基于单片机控制的频率综合器设计

以ADF4360芯片为核心,设计实现了频率综合器作为1.95 GHz一次变频超外差射频接收机的本振部分,并制作了单片机控制电路。经测试,可以在1.6GHz～1.95GHz范围内以0.5MHz为步长调节输出本振信号频率。在频率为1.9GHz时,相位噪声为-68dBc/Hz（1kHzoffset）、-71dBc/Hz（10kHz offset）、-110dBc/Hz（100kHz offset）、-115dBc/Hz（1MHz off-set）。频率偏差小于50kHz。     

UHF宽带线性功率放大器设计

针对电磁环境模拟器应用设计了一个全固态UHF波段多级宽带线性高功率放大器。驱动放大器工作在A类，末级放大器以三个AB类功放模块频域分段覆盖工作频段，通过控制PIN开关切换。末级输出接低通滤波器改善谐波。实测从400MHz～1250MHz，功放的1dB压缩点功率为25W（44dBm），二次谐波低于-40dBc，输出功率在38dBm时双音测试三阶交调（IM3）优于-44dBc。     

一种宽带Ka频段上变频模块的设计与实现

为了满足系统对工作频段宽带化的需求,设计了一种宽带Ka频段上变频模块,其功能是将C频段信号(2.0～4.0 GHz)上变频到Ka频段信号(25.0～27.0 GHz,29.0～31.0 GHz)。通过合理的链路频率配置和电平分配,减小了混频非线性导致的组合频率干扰,输出杂散降低到-60 d Bc。运用MMIC-1对本振输出信号进行二次、三次倍频。根据倍数次数不同,运用2组滤波器进行分段滤波来消除谐波杂散。测试结果表明,输出信号在100 k Hz处的相位噪声指标优于-100 d Bc/Hz。     

采用次谐波混频技术的毫米波超宽带混频器研制

提出了一种次谐波混频技术结合宽带匹配滤波电路的设计方法,能有效降低本振源的制作难度,并可扩展中频带宽。应用高频场仿真软件以及谐波平衡仿真软件,研制了两个频段的超宽带次谐波混频器。测试结果:K频段混频器,固定本振频率15 GHz,射频频率在18~26.5 GHz的频带内变化时,变频损耗小于10.7 dB,最小变频损耗为7.5 dB;Ka频段混频器,固定本振频率22 GHz,射频频率在26.5~40 GHz的频带内变化时,变频损耗小于11.5 dB,最小变频损耗为8 dB。测试结果指标与传统的双平衡混频器指标相当,证明了电路设计方案的正确性。     

应用于Ka波段无线通信的发射前端模块设计与制造

介绍一种应用于Ka波段无线通信的发射前端模块,该模块由混频器、微带滤波器、压控振荡器、倍频器、功率放大器构成。射频(RF)信号工作在27.4~28 GHz频段内,中频信号固定在1 GHz。仿真结果显示,在工作频段内发射前端增益超过10 dB,发射功率为11.823 dBm,并且交调信号被抑制在63 dBc以下。在全部芯片工作的条件下,温度仿真结果显示芯片的结温低于64℃。测试结果显示,在工作频段内输出端信号线插入损耗低于0.34 dB,回波损耗小于-20 dB,VCO的8分频输出功率是-10.66 dBm。     

0.22 THz宽带混频电路研究

基于中国电子科技集团公司第十三研究所的反向并联肖特基二极管,采用电磁场和电路软件联合仿真,完成了0.22 THz分谐波混频电路设计。在固定中频输出频率10 MHz的条件下测试了混频电路的变频损耗,在175~235 GHz共60 GHz带宽内双边带变频损耗小于15 dB,在196 GHz处最佳变频损耗为8.5 dB。测试结果与仿真结果趋势吻合良好。基于冷热负载,测试了分谐波混频电路的噪声温度,当本振功率为5.7 mW时,在216 GHz处双边带噪声温度为1 200 K。     

Ka波段镜像抑制谐波混频器设计

针对现代毫米波接收机和雷达系统高抗干扰能力的需求,分析了具有镜像频率抑制能力的谐波混频器的基本原理,提出了一种Ka波段镜像抑制谐波混频器的设计方案。该混频器由两个混频单元组成,利用输出信号的相位关系识别RF信号和镜频信号,RF混频信号在输出端口同相叠加,镜频混频信号反相抵消。使用Ansoft HFSS和Agilent ADS仿真软件分别完成电路无源部分仿真和谐波平衡仿真设计,制作了混频器并进行了测试。测试结果表明:RF频率为29.4～31GHz,中频(IF)为100 MHz,变频损耗稳定在8.8～10.3 dB,镜像抑制度大于20.1 dB,各个端口隔离度均大于31.4 dB,RF端口和本振(LO)端口驻波比分别小于1.3和2.2,输入功率在1 dB压缩点为-5 dBm。     

基于肖特基二极管的四次谐波混频器

针对冰云探测设备的预研,详细介绍了一款基于肖特基二极管的低变频损耗670 GHz四次谐波混频器.为了提升混频效率,采用两级紧凑微带共振单元（CMRC）本振低通滤波器来抑制射频信号、本振三次谐波及二次谐波混频产物.由于本振频率仅为射频频率的四分之一,大大降低了本振链路的复杂度和成本.测试结果表明,在640~700 GHz频带内单边带变频损耗为16.7~22.1 dB,在665 GHz最优单边带变频损耗为16.8 dB.     

CLT—39型无绳电话机故障检修

故障现象主机不能受话。分析检修检查分机工作正常，检查主机低放及扬声器均无异常，可能主机的接收或解调电路工作不良。分析该机的原理电路可知，分机发射的48MHZ高频已调波信号被主机天线接收后，经T231选频耦会到V231进行高频放大，放大后的信号经T232、T233再次选频后送入晶体管V233基极和由电容器C236送来的第一本振信号（37MHz）混合并实现第1次混频。第一本振信号电路由V232、B201、C235、L231等元器件构成。第1次混频后的信号经T234选择，输出10．7MHz的第一中频信号。CF201是三端陶瓷滤波电路，谐振频率为10．7MHz。CF2…     

低相噪全相参毫米波频率合成源研究

研制出一种小步进全相参毫米波频率合成源.本振部分,对直接数字式合成频率、参考分频比和环路分频比进行三重调节,抑制了直接数字频率合成的杂散,提高了频率分辨率;发射部分,采用二次混频电路,避免了调谐电压预置,简化了电路,并保证了发射信号和本振信号相参.该系统输出在Ka频段,带宽400MHz,步进<1MHz.测试相噪<-90dBc/Hz@10kHz、-97dBc/Hz@100kHz,杂散为-60dBc,跳频时间<15us.     

高抗振X波段低相噪频率合成器

介绍了一个X波段频率合成器的设计,该频率合成器通过采用混频锁相环的方式实现,本振锁相环输出8 GHz的信号,作为混频器的本振信号,混频环最终输出信号为8.5~9.0 GHz,输出静态相位噪声为-93 dBc/Hz@1 kHz offset。此外,还研制了一种小型化的隔振器来降低振动对晶振的影响,对环路也采取了相应的减振措施,提高了该合成器在振动下的相位噪声,振动环境下相位噪声为-90 dBc/Hz@1 kHz offset。     

基于肖特基二极管的四次谐波混频器（英文）

针对冰云探测设备的预研,详细介绍了一款基于肖特基二极管的低变频损耗670 GHz四次谐波混频器,为了提升混频效率,采用两级紧凑微带共振单元(CMRC)本振低通滤波器来抑制射频信号、本振三次谐波及二次谐波混频产物.由于本振频率仅为射频频率的四分之一,大大降低了本振链路的复杂度和成本.测试结果表明,在640-700 GHz频带内单边带变频损耗为16.7～22.1 dB,在665 GHz最优单边带变频损耗为16.8 dB.     

毫米波锁相倍频源小型化研究

本文介绍了小型毫米波跳频频率合成器的研究方法。为了满足系统小型化要求 ,采用微波频段锁定倍频到毫米波频段的锁相倍频方案 ,选用超小型、无任何补偿措施的普通 10MHz晶振。整个毫米波锁相源在15 0cm3 体积内实现。测试结果为输出频率 2 9～ 31GHz ,步进频率为 2 0MHz,相噪优于 - 6 5dBc/Hz @10kHz,输出功率大于 10dBm ,可在 8mm接收机中作本振或在发射机中作基准源使用     

基于场效应管阻抗参数测试的宽带功率放大器优化设计

设计了一个工作在800～1250MHz的宽带线性高功率放大器.用负载牵引方法测试了LDMOS场效应管宽带内的大信号阻抗参数,利用测得的阻抗参数优化设计了功放的匹配电路.实测功放的1dB压缩点输出功率大于44.5dBm,二次谐波小于-25dBc,输出功率为38.5dBm时双音测试三阶交调(IM3)优于-44dBc.     

R＆S推出新型谐波滤波器

近日,罗德与施瓦茨公司为R＆S SMB100A微波信号发生器提供了谐波滤波器选件。这些滤波器可以在150MHz～40GHz的频率范围内提供高达-50dBc的谐波抑制;在小于3GHz频率时,甚至可以达到-58dBc。     

毫米波倍频上变频功放组件

该组件是将输入信号 (1 5 GHz,1 0 d Bm)倍频至 3 0 GHz,与本振信号 (5 GHz,1 0 d Bm)上变频到 3 5 GHz,然后进行功率放大输出。其倍频部分采用 Ga As PHEMT有源倍频并进行放大 ,混频电路采用 Ga As二极管的双平衡混频 ,滤波放大后由 8mm波导输出。最终结果为输出频率为 3 5 GHz,输出功率为 1 7d Bm,谐波抑制度大于 40 d BC,偏离中心频率± 2 0 0 MHz带宽内 ,幅度不平坦度小于 1 .5 d B。整个组件尺寸仅为 60 mm×2 2 mm× 1 5 mm。     

基于石英基片的二毫米波段二次谐波混频器设计和研制

介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm时,最低变频损耗为17dB,最高变频损耗为20dB.混频器的P1dB为1dB...     

基于LTCC的星载S频段上变频器

介绍了一种星载S 频段上变频器的原理,并给出了基于低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)一体化技术的设计方法,详细描述了关键部件的设计,给出了设计实例,证明了基于LTCC 技术星载微波多芯片组件(Multichip module,简称MCM)的可实现性。实际测试结果为:本振输入电平0 dBm 时变频增益约40 dB;噪声系数小于9 dB;对混频产物、本振信号、二次谐波的抑制分别大于等于56.5 dBc、55.8 dBc、77 dBc;输出1dB 压缩点39.56 dBm;组件尺寸约为5.2 cm′4 cm′1.2 cm。     

一种应用于全相参雷达的毫米波频综设计

结合DDS、PLL、倍频及混频技术,研制了一种低相噪和低杂散的毫米波全相参雷达频综. 主要包括一个毫米波源、一个线性调频信号发生器以及为接收机提供第二本振的微波源,整个源的相参时钟采用外接的一个100 MHz恒温晶振提供. 分析和估算了毫米波信号的相位噪声和杂散. 测试结果表明信号输出频率范围为34.855~34.865 GHz,步进100 KHz,输出功率高于16 dBm, 相位噪声大约为-92 dBc/Hz@10 KHz.     

适用于零中频802.11a/b/g无线局域网以及蓝牙系统的工作在8.64-11.62GHz的压控振荡器和分频器

本文提出了工作在1.2V电压下用0.13um工艺实现的全集成压控振荡器和分频器。压控振荡器的工作频段是8.64GHz到11.62GHz,可以通过2分频产生适用于802.11a无线局域网（5.8GHz频段）的正交本振信号,通过4分频产生适用于802.11b/g无线局域网和蓝牙协议（2.4GHz频段）的正交本振信号。6位开关电容阵列用来调整所需要的工作频段。测试结果显示压控振荡器2分频后在距离5.5G载波1M频偏处的相位噪声是-113dBc,压控振荡器消耗了3.72mW的功耗,FOMT 是-192.6dBc/Hz。