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采用标准MEMS加工工艺,设计出了5个50μm×20μm的串联铂膜微加热器并将其置于并联流动微通道内;在脉冲加热下观察铂膜上气泡的生长行为,实验研究了主流过冷度、流速以及铂膜功率等因素对气泡生长的影响;结果表明,气泡的生长延迟间差随着主流过冷度和流速的增大而增大,随着铂膜功率的提高而缩短;高功率小流速时,气泡直径较大,但流速的提高会使气泡脱离直径变大;气泡生长的同时伴随着纵向和横向跳跃:前者与流速有关,后者与串联铂膜上气泡间的相互影响有关,但流速是影响两个方向上跳跃幅值的主要因素. 相似文献
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管道微机器人中压电执行器的研究 总被引:7,自引:1,他引:6
微执行器作为微机械系统的核心单元,一直是微机械发展关键。文章介绍了一种应用于管道微机器人的足式压电执行器。在交变电压作用下,该压电执行器将压电体的弯曲振动转化成其弹性足沿管壁的移动,从而实现执行器的运动。在分析其工作原理的基础上,研制了压电微执行器的驱动电源,并进行了简单的实验研究。研究表明该执行器具有结构简单,易于微型化,响应快,驱动方便等特点。 相似文献
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宋龙刚李晨董亮韩佩瑛 《微纳电子技术》2023,(10):1537-1550
微纳制造技术和微机电系统(MEMS)的迅猛发展,推动了微器件向微型化、集成化、多功能化方向发展。微器件操作末端执行器是微操作工具与微器件直接作用的部件,具有重要研究意义。综述了微器件操作末端执行器的研究现状和成果;对国内外微器件操作末端执行器进行了汇总和分类;对微器件操作末端执行器的工作原理和结构进行了介绍;基于对接触式和非接触式末端执行器研究现状的总结,分析了各种末端执行器的优势和局限。最后,讨论了微器件操作末端执行器的应用现状和面临的挑战,并对末端执行器的发展进行了展望。该研究为微器件操作末端执行器的选取和开发提供了技术参考。 相似文献
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基于数字图像处理的水中微气泡参数的测量 总被引:1,自引:0,他引:1
对实验室条件下拍摄到的气泡图像进行了一系列的图像处理操作,得到了较为清晰的气泡图像。继而应用扫描法测量气泡的直径,用粒子跟踪测速法(PTV)测量稀疏气泡的运动速率,用粒子图像测速法(PIV)测量高密度气泡的运动速率。以上方法均得到了相应的测量结果,为工业上对微气泡的测量提供了一定的参考。 相似文献
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压电陶瓷驱动器三角波频率特性 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了三角波驱动信号下d31悬臂梁式驱动器的工作特性和频率特性。由于三角波包含了许多频率为基频奇数倍的谐波分量,当某一信号的谐波频率接近驱动器的共振频率时,该频率的三角波就会引起驱动器的谐振。因此,可以通过采用对扫描反馈电压的波形进行快速傅里叶分析法(FFT)来获得压电陶瓷驱动器的共振频率,而且,可以获得避开驱动器谐振点的驱动器设计原则,即:fr<0.6fk。此外,本试验压电陶瓷驱动器输出波形的延迟和非线性度与其驱动三角波频率的关系为:随频率增加,延迟不断增大;频率较低时,非线性度很大,而且随频率增大而增大,当频率在80~120Hz时,非线性度出现极大值,此后,非线性度随频率增大而减小。 相似文献
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Yuwei Cai Zhaohao Zhang Qingzhu Zhang Jinjuan Xiang Gaobo Xu Zhenhua Wu Jie Gu Huaxiang Yin 《半导体学报》2021,42(11):81-86
The HfO2-based ferroelectric field effect transistors(FeFET)have been widely studied for their ability in breaking the Boltzmann limit and the potential to be applied to low-power circuits.This article systematically investigates the transient re-sponse of negative capacitance(NC)fin field-effect transistors(FinFETs)through two kinds of self-built test schemes.By compar-ing the results with those of conventional FinFETs,we experimentally demonstrate that the on-current of the NC FinFET is not degraded in the MHz frequency domain.Further test results in the higher frequency domain show that the on-state current of the prepared NC FinFET increases with the decreasing gate pulse width at pulse widths below 100 ns and is consistently great-er(about 80%with NC NMOS)than the on-state current of the conventional transistor,indicating the great potential of the NC FET for future high-frequency applications. 相似文献
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侧向送粉激光熔覆粉末温升模型及实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了侧向送粉激光熔覆粉末颗粒温升的数学模型,该模型可以考虑激光束的功率分布。推导了考虑激光束直径大于粉斑直径和小于粉斑直径两种情况下,粉末颗粒在光束辐照下的温升与其在光束下运动时间的关系式。通过算例,给出了在不同激光功率下粉末颗粒的温升随其与激光束相互作用时间的关系曲线以及不同颗粒直径条件下粉末颗粒温度随相互作用时间的关系曲线。采用微距摄影技术对粉末颗粒到达熔池表面的状态进行实验观测,并采用图像分割技术中的迭代阈值选取方法,对所获得的灰度图进行处理从而得到了粉末颗粒到达熔池的温度。计算结果与实验分析获得了相同的结论,从而验证了模型的正确性。 相似文献