电荷耦合器件

一、引言 电荷耦合器件简称 CCD。首次发表于1970年3月,发明人是美国贝尔电话实验室的 W.S.Boyle 和 G.E.Smith。CCD 的出现是70年代电子学的一项重大进展,其工作原理和概念完全不同于过去建立在电压和电流调制理论上的所有有源器件。因此,有人认为它是电子学的第五代,即属于“分子电子学”领域的功能器件。正因为如此,它一出现就引起世界各主要国家电子科学界的普遍重视,短短几年内 CCD 便从实验室阶段进入了定型生产,并在具体应用中得到了突飞猛进的发展。用途主要有三个方面:成象、存储、模拟信号处理。由于     

电荷耦合器件与系统

据报导,该书发展了器件物理与电路集成的概念。全书分为五章,内容包括电荷耦合器件的物理原理、工艺问题以及在电子工程方面的应用。第一章涉及这些器件的电荷     

科学电荷耦合器件

1历史、操作、性能、设计、制造和理论 1.1科学电荷耦合器件的历史 1.2操作与性能 1.2.1操作 1.2.2性能函数 1.2.3性能规范 1.3结构、设计、光刻与制造 1.3.1结构 1.3.2设计与光刻 1.3.3加工与制造     

电荷耦合摄像器件

本文列举了当前国内外常见的几种CCD摄像器件,并对其结构,性能的优缺点进行了比较。叙述了改进CCD摄像器件性能的工艺和器件像素数的突出水平。介绍了CCD彩色摄像管的几种结构。     

硅电荷耦合器件

一、引言在红外成像系统中,利用CCD的时间延迟积分(TDI)工作模式处理探测信号,可获得较高的信噪比和降低系统对探测器阵列均匀性的要求。TDI模式的简单原理如图1所示。相应视场中一点对探测器阵列作串联扫描,经延迟积分,对于几个探测器可得到     

红外电荷耦合器件

电荷耦合的概念简单而又极其实用,是以电荷包在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的转移为基础的。将简单的电荷耦合器件(CCD)与各种模拟形式结合起来,可以发展成多样化的器件,在红外探测和成象方面,采用电荷耦合器件及其有关的器件,最初引入大面积的探测器阵列是显著改进灵敏度和分辨率的关键。此外,通过这种改进,可以降低电、热损耗,减小体积和重量等。本文评述红外敏感的电荷耦合器件(即IRCCD)的物理特性及工作原理。IRCCD可分为单片器件和混合器件两大类。单片器件的红外敏感衬底可以是窄带半导体,也可以是有适宜杂质电离能级的非本征半导体;混合器件则由选取的各种红外探测器耦合硅标准CCD而     

电荷耦合器件发展动向

电荷耦合器件(CCD)由于具有制作简便、结构尺寸小、运用领域广等特点,自1970年4月贝尔实验室提出以来受到普遍重视。美国和日本的主要厂家都进行了研制。美国五角大楼为了把这一技术用于军事上,指定美国海军电子系统指挥部以低亮度电视用的全固体化图象传感器为目标,作为三军电荷转移技术的管理者和研究中心。美国国家航空和宇宙航行局的兰利研究中心也正在资助电荷转移技术的基础研究。目前国外在深入进行理论分析,搞清电荷耦合器件机理的同时,对提高工艺水平,     

电荷耦合器件及其应用

电荷耦合器件(CCD’S)代表着硅集成电路的一个新概念。本文评述CCD’S的基本运用,其中包括工作极限,制造方法以及实验结果。还讨论了CCD’S的各种可能的应用。     

红外电荷耦合器件系统

一、引言热成象系统采用电荷耦合器件(CCD)后,预计可部分或全部地在以下方面得到改进: 1.采用集成电路工艺而降低了成本。 2.由于简化或完全不使用机械扫描、所用分立电子元件较少和探测器的封装得到简化,因而减小了体积和重量。     

HgCdTe电荷耦合器件工艺

首次论证了禁带可变合金Hg_1-∞Cd_∞Te电荷耦合器件的作用。用0.25eV的n型材料制作了16位移位寄存器,其电荷转移效率为0.9995。描述了这些器件的工作方式,把它们的性能与简单的CCD理论用于这种窄禁带红外敏感材料所得到的结果进行了比较。文中所列有关单台面MIS器件的资料,证明我们对器件的分析是正确的,显示了这种工艺在未来的焦平面应用方面的潜力。     

红外电荷传输器件——硅探测器

本文评述了红外电荷传输器件应用到系统的可能性。文章表明,器件工艺将给系统带来很大的影响。计算了量子效率、量子增益、频率响应、光电导增益、工作温度、噪声以及在硅探测器上加纵向与横向偏压之间的差别。列出了硅探测器性能表。研究了将探测器耦合到电荷传输多路传输器互连电路的方法,并给出了在低背景和高背景条件下,红外电荷传输器件探测器列阵的实例。     

电荷耦合器件的调制传递函数

提出了一种计算电荷耦合器件(CCD)的调制传递函数的方法。分析中既考虑了 CCD 器件的时间和空间变化特性,也考虑了在扫描期间输入图象以恒定速度运动的情况。用导出的模型说明了 CCD 成象系统的静态 MTF 和动态 MTF。     

背照式电荷耦合器件的研制

简要介绍了背照电荷耦合器件的工作原理、潜在优势和应用领域.设计了对常规电荷耦合器件芯片进行衬底减薄进而实现背照电荷耦合器件的技术方案.给出了相关的设计方法和工艺流程并对关键工艺技术进行了探讨.对所制成的背照电荷耦合器件组件的性能进行了分析和讨论.结果表明所提出并采用的技术方案是可行的.     

电荷耦合器件的单板机驱动

电荷耦合器件(COD)是70年代初出现的一种新型的高集成度(每平方英寸20万个元件)的MOS器件。它具有工作电压低、功耗小、光敏元几何尺寸严格、间距小、抗电磁干扰能力强、噪声低、灵敏度高、工作可靠、寿命长等优点。经过十几年的研究,特别是随着制造工艺水平的提高,CCD已经进入了实际应用阶段。现在已用于包括传真在内的光学文字识别及要求高分辨率、高灵敏度的摄像领域中,如非接触测量、遥感、遥测等。在高温炽热钢件宽度、厚度测量,人工不能测量的微小尺寸的测量等方面都表现出了高分辨率、高准确度和可靠性好等突出特点。     

TDI模式硅电荷耦合器件

本文介绍一种时间延迟和积分(TDI)模式硅电荷耦合器件(SiCOD)。该器件与10元InSb线列互连获得成功。它的功能得到了证实。输出的视频信号表明,器件具有良好的均匀性。红外电荷耦合器件因其本身具有的种种特性,越来越广泛地在成像领域中得到应用。目前,一些初具规模的产品已在一些技术比较无进的国家出现。     

电荷耦合器件及人工眼

CCD(电荷耦合器件),是一种集成半导体器件。排列成线形的叫线阵——多的一排可有5096个元件,也可排列成方阵——多的有640×475个元件。前者可以作光谱记录及分析仪器,测量宽度、长度及位移的传感器,线存储移位寄存器,扫描延迟器,高速 A/D 转换器等。后者可制成尺寸极为微小的摄像机,面存贮及扫描器等,它的用途已愈来愈广。一、人工眼的由来本文重点介绍 CCD 作为摄像器件及模拟人工眼的前景。人工眼是人类多年来设想的一种最重要的仿生感觉器官,但由于下面的原因而一直未能成为现实:1.人工的摄像系统体积重量太庞大,不能同人眼相比拟;2.人工眼需要容量非常大的计算机系统,不能制     

电容耦合式两相电荷耦合器件

本文提出了一种新颖的电容耦合式两相电荷耦合器件。介绍了利用处于电浮置的耦合电容分压而获得非对称势阱的理论计算方法和结果。利用电容耦合原理制成了一个64位表面N沟道两相CCD图象传感器,该器件在0.8M_(HZ)频率下工作时,转移效率可达99.96％,电荷处理能力高于3×10~(11)个电子/cm~2。实际测量的电容分压与理论计算相符。对实验结果进行了讨论。     

5微米碲镉汞光伏探测器与电荷耦合器件多路传输装置的直接耦合

本文报导了5微米光伏碲镉汞探测器和电荷耦合器件多路传输装置的直接耦合实验。于77K工作的光电二极管在经过电荷耦合器件多路传输装置之后,没有测出信/噪比下降的情况,D_(λ峰值)~*=1.6×10~(11)厘米赫~(1/2)/瓦(背景限),测试条件:背景辐照为300K,视场为180°,调制频率为723赫。     

超低暗电流异质结电荷耦合器件

用公式阐明了一种模型以说明暗电流(J_D)的主要来源,J_D是异质结肖特基(schottky)栅电荷耦合器件(CCD)单像素上的暗电流。这个模型预示了J_D对温度的依赖关系并表明对于适当地制作的栅、沟道内的体内产生是暗电流的主要来源。为了证实这模型的正确性,在23—55℃的温度范围内测试Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs n—P 异质结CCD阵列的暗电流。在室温下典型的值是J_D≈83PA/cm~2,有些像素的J_D低到43PA/cm~2。这些是迄今报导的CCD结构的最低的暗电流。55℃的数据表明、J_D升到～1nAl/cm~2。数据更进一步证实了模型预示的J_D对温度的依赖关系。