CeO2薄膜的制备和表征

探讨了用硝酸亚铈通过溶胶－凝胶法制备ＣｅＯ２薄膜的制备工艺。用Ｘ射线和扫描电子显微镜分析了薄膜的显微形貌及其晶体结构，借助Ｘ射线光电子能谱研究了薄膜表面元素Ｃｅ的化学态。结果表明，用该方法可获得质量良好的ＣｅＯ２薄膜。     

高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究了薄膜的组成和形貌，结果表明，当沉积温度为５００＾０Ｃ和６００＾０Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３００＾０Ｃ和４００＾０Ｃ地，薄膜以无定形结构为主，薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成，不同沉积温度     

α－Al_2O_3衬底上生长的GaN膜的光学性质

采用金属有机化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。     

制备SnO2薄膜时原料中水对其成膜和光电性质的影响

用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４．５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，对所制得ＳｎＯ２薄膜进行了Ｘ－射线，ＳＥＭ分析，并对其发电性质进行测定，总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的ＳｎＯ２薄膜生长速度快，电阻率低。     

溶液温度对电化学沉积氧化亚铜薄膜相成分和显微结构的影响

用电化学方法在不锈钢基体上沉积多晶Ｃｕ２Ｏ薄膜并用Ｘ射线衍射和扫描电进行了分析研究了溶液温度对薄膜相组成、晶粒尺寸和择优取向的影响，当溶液的ＰＨ＝９，温度低于５０℃时得到的是Ｃｕ２Ｏ／Ｃｕ复相薄膜，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜可在溶液温度高于５０℃时获得，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜具有（１００）择优取向，实验发现薄膜的晶粒尺寸随溶液温度的增加从０．１２μｍ增加到０．６５μｍ。     

离子束溅射沉积羟基磷灰石涂层钛种植体材料的制备和表征

采用Ａｒ＾＋离子束溅射沉积技术和钛基体上沉积羟基磷灰石薄膜涂层,Ａｒ＾＋离子束的能量分别为０．９ｋｅＶ、１．２ｋｅＶ和１．５ｋｅＶ。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电（ＳＥＭ０、透射电镜（ＴＥＭ）和红外光谱（ＦＴＩＲ）等检测方法,对制备的羟基磷灰石薄膜涂层进行了表征。Ｘ射线衍射和透射电结果表明该薄膜涂层为非晶态;红外光谱中无羟基（ＯＨ）特征峰存在,ＣＯ３根吸收峰的出现说明制备过程中会引入ＣＯ３根;扫     

溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究

本文用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，利用Ｘ射线光电子能谱研究了不同处理条件对ＣｅＯ２－ｘ薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ｃｅ３ｄＸＰＳ谱的高斯拟合，计算了Ｃｅ＾３＋浓度并给出了判定Ｃｅ＾４＋还原的标志。研究结果表明，在空气中经１１７３Ｋ高温退火后可得到结晶完好的多晶ＣｅＯ２薄膜，而薄膜的化学价态没有变化，退火前后薄膜表面总有少量Ｃｅ＾３＋存在（１５％）     

CeO2／Nb2O5双层氧敏薄膜的制备及界面扩散研究

用射频／直流磁控溅法制备了ＣｅＯ２／Ｎｂ２Ｏ５双层氧敏薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱研究了真空原位加热对薄膜界面相互扩散的影响。结果表明,通过热扩散进入上层ＣｅＯ２薄膜的Ｎｂ２Ｏ５,不仅达到了对上层薄膜进行微量掺杂的目的,而且能够促使ＣｅＯ２薄膜中的的晶格氧大量脱附,使ＣｅＯ２更容易还原Ｃｅ２Ｏ３,而其身的构型却未发生变化。     

Al2O3陶瓷上沉积金刚石薄膜的研究

以酒精为碳源，用热丝ＣＶＤ法对不同表面状态的Ａｌ２Ｏ３衬底进行了金刚石薄膜沉积的比较，用扫描电镜，喇曼光谱和Ｘ射线衍射等方法检测了沉积出的金刚石膜的质量，并讨论了它们对成核和生长的影响。     

离子束辅助沉积制备TiO_2-Nb_2O_5氧敏薄膜

采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；过量掺杂则使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性明显变差。在５ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中再掺入少量的Ｐｔ（０３％０５％）可使其氧敏特性更好，而且其响应时间大大缩短。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析表明，在退火后的ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中Ｎｂ２Ｏ５为单斜（Ｍｆｏｒｍ）结晶相，而掺杂的Ｔｉ以非晶的ＴｉＯ２形式存在，即使在高达３４ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中也不例外。纯ＴｉＯ２膜为金红石结构。不同退火温度（９００１１０００Ｃ）对薄膜的氧敏特性和结构无明显影响。     

氧化物La—Ca—Mn—O巨磁电阻薄膜的制备有其结构特性的研究

采用磁控溅射方法在ＺｒＯ２（００１），Ｓｉ（００１）和玻璃衬底上成功地制备了Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁电阻薄膜。Ｘ－射线分析表明，ＺｒＯ２的晶格常数与ＬＣＭＯ的晶格常数失配虽然较大，仍可得到较好的ＬＣＭＯ薄。膜。在Ｓｉ片上难以制备出致密完整的ＬＣＭＯ薄膜，其原因有待查明。     

氧化物La-Ca-Mn-O巨磁电阻薄膜的制备及其结构特性的研究

采用磁控溅射方法在ＺｒＯ２（００１）、Ｓｉ（００１）和玻璃衬底上成功地制备了ＬａＣａＭｎＯ（以下简称为ＬＣＭＯ）巨磁电阻薄膜。Ｘ－射线分析表明，ＺｒＯ２的晶格常数与ＬＣＭＯ的晶格常数失配虽然较大，仍可得到较好的ＬＣＭＯ薄膜。在Ｓｉ片上难以制备出致密完整的ＬＣＭＯ薄膜，其原因有待查明。玻璃衬底上可以获得纯相的ＬＣＭＯ巨磁电阻薄膜，在ＺｒＯ２衬底上制备的ＬＣＭＯ薄膜，其巨磁电阻效应在１５０Ｋ，３０００Ｇａｕｓ下达１３％左右。     

新型氧敏CeO2—x薄膜的制备及结构研究

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜。通过改变Ｏ２／Ａｒ比，制备出不同组分和结构的ＣｅＯ２－ｘ薄膜。用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱了Ｃｅ２＋的浓度。ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经空气中高温退火后，形成了立方体ＣａＦ２型小晶粒，晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。     

用电子束蒸发法制备ZrO2薄膜

采用电子束蒸发的方法制备ＺｒＯ２薄膜，经Ｘ射线衍射和Ｘ光电子能谱分析证实：薄膜为具有立方结构的ＺｒＯ２薄膜，薄膜中缺氧，Ｙ原子的百分含量比蒸发原料中高．     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

碘化亚铜微晶掺杂硼硅酸盐玻璃的制备及其电致二阶非线性光学效应

采用可分相的Ｎａ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系为基础玻璃，以ＣｕＯ／ＳｎＯ、ＮａＩ为原料，分别引入Ｃｕ＾＋、Ｉ＾－，成功地制备出ＣｕＩ微晶掺杂硼硅酸盐玻璃。通过Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ）和高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ）分析观察到了玻璃中的晶相及其分布；由玻璃的室温透射光谱研究了玻璃的热处理条件下光吸收性的关系。首次报道了该半导体微昌掺杂玻璃中的电致二次谱波发生，并讨论了该效应的机理。     

V_2O_5熔体的微量氧化还原研究

将７００、８００、１１００℃三种温度下的Ｖ２Ｏ５熔体制得Ｖ２Ｏ５溶胶,在非晶玻璃基片上将Ｖ２Ｏ５溶胶制成Ｖ２Ｏ５凝胶薄膜试样．通过对Ｖ２Ｏ５凝胶薄膜试样的电阻随温度的变化测试和电子能谱（ＥＳＣＡ）和Ｘ射线衍射分析发现Ｖ２Ｏ５凝胶薄膜中有四价钒的存在,本文从Ｖ２Ｏ５熔体的微量氧化还原和晶体结构的角度分析讨论了微量氧化还原影响钒离子价态变化的机理．     

α—Al2O3衬底上生长的GaN膜的光学性质

采用金属有机化学气相淀积方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜的直接带隙宽度和光学参数。     

TiO2光催化薄膜的XPS研究

利用ＴｉＯ２溶胶通过浸涂技术在钠钙玻璃表面制备了ＴｉＯ２光催化薄膜,根据Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对薄膜进行了表征。结果表明,薄膜中除含有＋４价Ｔｉ的氧化物外,还有一定量的＋３和＋２价Ｔｉ的氧化物。结合有机基团燃烧的还原作用、玻璃中钠与钙离子的扩散和Ａｒ离子刻蚀,对这种现象作了讨论。Ｏｌｓ的高分辨谱比文献报道的更复杂。元素在薄膜内层的分布更均匀,从表面到内层,Ｏ和Ｔｉ元素的含量明显增加,而Ｃ、Ｎａ     

CaO-Al2O3-P2O5-ZnO玻璃水泥的形成

首次在１４５０℃合成了以「ＰＯ４」和「ＡｌＯ４」形成网络结构的、具有良好本征水硬性的ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－Ｐ２Ｏ５－ＺｎＯ玻璃水泥,分析了形成玻璃水泥的基本理论依据。应用光学显微镜,Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、电子探针微区分析（ＥＰＭＡ）、Ｆｏｕｒｉｅｒ红外光谱（ＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了Ｚｎ＾２＋对玻璃水泥的相组成和相形态形成及其结构的影响,并分析了对水泥水硬性的影响规律。