出CrO_2基不同材料的电磁特性的差异,以及形成这些差异的主要原因。     

聚合物基电磁屏蔽复合材料

介绍了电磁干扰的危害及电磁屏蔽的基本原理，着重论述了聚合物基电磁屏蔽复合材料的研制技术和开发现状，并探讨了导电填料、聚合物基体及复合工艺等因素对这类复合材料屏蔽效能的影响。     

（NixZn0.825—xCu0.170Co0.005）Fe1.90O3.85铁氧体的电磁性能

采用配方式（ＮｉｘＺｎ０．８２５－ｘＣｕ０．１７０Ｃｏ０．００５）Ｆｅ１．９０Ｏ３．８５（简称ＮｉＣｕＺｎ铁氧体）在较宽的组成范围内（ｘ＝０．２９５～０．７５０）研究了ＮｉＣｕＺｎ铁氧体的电磁性能,发现ＮｉＣｕＺｎ铁氧体的μ,Ｑ以及温度特性随Ｎｉ含量ｘ的变化与ＮｉＺｎ铁氧体有很大不同,并对产生这种现象的原因进行了初步探讨。     

核辐照对吸波材料电磁性能的影响

铁基磁性吸波材料在接受电子和＾６０Ｃｏ（γ光子）辐照后,其电磁性能（μ、ε）发生明显变化,分析了辐照引起材料电磁性能变化的原因以及电磁性能变化对这类吸波材料吸收电磁波性能的影响。     

BaTiO3-NiCuZn陶瓷-铁氧体复合材料的性能

目前制作抗EMI滤波器的材料主要有铁氧体系列和纳米晶软磁系列。本文主要介绍一新型抗EMI软磁铁氧体—陶瓷复合材料的制备及其磁性能的研究。复合材料的截止频率达到1．5GHz以上，有利于高频器件的使用。且介电常数大于45，有望成为电感、电容双用材料。     

高性能锂硫电池正极复合材料研究现状

锂硫电池具有理论比容量高（1 675 mA·h/g）、硫资源丰富、环境友好无毒和价格低廉等优点,是下一代二次电池的研究重点。单质硫作为锂硫电池正极材料时,其导电性差、中间产物溶解及放电过程体积膨胀导致的电化学性能衰减,严重制约着锂硫电池的商品化。对单质硫进行复合是目前主要的改性方法和研究热点。综述了吸附型、包覆型和多元复合型等多种硫基正极复合材料的研究现状,分析了复合材料微观结构对其电化学性能的影响,并展望了硫基正极复合材料及锂硫电池的发展前景。     

Electromagnetic radiation detection in 0-3 cement-PZT composite under impact loading

Electromagnetic responses of cement–PZT composites under impact loading have been presented in this work. The values of density, dielectric constant and EMR voltage increase while that of porosity and loss tangent decrease with increase in PZT content. Filler (PZT) concentration dependent dielectric constant as well as loss tangent data shows exponential variation. The emitted EMR voltage as well as average EMR energy release rate for 21?cm height of impact increase from 1.03 V to 2.24 V and 0.10092 V²-sec/sec to 0.4635 V²-sec/sec respectively with the increasing PZT content (5% to 40%). The EMR responses of the composites were also found to be proportional to the height of impact in all the composites tested, indicating that the measurement of EMR responses from the cement based composites may be useful for deformation monitoring.     

烧结温度对注塑成型FeSiCr材料电磁性能的影响

采用注塑工艺压制生坯,在氮气气氛下、以不同温度(800?1300℃)烧结制备铁硅铬环形磁芯。测试了磁环的电磁性能、频谱特性和XRD谱,观察了磁环表面和截面的SEM形貌等。系统研究了烧结温度对密度、磁导率、频谱特性、物相、显微结构等的影响。结果表明,在900℃以下烧结,密度、显微结构和电磁性能没变。在1000℃烧结温度下,电磁性能最佳。1000℃以上烧结,密度升高,但是磁环内部出现另相和晶粒异常长大,导致电磁性能急剧下降。由于1000℃的烧结条件下,铁硅铬磁环有最佳低频电磁性能,为正在注塑研发铁硅铬相关产品提供指导。     

(1-x)(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4+x(Ni0.8Zn0.2)O铁氧体的微观结构与电磁特性

对(1-x)(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4+x(Ni0.8Zn0.2)O铁氧体的X射线衍射、体积密度、直流体电阻率、磁导率温度谱和频率谱等测试数据进行比较分析发现:当x≤0.05时,铁氧体为单纯的尖晶石相,尖晶石晶格中少量氧缺位存在有利于促进晶粒的生长,提高铁氧体初始磁导率和致密度;当x＞0.05时,铁氧体为尖晶石和石盐石两相复合体,非磁性石盐石相(NiyZn1-y)O(y＜0.8)在晶界处的存在极大地减缓了晶粒的生长速度,促进了晶粒细化,改善了铁氧体的高频电磁特性和温度稳定性.     

Influence of the Lead Source Materials on the Microstructure and Ferroelectric Properties of PZT Films Sputter-Deposited Using Lead and Lead Oxide

In this investigation, PZT films were sputter-deposited on Si/SiO₂/Ti/Pt substrates using a dual-target system. The dual targets Pb/PZT(PbZr_0.54Ti_0.46O₃) and PbO/PZT(PbZr_0.54Ti_0.46O₃) were used to reveal the effects of various lead compensation source materials on the microstructure and ferroelectric properties of the films. The structures of the films were characterized by X-ray diffractometry (XRD) and field emission scanning electron microscopy (FESEM). The chemical binding state was determined using X-ray photoelectron spectrometry (XPS). Ferroelectric polarizability was measured using a Radiant Technology RT66A tester. The influence of deposition temperatures on the microstructure and ferroelectric properties of the films was studied. Perovskite PZT films were successfully deposited using the Pb/PZT and the PbO/PZT dual target sputtering systems at a substrate temperature of between 500 and 580C. Structural change was elucidated as a function of deposition temperatures and the lead sources were correlated with the ferroelectric properties of the film. The ferroelectric characteristics of the PZT films deposited using the PbO/PZT dual target were better than those of films deposited using the Pb/PZT dual target, because the former films had a higher bonding energy.     

高频低功耗功率铁氧体TP4材料的研制与生产

简要介绍了高频低功耗功率铁氧体ＴＰ４材料的研制和生产过程,对ＴＰ４材料制在的铁氧体磁芯有关电磁性能及显微结构作了详细研究 。