热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO∶Sn薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO∶Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对ZnO∶Sn薄膜进行分析表征,结果表明:在300℃温度下干燥10min后,在700℃空气中退火1h制备出的ZnO∶Sn薄膜表面平整,具有c轴择优取向,平均透过率达到92％以上,电阻率仅为13.6Ω· cm.     

溶胶-凝胶法制备ZnO多孔薄膜

以聚乙二醇(polyethyleneglycol,PEG2000)为模板剂,醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)为前驱体,乙醇为溶剂,二乙醇胺[NH(C2H4OH)2]为络合剂,通过溶胶凝胶法在玻璃基片上制备了ZnO多孔薄膜。利用红外光谱,热重差热分析及扫描电镜等测试方法对薄膜的结构和特性进行了分析。探讨了样品在溶胶凝胶及煅烧过程中的物理化学变化。研究了前驱体浓度、PEG2000加入量及不同水浴温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:当m[Zn(CH3COO)2]/m[PEG2000]=9.43∶1(质量比),将溶胶在70℃水浴下处理1h,最终可制得具有一定多孔结构的ZnO薄膜。     

溶胶-凝胶旋涂法制备ZnO∶Cd薄膜

溶胶-凝胶法是一种有效制膜技术,以二水合醋酸锌Zn(CH3COO)2·2H2O为前驱体,以乙二醇甲醚CH3OCH2CH2OH为主要溶剂,以乙醇胺C2H7NO作为稳定剂制备溶胶溶液.将滴有此溶胶溶液的基片放入旋转涂覆机旋转,再在表面滴入氯化镉( CdCl2·2.5H2O)溶液,然后对基片进行热处理.经X-射线衍射测量,发...     

厚度对溶胶-凝胶法制备锂掺杂ZnO薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同厚度的ZnO:Li半导体薄膜.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的物相结构和形貌,用Hall效应测量仪常温下测量薄膜的电学性能.结果表明:该薄膜具有高度的c轴择优取向性,所有薄膜只有1个(002)衍射峰,并且衍射强度随着膜厚增加而加强.ZnO:Li薄膜晶粒呈柱状,晶粒直径不随膜厚改变,约为40 um.ZnO:Li薄膜为P型导电,薄膜越厚,其电学性能与晶体结晶越好,(002)方向择优取向生长越明显.电阻率随着膜厚增加而减小,最小的电阻率为1.32×102(Ω·cm).载流子-空穴浓度为3.546×1016/cm3,迁移率为1.34cm2/(V·s).ZnO:Li薄膜在可见光范围内的透过率达到90%,薄膜对紫外光的吸收与厚度有关.     

种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响

本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝(AZO)薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长.Al掺杂浓度区间为0.25at％～5.00at％.通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响.结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85％以上.Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响.无种子层时,掺杂浓度为0.50at％的AZO薄膜在5％ H2、95％N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166 Ω/□,电阻率约为1.99×10-3 Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm.     

ZnO薄膜的新溶胶-凝胶法制备及其光学性能

氯化锌和乙酰丙酮在乙醇中反应得到乙酰丙酮(AA)络合锌溶液(即Zn(AA)Cl2),利用Na OH与Zn(AA)Cl2反应去除溶液中的Cl-,制得含锌的溶胶溶液。使用制得的溶胶溶液利用浸渍-提拉法在玻璃基上制备Zn O薄膜。通过X射线衍射仪和紫外-可见光光度计对样品进行晶体结构分析和光学表征。结果显示:在500℃制备的薄膜样品具有六方纤锌结构的Zn O,由谢乐方程估算Zn O薄膜的平均晶粒尺寸为70~80 nm,由薄膜的光学表征确定制得的Zn O薄膜的直接禁带宽度为3.17 e V。     

溶胶凝胶法制备声表面波器件用Li∶ZnO薄膜

用溶胶凝胶法在玻璃载玻片上制备Li∶ZnO薄膜 ,涂膜采用旋涂法。薄膜通过二次涂膜而形成。用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电阻仪表征和测量了薄膜的特性和性能。实验结果表明 :通过改变每层涂膜热处理的温度 ,可使Li∶ZnO薄膜具有更好的c轴择优取向性、平整均匀、颗粒细小和高的薄膜电阻率 (≈ 10 7Ω·cm) ,这些性能可满足声表面波器件的使用要求。薄膜形成时每层采用不同成膜热处理温度可使薄膜有较好性能 ,主要是由于这种工艺能获得优化的薄膜微观结构     

热处理工艺对溶胶-凝胶法制备ZnO:Al薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出ZnO:Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、方块电阻测试仪、Hall效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、微观结构、光电性能;分析了不同热处理方式对于薄膜光电性能的影响。结果表明:经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%左右。热处理工艺的选择对于提升AZO薄膜的电学性能至关重要,相比于空气气氛和真空下的热处理,采用具有还原性的5%H_2和95%N_2的混合气氛热处理得到了具有最好电学性能的AZO薄膜。在550℃还原气氛下保温60 min得到薄膜方块电阻约为300Ω/□,电阻率约为3.3×10~(-3)Ω·cm。     

溶胶-凝胶法制备薄膜

综述了溶胶-凝胶法制备薄膜材料的一般原理及工艺步骤。并对其应用做了一定的展望。     

溶胶-凝胶法制备氧化铝薄膜

以Al(NO3)3·9H2O作为前驱体制备AlOOH溶胶,通过提拉法在不锈钢表面形成氧化物薄膜。探讨了热处理制度和表面处理对薄膜形成过程的影响,并通过XRD和SEM等分析手段对氧化铝薄膜形成过程的物相组成和表面质量进行了分析。实验结果表明:温度在500～800℃,升温速率控制在1.5℃/min,可以得到表面致密的氧化铝薄膜,所制得的薄膜成分以晶态氧化铝和非晶态氧化铝共存,其中晶态氧化铝以γ-氧化铝的形式存在。     

溶胶-凝胶法制备二氧化硅薄膜及其性能分析

在化学领域制备二氧化硅薄膜最常用的方法是溶胶-凝胶法。采用该种方法制备二氧化硅薄膜时需要相应的前驱体以及催化剂,经过热处理将二氧化硅胶膜转化为二氧化硅薄膜。这种薄膜具有减反增透效果,并且兼具有亲水性。采用FT-IR、SEM、TG系统分析薄膜的化学组成、微观形貌和热稳定性,研究不同原料比,成膜温度对薄膜硬度、附着力及耐腐蚀性能的影响,得出性能优良的制备方法和制备工艺参数。     

溶胶-凝胶法制备薄膜的研究进展

溶胶-凝胶工艺是一种很有前途的薄膜制备方法.简单介绍了薄膜的种类及制作方法.将溶胶-凝胶法与PVD法和CVD法等进行了比较,说明了其制膜的优点,如工艺简单、设备要求低以及适合于大面积制膜.具体介绍了用溶胶-凝胶法制膜的流程及应用,着重介绍了基片的清洗方法和薄膜的涂覆方法.     

掺锡量对溶胶-凝胶法制备ITO薄膜性能的影响

本文以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为前驱物,利用溶胶-凝胶法在玻璃载片上旋转涂膜制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO薄膜)。采用了紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪、X-射线衍射仪和扫描电镜等对ITO薄膜的透射率、方块电阻、物相组分和结构形貌进行测量与表征。研究了掺锡浓度对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果显示:ITO薄膜的光电特性与掺锡浓度有关,在掺杂溶度为12wt%时,制备出的ITO薄膜最低方块电阻为124Ω/□,最高透射率为92.85%。     

制备工艺对溶胶-凝胶法制备BeFeO3薄膜的影响

利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基体上制备了BiFeO3薄膜,构架了Pt/BiFeO3/Pt电容器。对不同退火温度和保温时间制备薄膜的微观形貌和铁电性能做了研究。X射线衍射仪（XRD）结果显示,不同的退火温度和保温时间并没有改变BiFeO3（BFO）的钙钛矿结构,但温度的改变会产生不同的晶相。通过扫描电子显微镜（FE-SEM）可以观察到,随着烧结保温时间的延长,薄膜晶粒有减小的趋势。P-E曲线结果表明,BFO薄膜在外加电场较高时易击穿,难以得到清晰饱和的电滞回线。     

溶胶-凝胶法制备ZnO微粉工艺研究

以草酸为络合剂,利用溶胶-凝胶法制备ZnO微粉。通过实验摸索制备小粒径ZnO的最佳工艺条件,并对其性能进行表征,包括激光光散射粒度分析、红外检测、X-射线衍射分析、电学性质测定(阻抗、伏安特性曲线)。     

溶胶-凝胶法制备声表面波器件用Li：ZnO薄膜

用溶胶-凝胶法在玻璃载玻片上制备Li∶ZnO薄膜, 涂膜采用旋涂法.薄膜通过二次涂膜而形成.用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电阻仪表征和测量了薄膜的特性和性能.实验结果表明: 通过改变每层涂膜热处理的温度, 可使Li∶ZnO薄膜具有更好的c轴择优取向性、平整均匀、颗粒细小和高的薄膜电阻率(≈107Ω*cm), 这些性能可满足声表面波器件的使用要求.薄膜形成时每层采用不同成膜热处理温度可使薄膜有较好性能, 主要是由于这种工艺能获得优化的薄膜微观结构.     

溶胶-凝胶法制备NiO薄膜及影响因素

NiO薄膜可作为电致变色材料、电容器材料、气敏材料、电极材料等而受到人们关注。溶胶凝胶法(sol-gel)制备NiO薄膜材料因其无可比拟的优点成为研究的热点。简要介绍了sol-gel法制备NiO薄膜的特点及基本原理,重点论述了成膜方式、溶胶性质以及热处理条件对薄膜形貌、结构和电化学性能的影响,展望了NiO薄膜材料的发展方向,旨在为NiO薄膜材料的研究和开发提供一些借鉴和启发。     

乙醇对溶胶-凝胶法制备SiO_2溶胶性能的影响

以HNO3为催化剂,用正硅酸乙酯(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备纳米多孔二氧化硅薄膜。较详细地研究了工艺参数乙醇/TEOS摩尔比对溶胶性能的影响.结果表明,随着乙醇/TEOS摩尔比的增大,溶胶粘度减小,凝胶时间变长,胶体粒径有变小趋势。     

CTAB对溶胶-凝胶法制备纳米ZnO形貌的影响

以醋酸锌、草酸为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备纳米ZnO。在反应体系中加入表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),成功制得短柱状及棒状结构的纳米ZnO。借助XRD和TEM对产物的结构和形貌进行了表征。结果表明,产物属于纤锌矿结构的六方相ZnO,并且,在棒状结构纳米ZnO的形成过程中CTAB起关键作用,改变反应体系中CTAB的加入量,可以实现纳米ZnO的形貌控制合成。讨论了棒状纳米ZnO可能的形成机理。